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一种隔离结构的形成方法和半导体结构的形成方法，隔离结构的形成方法包括：提供衬底，包括用于形成核心存储电路的第一区域和用于形成外围电路的第二区域；在衬底上形成栅极结构层；在栅极结构层上形成硬掩膜；分别在第一区域和第二区域的栅极结构层内形成第一...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。