半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种能可靠地密封多个半导体单元的半导体装置。多个半导体单元(100a、100b)的各个正面的槽部(161)，和侧部的(未卡合一侧)卡合部(162、163)由于锚固作用紧贴力提高。即，第2密封体(15)相对于连结的半导体单元(100a、100b)的紧贴力提高。并且，多个半导体单元(100a、100b)分别由卡合部(162、163)卡合连结。因此，第2密封体(15)不会进入各个半导体单元(100a、100b)之间，能够抑制半导体单元(100a、100b)之间第2密封体(15)的剥离，能够防止半导体单元(100a、100b)的位置偏移。

Semiconductor device

The invention relates to a semiconductor device capable of reliably sealing a plurality of semiconductor units. Each of the semiconductor units (100a, 100b) has a positive groove portion (161) and a side (not pinched side) clamping portion (162, 163) that is secured to the force due to anchoring. That is, the tightening force of the second sealing body (15) relative to the connecting semiconductor unit (100a, 100b) is improved. In addition, a plurality of semiconductor units (100a, 100b) are clamped together by the clamping portions (162, 163). Therefore, the second seal (15) will not enter the semiconductor element (100a, 100b), can inhibit the semiconductor unit (100a, 100b) between the second sealing body (15) of the strip, can prevent the semiconductor unit (100a, 100b) position offset.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
功率半导体模块包含IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、FWD(FreeWheelingDiode：续流二极管)等，例如作为功率转换装置被广泛使用。功率半导体模块例如具有半导体元件和层叠基板，该层叠基板具有分别在正面形成电路板、在背面形成金属板的绝缘板，并在电路板上经由焊料设置有半导体元件。功率半导体模块还具有印刷基板，该印刷基板与层叠基板相对配置，将分别与半导体元件及电路板接合的导电柱电连接而形成。并且，使用由密封树脂构成的第1密封体，将半导体元件、层叠基板和印刷基板密封(例如参照专利文献1)。例如，准备4个这样的功率半导体模块(半导体单元)配置为2行2列。用连接单元将各个半导体单元的控制电极之间、主端子之间连接，并使用由密封树脂构成的第2密封体将所有半导体单元和连接单元密封，由此构成半导体装置。半导体装置含有4个半导体单元，因此能够增本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：多个半导体单元及第2密封体，所述多个半导体单元分别具备：半导体元件；以及第1密封体，该第1密封体形成为密封所述半导体元件，并在正面形成有多个凸部，所述多个半导体单元并排配置，在相对的部位具备相互卡合的卡合部，并通过所述卡合部连结，所述第2密封体形成为密封所述半导体单元。

【技术特征摘要】
2016.03.18 JP 2016-0548491.一种半导体装置，其特征在于，具有：多个半导体单元及第2密封体，所述多个半导体单元分别具备：半导体元件；以及第1密封体，该第1密封体形成为密封所述半导体元件，并在正面形成有多个凸部，所述多个半导体单元并排配置，在相对的部位具备相互卡合的卡合部，并通过所述卡合部连结，所述第2密封体形成为密封所述半导体单元。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体单元分别具备连接端子，该连接端子与所述半导体元件电连接，并从所述第1密封体突出，所述半导体装置具有连接单元，该连接单元与所述连接端子电连接，将所述半导体单元并联地电连接，并与所述半导体单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：日向裕一朗，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP