相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法技术

一种相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法，是应用ArF准分子激光曝光光的半色调型的相移掩模，该相移掩模具有透明基板和半透光膜图案，该半透光膜图案形成于所述透明基板上且仅包含Si及N或者仅包含Si、N以及O，该半透光膜图案在ArF准分子激光曝光光的波长下的消光系数为0.2～0.45的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的折射率为2.3～2.7的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的透光率为15％～38％的范围内，膜厚为57nm～67nm的范围内，该半透光膜图案具有被晶片解析的主图案和辅助所述主图案的解析而不被晶片解析的辅助图案，所述辅助图案为凸状图案且具有60nm以下的宽度或深度。

【技术实现步骤摘要】
相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法本申请是分案申请，其母案申请的申请号：201480045458.7，申请日：2014.8.21，专利技术名称：掩模坯料、带有负型抗抗蚀膜的掩模坯料、相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法
本专利技术涉及一种用于制造半导体元件等的掩模坯料、相移掩模、及使用其的图案形成体的制造方法，更详细而言，涉及一种于使用应用波长193nm的ArF准分子激光曝光光的高NA曝光装置，将掩模图案转印至晶片的情况下，在光刻法中，可使转印特性变得优异，且使ArF准分子激光曝光耐光照射性、及耐清洗性变高的掩模坯料、带有负型抗抗蚀膜的掩模坯料、相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法。
技术介绍
作为提高光刻法所使用的相移掩模中的分辨率的方案，已知有由使光穿透的部分与使光半穿透的部分构成的半色调型相移掩模。并且，作为此种半色调型相移掩模的代表例，已知有使用MoSi膜作为半透光膜的透光率为6％的半色调型相移掩模。并且，在半色调型相移掩模中，若形成于晶片上的配线的间距变得微细，则作为构成使光半穿透的部分的半透光膜，要求其具有E本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相移掩模，其特征在于，其是应用ArF准分子激光曝光光的半色调型的相移掩模，/n该相移掩模具有透明基板和半透光膜图案，该半透光膜图案形成于所述透明基板上、且仅包含Si及N或者仅包含Si、N以及O，/n所述半透光膜图案在ArF准分子激光曝光光的波长下的消光系数为0.2～0.45的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的折射率为2.3～2.7的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的透光率为15％～38％的范围内，进而膜厚为57nm～67nm的范围内，/n所述半透光膜图案具有被晶片解析的主图案和辅助所述主图案的解析而不被晶片解析的辅助图案，/n所述辅助图案为凸状图案且具有60nm以下的宽...

【技术特征摘要】
20130821 JP 2013-171766;20140328 JP 2014-0703051.一种相移掩模，其特征在于，其是应用ArF准分子激光曝光光的半色调型的相移掩模，
该相移掩模具有透明基板和半透光膜图案，该半透光膜图案形成于所述透明基板上、且仅包含Si及N或者仅包含Si、N以及O，
所述半透光膜图案在ArF准分子激光曝光光的波长下的消光系数为0.2～0.45的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的折射率为2.3～2.7的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的透光率为15％～38％的范围内，进而膜厚为57nm～67nm的范围内，
所述半透光膜图案具有被晶片解析的主图案和辅助所述主图案的解析而不被晶片解析的辅助图案，
所述辅助图案为凸状图案且具有60nm以下的宽度或深度。


2.如权利要求1所述的相移掩模，其特征在于，
所述半透光膜图案直接形成于所述透明基板上。


3.如权利要求1所述的相移掩模，其特征在于，
所述相移掩模为负型的相移掩模。


4.如权利要求1所述的相移掩模，其特征在于，其还具有遮光膜图案，该遮光膜图案形成于所述半透光膜图案上、且ArF准分子激光曝光光的波长下的光学密度即OD值被调整为在与所述半透光膜图案合在一起后成为所需的光学密度即OD值。


5.如权利要求4所述的相移掩模，其特征在于，
所述遮光膜图案具有包含光吸收层图案的单层结构，所述光吸收层图案形成于所述半透光膜图案上、且具有对所述半透光膜图案的蚀刻阻障功能及对Ar...

【专利技术属性】
技术研发人员：安达俊，三浦阳一，高见泽秀吉，早野胜也，大川洋平，渡边浩司，谷绚子，
申请(专利权)人：大日本印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP