用于平板显示器中的相移空白掩膜和光掩膜制造技术

本申请公开了一种用于平板显示器(FPD)中的相移空白掩膜，该相移空白掩膜包括位于透明衬底上的相移膜。相移膜包括控制曝光光线的透射率的透射衰减层和控制曝光光线的相移量的相移层。透射衰减层的组成比为50原子％至100原子％的铬(Cr)、0原子％至50原子％的氮(N)和0原子％至50原子％的碳(C)。相移层的组成比为10原子％至60原子％的铬(Cr)、0原子％至60原子％的氮(N)、0原子％至60原子％的氧(O)和0原子％至40原子％的碳(C)。对于365nm(i线)、405nm(h线)和436nm(g线)的复合波长的曝光光线，使各波长的透射率差异最小化至4％以下或2％以下。

【技术实现步骤摘要】
用于平板显示器中的相移空白掩膜和光掩膜
本公开涉及一种用于平板显示器中的相移空白掩膜和光掩膜，并且更具体而言，涉及一种用于具有相移膜的平板显示器中的相移空白掩膜和光掩膜，其中相移膜对于复合波长的曝光光线的各波长具有最小透射率偏差。
技术介绍
随着市场需求变得更为先进、功能性更高且多样化，诸如液晶显示器(LCD)或有机发光二极管(OLED)之类的平板显示器(FPD)已经扩展了其应用范围。因此，需要开发一种更便宜且具有优异生产率的制造工艺技术。换句话说，像高集成度的半导体装置那样，FPD装置也具有更高集成度，并且设计规则变得更为精细。为了形成精细图案，需要高图案分辨率和高精度技术。通常，通过使用其上形成有至少一个或多个金属层的空白掩膜形成光掩膜并对该光掩膜实施光刻工艺的方法来制造FPD面板。空白掩膜具有这样的结构，在该结构中，由合成石英玻璃等制成的透明衬底上形成有包含金属材料的薄膜和抗蚀膜，并且通过对空白掩膜上的薄膜进行图案化来形成光掩膜。这里，根据光学特性，可将薄膜分为遮光膜、抗反射膜、相移膜、半透射膜、反射膜等。在这些薄膜中，可组合使用两种或更多种薄膜。用于制造FPD装置的空白掩膜的各薄膜可以由包含铬(Cr)和金属硅化物(M-Si)化合物的各种材料制成。最近，已使用包括相移膜的相移空白掩膜来改进光掩膜的精度。相移膜使复合波长的曝光光线以及365nm(i线)、405nm(h线)和436nm(g线)的各个波长的相位偏移大约180°，并且由于在图案上产生的光的干涉和抵消效应而实现精细图案。相移膜的透射率根据曝光光线的波长而不同。当使用其中组合有多个波长的复合波长的曝光光线时，当根据波长而不同的透射率的差异大时，曝光的精度降低。因此，在使用复合波长的光掩膜的情况中，复合波长的曝光光线的各波长的透射率偏差应当尽可能小。现有的相移空白掩膜相对于365nm(i线)、405nm(h线)和436nm(g线)的复合波长带中的波长变化的透射率变化具有陡斜率，并且在短波长(365nm)与长波长(436nm)之间具有6％以上的透射率差异。因此，由于各波长的透射率差异导致的相移效应的误差，使得在形成精细图案方面存在限制。
技术实现思路
本公开提供了一种用于平板显示器中的相移空白掩膜和光掩膜，该相移空白掩膜和光掩膜能够通过形成相移膜以使365nm(i线)、405nm(h线)和436nm(g线)的复合波长的曝光光线的各波长的透射率差异最小化来生产高分辨率显示器。根据本公开的实施方案，用于平板显示器(FPD)中的相移空白掩膜包括位于透明衬底上的相移膜，其中相移膜包括控制曝光光线的透射率的透射衰减层以及控制曝光光线的相移量的相移层。透射衰减层可以由主要包含铬(Cr)并且包含氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成。透射衰减层的组成比可为50原子％至100原子％的铬(Cr)、0原子％至50原子％的氮(N)和0原子％至50原子％的碳(C)。透射衰减层可以由进一步包含氟(F)、氢(H)和硼(B)中的一种或多种轻元素的材料制成。透射衰减层的厚度可为至并且当将透射衰减层配置为多层时，各层的厚度可为至相移层可以由主要包含铬(Cr)并且包含氧(O)、氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成。相移层的组成比可为10原子％至60原子％的铬(Cr)、0原子％至60原子％的氮(N)、0原子％至60原子％的氧(O)和0原子％至40原子％的碳(C)。相移层的厚度可为至并且当将相移层配置为两层或更多层的多层时，各层的厚度可为至透射衰减层可包括形成于透明衬底上的第一透射衰减层以及形成于第一透射衰减层上的第二透射衰减层。第一透射衰减层可以由主要包含铬(Cr)并且包含氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成，并且第二透射衰减层可以由主要包含铬(Cr)并且包含氧(O)、氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成。具体而言，第一透射衰减层的组成比可为50原子％至100原子％的铬(Cr)、0原子％至30原子％的氮(N)和0原子％至30原子％的碳(C)，并且第二透射衰减层的组成比可为5原子％至50原子％的铬(Cr)、0原子％至70原子％的氮(N)、0原子％至70原子％的氧(O)和0原子％至50原子％的碳(C)。第一透射衰减层和第二透射衰减层中的至少任一者可以由进一步包含氟(F)、氢(H)和硼(B)中的一种或多种轻元素的材料制成。第一透射衰减层的厚度可为至并且第二透射衰减层的厚度可为至当将第一透射衰减层配置为多层时，各层的厚度可为至并且当将第二透射衰减层配置为多层时，各层的厚度可为至相移层可以由主要包含铬(Cr)并且包含氧(O)、氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成。相移层的组成比可为5原子％至50原子％的铬(Cr)、0原子％至60原子％的氮(N)、0原子％至60原子％的氧(O)和0原子％至40原子％的碳(C)。相移层的厚度可为至并且当将相移层配置为两层或更多层的多层时，各层的厚度可为至相移层可以由主要包含铬(Cr)并且进一步包含氮(N)、氧(O)、碳(C)、硼(B)、氟(F)和氢(H)中的一种或多种轻元素的材料制成。同时，相移膜可以由以下材料制成，该材料主要包含铬(Cr)并且包含钼(Mo)、钽(Ta)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、锆(Zr)、铌(Nb)、钯(Pd)、锌(Zn)、铝(Al)、锰(Mn)、镉(Cd)、镁(Mg)、锂(Li)、硒(Se)、铜(Cu)、铪(Hf)、钨(W)和硅(Si)中的至少任一种元素，或者进一步包含添加至上述至少任一种元素中的氮(N)、氧(O)和碳(C)中的至少一种元素。相移膜对于365nm至436nm的曝光光线的相移量可优选为160°至200°，并且相移量偏差可为40°以下。相移膜对于波长为365nm至436nm的曝光光线的透射率可优选为1％至30％，并且透射率偏差可为4％以下。相移空白掩膜可进一步包括除了相移膜之外的至少一种功能膜。这里，功能膜可为遮光膜、半透射膜和蚀刻停止膜中的至少一种。根据本公开，对于365nm(i线)、405nm(h线)和436nm(g线)的复合波长的曝光光线，使各波长的透射率差异最小化至4％以下或2％以下。因此，可以制造能够生产高分辨率显示器的、用于平板显示器中的相移空白掩膜和光掩膜。附图说明根据结合附图进行的以下描述，本公开的某些实施方案的以上和其他方面、特征和优点将变得更加显而易见。图1为示出根据本公开的第一实施方案的用于平板显示器(FPD)中的相移空白掩膜的图。图2为测定根据本公开的第一实施方案和比较例1的相移空白掩膜的各波长的透射光谱的曲线图。图3为示出根据本公开的第二实施方案的用于FPD中的相移空白掩膜的图。图4为测定根据本公开的第二实施方案和比较例2的相移空白掩膜的各波长的透射光谱的曲线图。具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于平板显示器(FPD)中的相移空白掩膜，该相移空白掩膜包括：/n位于透明衬底上的相移膜，/n其中所述相移膜包括：/n控制曝光光线的透射率的透射衰减层；以及/n控制所述曝光光线的相移量的相移层。/n

【技术特征摘要】
20191220 KR 10-2019-0171724;20191220 KR 10-2019-011.一种用于平板显示器(FPD)中的相移空白掩膜，该相移空白掩膜包括：
位于透明衬底上的相移膜，
其中所述相移膜包括：
控制曝光光线的透射率的透射衰减层；以及
控制所述曝光光线的相移量的相移层。


2.根据权利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述透射衰减层由主要包含铬(Cr)并且包含氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成。


3.根据权利要求2所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述透射衰减层的组成比为50原子％至100原子％的铬(Cr)、0原子％至50原子％的氮(N)和0原子％至50原子％的碳(C)。


4.根据权利要求2所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述透射衰减层由进一步包含氟(F)、氢(H)和硼(B)中的一种或多种轻元素的材料制成。


5.根据权利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述透射衰减层的厚度为至


6.根据权利要求5所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中当将所述透射衰减层配置为多层时，各层的厚度为至


7.根据权利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述相移层由主要包含铬(Cr)并且包含氧(O)、氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成。


8.根据权利要求7所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述相移层的组成比为10原子％至60原子％的铬(Cr)、0原子％至60原子％的氮(N)、0原子％至60原子％的氧(O)和0原子％至40原子％的碳(C)。


9.根据权利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述相移层的厚度为至


10.根据权利要求9所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中当将所述相移层配置为两层或更多层的多层时，各层的厚度为至


11.根据权利要求1所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述透射衰减层包括形成于所述透明衬底上的第一透射衰减层以及形成于所述第一透射衰减层上的第二透射衰减层。


12.根据权利要求11所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述第一透射衰减层由主要包含铬(Cr)并且包含氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成，并且
所述第二透射衰减层由主要包含铬(Cr)并且包含氧(O)、氮(N)和碳(C)中的一种或多种轻元素的材料制成。


13.根据权利要求12所述的用于FPD中的相移空白掩膜，其中所述第一透射衰减层的组成比为50原子％至100原子％的铬(Cr)、0原子％至30原子％的氮(N)和0原子％至30原子％的碳(C)，并且
所述第二透射衰减层的组成比为5原子％至50原子％的铬(Cr)、0原子％至7...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东建，孔钟奎，
申请(专利权)人：思而施技术株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR