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一种刻蚀方法和阵列基板制作方法。该刻蚀方法应用于依次包括第一层、第二层、第三层的基板，包括：在所述第三层形成过孔图形暴露所述第二层后，使用对所述第三层的刻蚀率小于对所述第二层的刻蚀率的第一刻蚀方法对所述基板进行第一次刻蚀，且使得所述第二层被...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司授权不得商用。