相移底板掩模和光掩模制造技术

公开一种相移底板掩模和光掩模，其中相移膜形成为至少两个或更多层的多层膜或者连续膜，所述相移膜的膜由可以相对于一种蚀刻剂进行蚀刻并且成分彼此不同的材料组成，而且成分不同的所述膜中的每个堆叠一次或多次。因此，有可能减少所述相移膜的厚度，并且使边缘处的截面具有陡峭坡度，以使得在所述相移膜被图案化时相移膜图案可以具有清晰边界，从而保证所述相移膜图案的透射率和相移度的均匀性。另外，有可能改进所述相移膜图案和印刷图案的精度。

Phase shifting backplane mask and photomask

A phase shift mask plate and photomask, wherein the phase shift film formed multilayer film of at least two or more layers or a continuous film, the phase shift film by relative to an etchant etching composition of materials and components are different from each other, and the film composition in different each stack of one or more times. Therefore, have the potential to reduce the phase shift of the film thickness, and the section at the edge of the steep slope with, so that in the phase shift film is patterned phase shift film pattern can have a clear boundary, so as to ensure the transmission of the phase shift film pattern and phase uniformity degree. In addition, it is possible to improve the accuracy of the phase shifting film pattern and the print pattern.

【技术实现步骤摘要】
相移底板掩模和光掩模
本专利技术涉及一种相移底板掩模(blankmask)和光掩模，确切地说，涉及一种可以降低相移膜图案的反射率并提高印刷图案的精度的相移底板掩模和光掩模。
技术介绍
在用于制造包括薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)、有机发光二极管(OLED)、等离子显示板(PDP)等的平面显示(FPD)装置或用于制造半导体集成电路装置的光刻工艺中，由底板掩模形成的光掩模通常用于转移图案。通过在由合成石英玻璃等组成的透明衬底的主表面上形成包括金属的薄膜，并且随后在薄膜上形成抗蚀膜来准备底板掩模。通过将底板掩模的薄膜图案化来准备光掩模。此处，薄膜可根据光学特性分类为光屏蔽膜、抗反射膜、相移膜、半透明膜、反射膜、硬膜等，并且可由这些薄膜中的两个或更多薄膜的组合实现。随着市场最近需要FPD装置具有更高质量和更高功能，扩展FPD装置的应用领域并且需要高级制造技术。换言之，FPD装置的集成密度变得更高，类似于半导体装置，并且因此FPD装置被设计成具有精细图案。为了形成此类精细图案，需要高图案分辨率和高精度技术。因此，为了提高用于制造FPD装置的光掩模的精度，已经开发出用于FPD装置的相移底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相移底板掩模，其包括在透明衬底上形成的相移膜，所述相移膜包括至少具有两层或更多层的多层膜，并且包括由氧(O)、氮(N)和碳(C)中的至少一个构成的金属硅化物化合物。

【技术特征摘要】
2016.03.16 KR 10-2016-0031239;2016.08.23 KR 10-2011.一种相移底板掩模，其包括在透明衬底上形成的相移膜，所述相移膜包括至少具有两层或更多层的多层膜，并且包括由氧(O)、氮(N)和碳(C)中的至少一个构成的金属硅化物化合物。2.根据权利要求1所述的相移底板掩模，其中相对于具有对应于i-线(365nm)、h-线(405nm)和g-线(436nm)的多个波长的曝光光，所述相移膜具有不高于35％的反射率。3.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中所述相移膜的膜由可以相对于一种蚀刻剂进行蚀刻并且成分彼此不同的材料组成，并且成分不同的所述膜中的每个堆叠一次或多次。4.根据权利要求1所述的相移底板掩模，其中所述相移膜形成多层膜，并且构成所述相移膜的所述膜中的每个形成单层或连续膜。5.根据权利要求1所述的相移底板掩模，其中随着从所述透明衬底进一步向上，构成所述相移膜的所述膜相对于一种蚀刻剂的蚀刻速度降低。6.根据权利要求1所述的相移底板掩模，其中构成所述相移膜的所述膜中的顶层膜的氮(N)含量低于布置在下方的所述膜。7.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中随着从顶部朝向所述透明衬底进一步向下，构成所述相移膜的所述膜的氮(N)含量增加。8.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中构成所述相移膜的所述膜中的至少一个的所述蚀刻速度高于或低于布置在上方或下方的所述膜。9.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中如果构成所述相移膜的所述膜中的每个包括氮(N)，所述氮(N)含量在0.1at％到70at％的范围内。10.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中构成所述相移膜的所述膜中的顶层膜的氧(O)含量低于布置在下方的所述膜。11.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中随着从顶部朝向所述透明衬底进一步向下，构成所述相移膜的所述膜的氧(O)含量增加。12.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中构成所述相移膜的所述膜中的顶层膜的碳(c)含量高于布置在下方的所述膜。13.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中随着从顶部朝向所述透明衬底进一步向下，构成所述相移膜的所述膜的碳(C)含量降低。14.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中相对于具有对应于i-线、h-线和g-线的多个波长的曝光光，所述相移膜具有1％到40％的透射率。15.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中相对于具有对应于i-线、h-线和g-线的多个波长的曝光光，所述相移膜具有不高于10％的透射率偏差。16.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中相对于具有对应于i-线、h-线和g-线的多个波长的曝光光，所述相移膜具有160°到200°的相移度。17.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中相对于具有对应于i-线、h-线和g-线的多个波长的曝光光，所述相移膜具有不高于40°的相移度偏差。18.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中所述相移膜在400...

【专利技术属性】
技术研发人员：南基守，申澈，李钟华，徐成旼，金世民，
申请(专利权)人：思而施技术株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR