一种刻蚀方法以及阵列基板制作方法技术

一种刻蚀方法和阵列基板制作方法。该刻蚀方法应用于依次包括第一层、第二层、第三层的基板，包括：在所述第三层形成过孔图形暴露所述第二层后，使用对所述第三层的刻蚀率小于对所述第二层的刻蚀率的第一刻蚀方法对所述基板进行第一次刻蚀，且使得所述第二层被刻蚀掉的厚度小于所述第二层的初始厚度；在所述第一次刻蚀后，使用对所述第三层的刻蚀率大于对所述第二层的刻蚀率的第二刻蚀方法对所述基板进行第二次刻蚀以暴露出所述第一层。本申请提供的方案，可以提升产能和良率。

Etching method and method for manufacturing array substrate

Etching method and method for manufacturing array substrate. The etching method applied to sequentially comprises a first layer, second layer, third layer substrate, including: formed in the third layer of the second layer hole pattern exposed after the first etching method using the third layer etching rate is less than the second layer etch rate for the first time of etching the substrate, and the second layer is etched to a thickness of less than the initial thickness of the second layer; in the first time after etching, the use of the third layer etching rate of more than second etching methods on the second layer etch rate for second times on the substrate to expose the etching with the first layer. The scheme provided in this application can increase production capacity and yield.

【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀方法以及阵列基板制作方法
本专利技术涉及显示技术，尤指一种刻蚀方法以及阵列基板制作方法。
技术介绍
有机膜具有极高的光透过率，并且能够实现产品表面平坦化。随着液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)面板PPI(PixelsPerInch，像素密度)提高，有机膜越来越多被应用到产品中。完成有机膜掩膜后，需要刻蚀过孔连接下层金属。目前的方案是在有机膜层上增加过孔掩膜(VIAmask)后进行刻蚀。
技术实现思路
本专利技术至少一实施例提供了一种刻蚀方法以及阵列基板制作方法。本专利技术至少一实施例提供了一种刻蚀方法，应用于依次包括第一层、第二层、第三层的基板，包括：在所述第三层形成过孔图形暴露所述第二层后，使用对所述第三层的刻蚀率小于对所述第二层的刻蚀率的第一刻蚀方法对所述基板进行第一次刻蚀，且使得所述第二层被刻蚀掉的厚度小于所述第二层进行所述第一次刻蚀前的初始厚度；在所述第一次刻蚀后，使用对所述第三层的刻蚀率大于对所述第二层的刻蚀率的第二刻蚀方法对所述基板进行第二次刻蚀以暴露出所述第一层。在本专利技术的一可选实施例中，所述第三层在进行所述第一次刻蚀前的初始厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀方法，应用于依次包括第一层、第二层、第三层的基板，其特征在于，包括：在所述第三层形成过孔图形暴露所述第二层后，使用对所述第三层的刻蚀率小于对所述第二层的刻蚀率的第一刻蚀方法对所述基板进行第一次刻蚀，且使得所述第二层被刻蚀掉的厚度小于所述第二层进行所述第一次刻蚀前的初始厚度；在所述第一次刻蚀后，使用对所述第三层的刻蚀率大于对所述第二层的刻蚀率的第二刻蚀方法对所述基板进行第二次刻蚀以暴露出所述第一层。

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，应用于依次包括第一层、第二层、第三层的基板，其特征在于，包括：在所述第三层形成过孔图形暴露所述第二层后，使用对所述第三层的刻蚀率小于对所述第二层的刻蚀率的第一刻蚀方法对所述基板进行第一次刻蚀，且使得所述第二层被刻蚀掉的厚度小于所述第二层进行所述第一次刻蚀前的初始厚度；在所述第一次刻蚀后，使用对所述第三层的刻蚀率大于对所述第二层的刻蚀率的第二刻蚀方法对所述基板进行第二次刻蚀以暴露出所述第一层。2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第三层在进行所述第一次刻蚀前的初始厚度根据所述第三层在所述第一次刻蚀和第二次刻蚀中损失的厚度以及所述第二次刻蚀完成后所述第三层的目标厚度确定。3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二层在所述第一次刻蚀中刻蚀掉的厚度为所述第二层的初始厚度的30％～80％。4.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀方法包括：使用包括六氟化硫、氧气的气体进行刻蚀，且所述六氟化硫的流量大于等于所述氧气的流量。5.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二刻蚀方法包括：使用包括六氟化硫、氧气的气体进行刻蚀，且所述六氟化硫的流量小于所述氧气的流量。6.如权利要求1至5任一所述的刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：谌泽林，杨晓峰，刘学光，柴铭志，杨钟，吕建伟，蒋凯，陈时洪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11