扩散电阻器制造技术

本发明专利技术提供一种扩散电阻器以及用于形成扩散电阻器的方法。扩散电阻器包括：具有第一导电类型的衬底；在衬底内的具有第二导电类型的第一阱；以及在第一阱内的具有第一导电类型的第二阱。电阻器另外包括用于将电阻器耦接到另外的电路系统的第一接触和第二接触。第一接触和第二接触各自耦接到第一阱和第二阱两者。

【技术实现步骤摘要】
扩散电阻器
本专利技术涉及形成半导体装置的一部分的电阻器，并且更具体地说，涉及在半导体装置中的扩散电阻器的实施方案。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可使用多晶硅材料来实施以形成用于MOSFET的栅极接触。多晶硅还可用于在半导体装置内形成电阻器。这些电阻器在若干应用中是有利的，因为它们具有高的线性度水平。半导体制造的趋势在于使用允许越来越小的特征尺寸的技术。在这些装置中，MOSFET栅极可使用具有高介电常数的金属(高k材料)而不是多晶硅来实施。在这些情况下，多晶硅的使用可能不再是标准，并且为多晶硅层提供额外的掩模以形成电阻器可能是昂贵的。电阻器的替代实施方案可能是受关注的。
技术实现思路
根据第一方面，提供了一种扩散电阻器，其包括：具有第一导电类型的衬底；在衬底内的具有第二导电类型的第一阱；在第一阱内的具有第一导电类型的第二阱；用于将电阻器耦接到另外的电路系统的第一接触和第二接触；其中，第一接触和第二接触各自耦接到第一阱和第二阱两者。第二阱可被配置成形成电阻器主体。第一接触可在电阻器的第一侧上耦接到第一阱和第二阱两者，并且第二接触在第二侧上耦接到第一阱和第二阱两者。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扩散电阻器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；在所述衬底内的第一阱，所述第一阱具有第二导电类型；在所述第一阱内的第二阱，所述第二阱具有所述第一导电类型；第一接触和第二接触，所述第一接触和所述第二接触用于将所述电阻器耦接到另外的电路系统；其中，所述第一接触和所述第二接触各自耦接到所述第一阱和所述第二阱两者。

【技术特征摘要】
2015.11.27 EP 15196771.81.一种扩散电阻器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；在所述衬底内的第一阱，所述第一阱具有第二导电类型；在所述第一阱内的第二阱，所述第二阱具有所述第一导电类型；第一接触和第二接触，所述第一接触和所述第二接触用于将所述电阻器耦接到另外的电路系统；其中，所述第一接触和所述第二接触各自耦接到所述第一阱和所述第二阱两者。2.根据权利要求1所述的扩散电阻器，其特征在于，所述第二阱被配置成形成电阻器主体。3.根据权利要求2所述的扩散电阻器，其特征在于，所述第一接触在所述电阻器的第一侧上耦接到所述第一阱和所述第二阱两者，并且所述第二接触在第二侧上耦接到所述第一阱和所述第二阱两者。4.根据在前的任一项权利要求所述的扩散电阻器，其特征在于，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反。5.根据在前的任一项权利要求所述的扩散电阻器，其特征在于，所述第一导电类型为n型或p型中的一种，并且所述第二导电类型为所述n型或所述p型中的另一种。6.根据在前的任一项权利要求所述的扩散电阻器，其特征在于，所述第一接触被配置成提供...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·范费尔德温，伊布拉辛·詹丹，约翰内斯·安东尼·约瑟夫斯·范·格洛文，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL