半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种能够抑制电磁波障碍的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备：将被处理体与工辅具以接地端子插入于第一沟槽且信号端子插入于第二沟槽，并且一表面相接于第一面的方式重叠配置的步骤，该被处理体具备：半导体元件；密封树脂层，密封半导体元件；及接地端子及信号端子，与半导体元件电性连接，从密封树脂层的一表面突出，且该接地端子能够与接地电位连接；该工辅具具备：第一面；第二面；第一沟槽，从第一面至第二面为止连续性地露出；及第二沟槽，在第一面露出；及以覆盖密封树脂层的露出部及接地端子的露出部的方式形成导电性屏蔽层而将导电性屏蔽层与接地端子之间电性连接的步骤。

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Embodiments of the present invention provide a semiconductor device capable of suppressing electromagnetic wave barriers and a method of manufacturing the same. A method of manufacturing a semiconductor device implementing methods: will be processed and the auxiliary equipment to the ground terminal is inserted in the first groove and the signal terminals are inserted into the second groove, and a surface is connected to the first surface mode overlapping configuration steps, the body to be treated with semiconductor components; sealing resin layer seals the semiconductor element; and the grounding terminals and the signal terminals, and a semiconductor element electrically connected from the sealing resin layer on a surface of prominent, and the grounding terminal can be connected to the ground potential; the auxiliary equipment is provided with a first surface; second surface; the first groove from the first surface to the second surface has been continuously exposed; and two trench in the article, and to cover the exposed side; the sealing resin layer and the exposed portion of the exposed portion of the ground terminal to form a conductive shield layer and a conductive shield layer and ground terminal An electrical link between the two steps.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法及半导体装置[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2016-53322号(申请日：2016年3月17日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
实施方式的专利技术涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。
技术介绍
作为电子零件之一，周知的是插入安装型的半导体装置。插入安装型的半导体装置具有被密封树脂层密封的半导体元件、及从密封树脂层突出的接地用端子及信号用端子等外部连接端子。将该外部连接端子插入于例如搭载用衬底的插入部而将半导体装置与搭载用衬底电性连接。在将所述半导体装置用于例如通讯设备等的情况下，为了抑制EMI(ElectroMagneticInterference，电磁干扰)等电磁波障碍，而使用以导电性屏蔽层覆盖密封树脂层的表面的构造。为了以所述构造获得充分的屏蔽效果，优选将导电性屏蔽层电性连接于接地端子。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够抑制电磁波障碍的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备：将被处理体与工辅具以接地端子插入于第一沟槽且信号端子插入于第二沟槽，并且一表面相接于第一面的方式重叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于具备：将被处理体与工辅具以所述接地端子插入于所述第一沟槽，所述信号端子插入于所述第二沟槽，并且所述一表面相接于所述第一面的方式重叠配置的步骤，该被处理体具备：半导体元件；密封树脂层，密封所述半导体元件；接地端子，与所述半导体元件电性连接，且从所述密封树脂层的一表面突出，能够与接地电位连接；及信号端子，与所述半导体元件电性连接，且从所述一表面突出；该工辅具具备：第一面；第二面；第一沟槽，从所述第一面至所述第二面为止连续性地露出；及第二沟槽，在所述第一面露出；及以覆盖所述密封树脂层的露出部及所述接地端子的露出部的方式，形成导电性屏蔽层而将所述导电性屏蔽层与所述接...

【技术特征摘要】
2016.03.17 JP 2016-0533221.一种半导体装置的制造方法，其特征在于具备：将被处理体与工辅具以所述接地端子插入于所述第一沟槽，所述信号端子插入于所述第二沟槽，并且所述一表面相接于所述第一面的方式重叠配置的步骤，该被处理体具备：半导体元件；密封树脂层，密封所述半导体元件；接地端子，与所述半导体元件电性连接，且从所述密封树脂层的一表面突出，能够与接地电位连接；及信号端子，与所述半导体元件电性连接，且从所述一表面突出；该工辅具具备：第一面；第二面；第一沟槽，从所述第一面至所述第二面为止连续性地露出；及第二沟槽，在所述第一面露出；及以覆盖所述密封树脂层的露出部及所述接地端子的露出部的方式，形成导电性屏蔽层而将所述导电性屏蔽层与所述接地端子之间电性连接的步骤。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于进而具备如下步骤，即，在配置所述被处理体与所述工辅具的步骤之前形成所述被处理体，且形成所述被处理体的步骤包含：在具有所述接地端...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩本正次，山崎尚，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP