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本发明的实施方式提供一种能够抑制电磁波障碍的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备：将被处理体与工辅具以接地端子插入于第一沟槽且信号端子插入于第二沟槽，并且一表面相接于第一面的方式重叠配置的步骤，该被处理体具备：半导体元...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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