半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括第一电极层和第二电极层。第一电极层沿第一方向延伸。第二电极层沿第一方向延伸为与第一电极层不同的长度，并且在第二方向上相对于第一电极层的中心线对称。第二电极层与第一电极层构成电容器。本发明专利技术实施例涉及半导体器件。

semiconductor device

A semiconductor device includes a first electrode layer and a second electrode layer. The first electrode layer extends along the first direction. The second electrode layer extends along the first direction to a length different from the first electrode layer and is symmetrical in the second direction with respect to the central line of the first electrode layer. The second electrode layer and the first electrode layer form a capacitor. Embodiments of the present invention relate to semiconductor devices.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术实施例涉及半导体器件。
技术介绍
通常，深沟槽电容器(DTC)可作为印刷电路板(PCB)中的陶瓷电容器的替代。但是，传统DTC需要额外的接合区，用于将接触件接合至衬底。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一电极层，沿第一方向延伸；以及第二电极层，沿所述第一方向延伸为与所述第一电极层不同的长度，与所述第一电极层构成电容器，并且相对于所述第一电极层的中心线对称，所述第一电极层的中心线在第二方向上。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种半导体器件，包括：结构，包括：第一部分，沿第一方向延伸；以及第二部分，从所述第一部分的中心部分沿第二方向凸出，并且相对于所述第一部分的中心线对称，所述第一部分的中心线在所述第二方向上。根据本专利技术的又一些实施例，还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括第一导电层和位于所述第一导电层上方的第二导电层；在所述第二导电层上提供光刻胶层；通过图案化所述光刻胶层形成第一图案化光刻胶层；通过将所述第一图案化光刻胶层用作掩模，将所述第二导电层图案化为第一图案化第二导电层；通过修本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一电极层，沿第一方向延伸；以及第二电极层，沿所述第一方向延伸为与所述第一电极层不同的长度，与所述第一电极层构成电容器，并且相对于所述第一电极层的中心线对称，所述第一电极层的中心线在第二方向上。

【技术特征摘要】
2016.03.17 US 15/073,0131.一种半导体器件，包括：第一电极层，沿第一方向延伸；以及第二电极层，沿所述第一方向延伸为与所述第一电极层不同的长度，与所述第一电极层构成电容器，并且相对于所述第一电极层的中心线对称，所述第一电极层的中心线在第二方向上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：介电层，位于所述第一电极层和第二电极层之间，并且沿所述第一方向延伸为与所述第二电极层相同的长度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电极层延伸的长度短于所述第一电极层延伸的长度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电极层部分覆盖所述第一电极层，并暴露所述第一电极层的终端部分，所述终端部分包括：侧壁；表面；以及拐角，将所述侧壁与所述表面连接，其中，所述拐角为圆形。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述表面的长度介于10埃到10,000埃的范围内。6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：阱，所述第一电极层的一部分和所述第二电极层的一部分在所述阱...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘铭棋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71