【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种护膜，且更具体来说，涉及一种安装于用于euv光刻中的euv光罩上的极紫外线光刻护膜。
技术介绍
1、euv光刻是使用具有13.5纳米的波长的极紫外线(euv)光以产生精细图案的技术。在光刻工艺中，光罩用作用于图案化的主图案。如果粒子或其它杂质附着到光罩，则euv光可被吸收或反射，此可损坏经转印图案。此可导致半导体装置的性能或良率降低。因此，使用护膜以防止杂质附着到光罩表面。
2、护膜放置于光罩表面的顶部上。即使杂质附着到护膜，euv光的焦点也在光罩图案上，因此杂质将不转移到晶圆表面。近来，可损坏图案的杂质的大小由于电路线宽的小型化而减小。因此，护膜在保护光罩方面的作用变得更重要。
3、通常，护膜具有提供euv光透射率的核心层及保护核心层的罩盖层。核心层由包含金属及硅的材料制成，且罩盖层由不与氢自由基反应以防止核心层在光刻系统中由氢自由基损坏的材料制成。
4、然而，这些护膜在光刻工艺期间曝露于euv光，此在膜中产生热。热可减少护膜的机械强度且引起膜破裂。因此，有必要找到有效地耗散来自膜的热的方式。一般来说，250w的euv光功率已用于euv光刻工艺中，但近来，euv光的功率已增加到高于600w以改进光刻工艺的生产力。结果，护膜的热耗散性能的改进已变成愈来愈重要的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种具有改进的热辐射性能同时确保所需的光学透射率的极紫外线(euv)光刻护膜。
2、为实现以上目的，本专利技术提供一种e
3、所述热辐射层具有金属∶硅＝1∶0.6到0.99(at％)的组成比率。
4、所述热辐射层中的所述金属包括钼(mo)、钒(v)、钯(pd)、钛(ti)、铂(pt)、镉(cd)、锆(zr)、锂(li)、硒(se)、钇(y)、铍(be)、铪(hf)、铌(nb)、钌(ru)、镧(la)及铈(ce)中的至少一种。
5、所述热辐射层可进一步包括硼(b)、碳(c)、氧(o)及氮(n)中的至少一种。
6、所述护膜部分可进一步包括：至少一个罩盖层，其用于防止所述护膜部分的氢自由基反应；及辅助层，其用于防止在所述罩盖层与所述热辐射层之间的扩散，其布置于所述热辐射层与所述罩盖层之间。
7、所述罩盖层包括硅(si)、硼(b)、锆(zr)、锌(zn)及钼(mo)中的至少一种，以及碳(c)、氮(n)及氧(o)中的至少一种。
8、所述辅助层包括bc、bn、bnc、sib、sic、sio、sin、非晶碳(amorphour carbon：amorphous carbon；acl)、b-acl及mesi(me为金属)中的至少一种，以及碳(c)、氮(n)及氧(o)中的至少一种。
9、在本专利技术的实施例中，多个热辐射层及多个辅助层可交替堆叠。
10、优选地，两个热辐射层及三个辅助层交替堆叠。
11、所述护膜部分具有30nm或更小的厚度。
12、所述热辐射层具有15nm或更小的厚度。
13、所述辅助层具有3nm或更小的厚度。
14、所述罩盖层具有5nm或更小的厚度。
15、所述护膜部分针对所述曝光光具有90％或更大的透射率。
16、根据本专利技术，充当核心层的热辐射层包括硅及金属，且所述热辐射层的金属含量高于硅含量。此改进了所述护膜部分的热辐射性能同时确保了90％或更大的高透射率，且可应用于600w或更大的euv曝光光功率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种EUV光刻护膜，其具有允许透射EUV曝光光的护膜部分，所述护膜部分包括用于辐射由EUV曝光光的辐照产生的热的热辐射层，
2.根据权利要求1所述的EUV光刻护膜，所述热辐射层具有金属∶硅＝1∶0.6到0.99(at％)的组成比率。
3.根据权利要求2所述的EUV光刻护膜，所述热辐射层的所述金属包括钼(Mo)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、铂(Pt)、镉(Cd)、锆(Zr)、锂(Li)、硒(Se)、钇(Y)、铍(Be)、铪(Hf)、铌(Nb)、钌(Ru)、镧(La)及铈(Ce)中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的EUV光刻护膜，所述热辐射层进一步包括硼(B)、碳(C)、氧(O)及氮(N)中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的EUV光刻护膜，其中所述护膜部分进一步包括：
6.根据权利要求5所述的EUV光刻护膜，其中所述罩盖层包括硅(Si)、硼(B)、锆(Zr)、锌(Zn)及钼(Mo)中的至少一种，且进一步包括碳(C)、氮(N)及氧(O)中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的EUV光刻护膜，其中所
8.根据权利要求5所述的EUV光刻护膜，其中所述护膜部分包括交替地堆叠的多个热辐射层及多个辅助层。
9.根据权利要求8所述的EUV光刻护膜，其中所述护膜部分包括交替地堆叠的两个热辐射层及三个辅助层。
10.根据权利要求2所述的EUV光刻护膜，其中所述护膜部分具有30nm或更小的厚度。
11.根据权利要求10所述的EUV光刻护膜，其中所述热辐射层具有15nm或更小的厚度。
12.根据权利要求11所述的EUV光刻护膜，其中所述辅助层具3nm或更小的厚度。
13.根据权利要求11的EUV光刻护膜，其中所述罩盖层具有5nm或更小的厚度。
14.根据权利要求2所述的EUV光刻护膜，其中所述护膜部分针对所述曝光光具有90％或更大的透射率。
...【技术特征摘要】
1.一种euv光刻护膜，其具有允许透射euv曝光光的护膜部分，所述护膜部分包括用于辐射由euv曝光光的辐照产生的热的热辐射层，
2.根据权利要求1所述的euv光刻护膜，所述热辐射层具有金属∶硅＝1∶0.6到0.99(at％)的组成比率。
3.根据权利要求2所述的euv光刻护膜，所述热辐射层的所述金属包括钼(mo)、钒(v)、钯(pd)、钛(ti)、铂(pt)、镉(cd)、锆(zr)、锂(li)、硒(se)、钇(y)、铍(be)、铪(hf)、铌(nb)、钌(ru)、镧(la)及铈(ce)中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的euv光刻护膜，所述热辐射层进一步包括硼(b)、碳(c)、氧(o)及氮(n)中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的euv光刻护膜，其中所述护膜部分进一步包括：
6.根据权利要求5所述的euv光刻护膜，其中所述罩盖层包括硅(si)、硼(b)、锆(zr)、锌(zn)及钼(mo)中的至少一种，且进一步包括碳(c)、氮(n)及氧(o)中的至少一种。
7...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪朱憙，朴铁均，崔文洙，金东会，
申请(专利权)人：思而施技术株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。