发光二极管制造技术

一种发光二极管，包括基座、固定于基座上的第一发光芯片及第二发光芯片、覆盖第一发光芯片及第二发光芯片的封装体，还包括第一导线、与第一导线分离的第二导线及固定于基座上的支撑件，支撑件与第一发光芯片之间的距离以及支撑件与第二发光芯片之间的距离均小于第一发光芯片至第二发光芯片的距离，第一发光芯片通过第一导线连接至支撑件，第二发光芯片通过第二导线连接至支撑件，第一导线与第二导线在支撑件上导通。该发光二极管可有效避免由于导线过程而导致的塌陷问题，从而确保发光二极管的正常发光。

light-emitting diode

A light emitting diode package includes a base, fixed on the base of the first luminous chip and a light emitting chip two, covering the first two luminous chip and a light emitting chip, also includes a first conductor, second conductor and the first wire separation and fixed on the base support, between the support between the parts and the first light emitting chip distance and a supporting member and a second light emitting chip distance was less than the first light emitting chip to second luminous chip from the first luminous chip through the first wire connected to the support member second luminous chip through second wire connected to the support member, the first and second conductors in support of conducting. The light-emitting diode can effectively avoid the collapse problem caused by the lead process, thereby ensuring the normal luminescence of the led.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光装置，特别是指一种发光二极管。
技术介绍
发光二极管作为新兴的光源，已被广泛地应用于各种用途当中。当前有发光二极管设计成长条形以适应某些产品的特定需求。此种长形的发光二极管内部通常是集成有多个发光芯片，以产生较高的光通量。这些发光芯片通过金线将各自的电极串接之后再与发光二极管的引脚连接，从而实现与外界电源的导通。由于发光二极管的长度较大，导致各发光芯片之间的距离也较大，因而连接相邻发光芯片的金线也必须具有足够的长度。然而，导线过长将容易导致在打线过程中由于导线自身过重而发生塌陷的情况，导致发光二极管的损坏。
技术实现思路
因此，有必要提供一种不易发生损坏的发光二极管。一种发光二极管，包括基座、固定于基座上的第一发光芯片及第二发光芯片、覆盖第一发光芯片及第二发光芯片的封装体，还包括第一导线、与第一导线分离的第二导线及固定于基座上的支撑件，支撑件与第一发光芯片之间的距离以及支撑件与第二发光芯片之间的距离均小于第一发光芯片至第二发光芯片的距离，第一发光芯片通过第一导线连接至支撑件，第二发光芯片通过第二导线连接至支撑件，第一导线与第二导线在支撑件上导通。由于在基座上形成支撑件，并通过二导线分别将二发光芯片经由支撑件进行连接，因此，通过上述采用化整为零的方式，避免使用一条较长的导线来完成两个距离较远的发光芯片之间的电连接，进而防止打线过程中由于导线过长而出现的塌陷的情况。下面参照附图，结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。附图说明图1示出了本专利技术第一实施例的发光二极管的俯视图。图2为图1的发光二极管的剖视图。图3为图2中发光二极管的支撑件的放大图。图4为图3的俯视图。图5为本专利技术第二实施例的发光二极管的俯视图。图6为图5的发光二极管的剖视图。图7为图6中发光二极管的支撑件的放大图。图8为图7的俯视图。主要元件符号说明发光二极管10基座20第一引脚22第二引脚24绝缘带26第一发光芯片30电极32第二发光芯片40电极42导线50第一导线51第二导线53第三导线55第四导线57侧壁60封装体70支撑件80、80a接垫81N型层82导电层83、83aP型层84绝缘块85a接合层86、86a绝缘层88接线90如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1-2，示出了本专利技术第一实施例的发光二极管10。发光二极管10包括一基座20、固定于基座20上的一第一发光芯片30及一第二发光芯片40、连接第一发光芯片30及第二发光芯片40的若干导线50、围设第一发光芯片30及第二发光芯片40的侧壁60及覆盖第一发光芯片30及第二发光芯片40的封装体70。基座20包括一第一引脚22、一与第一引脚22隔开的第二引脚24及连接第一引脚22及第二引脚24的绝缘带26。该第一引脚22及第二引脚24优选采用铜、铝等导电金属材料制成。第一引脚22及第二引脚24均呈梯形，且二者以梯形的斜边相对的方式相向排列。绝缘带26置于第一引脚22及第二引脚24之间以使第一引脚22及第二引脚24彼此电绝缘。该第一发光芯片30及第二发光芯片40分别固定于第一引脚22及第二引脚24的顶面。第一发光芯片30及第二发光芯片40可采用相同或不同的半导体发光材料制成，如氮化镓、氮化铟镓、砷化镓等。优选地，本专利技术的第一发光芯片30及第二发光芯片40均采用氮化镓制成，以发出相同波长的蓝光。本实施例中，第一发光芯片30及第二发光芯片40均为二电极32、42位于发光芯片同侧的水平式发光芯片。可以理解地，第一发光芯片30及第二发光芯片40也可均为二电极32、42分别位于发光芯片上下两侧的垂直式发光芯片，或者其中之一者为垂直式发光芯片，另一者为水平式发光芯片。该第一发光芯片30及第二发光芯片40通过导热胶(图未示)等材料分别粘结于第一引脚22及第二引脚24上，以将热量通过导热胶传递至第一引脚22及第二引脚24。侧壁60固定于第一引脚22及第二引脚24顶面靠近外侧的区域上。侧壁60环绕第一发光芯片30及第二发光芯片40。侧壁60的内侧壁面成倾斜状，以将第一发光芯片30及第二发光芯片40发出的光线朝上反射，以增加发光二极管10的出光效率。请一并参阅图3-4，一支撑件80固定于第一引脚22顶面。本实施例中，该支撑件80为一齐纳二极管，其包括一N型层82及一P型层84。该P型层84位于N型层82所形成的一沟槽内。该P型层84的顶部与N型层82的顶部共面。该支撑件80的N型层82底部通过一接合层86固定于第一引脚22的顶面。一绝缘层88形成于N型层82顶面及P型层84顶面。绝缘层88完全覆盖N型层82顶面，并部分覆盖P型层84顶面。该绝缘层88在P型层84的顶面开设一开口而暴露出部分P型层84。一接垫81形成于绝缘层88上并覆盖开口，从而与暴露出来的部分P型层84连接。齐纳二极管的N型层82通过接合层86与第一引脚22电连接，P型层84通过一接线90经由接垫81与第二引脚24电连接。由此，齐纳二极管可通过发光二极管10的第一引脚22及第二引脚24进行供电，以对第一发光芯片30及第二发光芯片40起到静电防护的作用。这些导线50包括一第一导线51、一第二导线53、一第三导线55及一第四导线57。第三导线55将第一发光芯片30的一电极32连接至第一引脚22，第四导线57将第二发光芯片40的一电极42连接至第二引脚24。第一导线51将第一发光芯片30的另一电极32连接至支撑件80，第二导线53将第二发光芯片40的另一电极42也连接至支撑件80。第一导线51及第二导线53通过一形成于支撑件80的绝缘层88上的导电层83相连接。由此，第一发光芯片30及第二发光芯片40通过第一导线51、第二导线53及导电层83串接，经由第一引脚22输入的电流可流经第一发光芯片30及第二发光芯片40从第二引脚24输出，从而激发第一发光芯片30及第二发光芯片40发光。由于采用分段式的导线50对第一发光芯片30及第二发光芯片40进行连接，因此可避免由于单条导线过长而引起的打线塌陷的问题。并且，采用分段式导线50还可以有效解决由于长导线弯曲而带来的高度过大的问题，因此发光二极管10的整体厚度可进一步地减小，以适应轻薄化产品的需求。封装体70覆盖第一发光芯片30、第二发光芯片40、导线50及接线90，以保护这些元件，使其避免受到外界环境的影响。封装体70由透光性材料制成，如环氧树脂、玻璃、硅胶等等。封装体70与侧壁60的内侧壁面接合，并覆盖住第一引脚22、第二引脚24及绝缘带26暴露出的区域。优选地，封装体70内还可掺杂荧光粉(图未示)，以改变第一发光芯片30及第二发光芯片40的出光颜色。荧光粉可为钇铝石榴石材料制成，以将第一发光芯片30及第二发光芯片40的蓝光转换为黄光，进而混合出白光射出发光二极管10。可以理解地，如图5-8所示，支撑件80a还可以为一单纯的绝缘块85a，其底部通过一接合层86a固定于第一引脚22顶面，顶面形成一导电层83a以连接第一导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括基座、固定于基座上的第一发光芯片及第二发光芯片及覆盖第一发光芯片及第二发光芯片的封装体，其特征在于：还包括第一导线、与第一导线分离的第二导线及固定于基座上的支撑件，支撑件与第一发光芯片之间的距离以及支撑件与第二发光芯片之间的距离均小于第一发光芯片至第二发光芯片的距离，第一发光芯片通过第一导线连接至支撑件，第二发光芯片通过第二导线连接至支撑件，第一导线与第二导线在支撑件上导通。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括基座、固定于基座上的第一发光芯片及第二发光芯片及覆盖第一发光芯片及第二发光芯片的封装体，其特征在于：还包括第一导线、与第一导线分离的第二导线及固定于基座上的支撑件，支撑件与第一发光芯片之间的距离以及支撑件与第二发光芯片之间的距离均小于第一发光芯片至第二发光芯片的距离，第一发光芯片通过第一导线连接至支撑件，第二发光芯片通过第二导线连接至支撑件，第一导线与第二导线在支撑件上导通。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：基座包括第一引脚、第二引脚及连接第一引脚及第二引脚的绝缘带。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：支撑件顶部具有导电层，第一导线与第二导线通过导电层导通。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：支撑件包括齐纳二极管，齐纳二极管的顶部通过绝缘层连接导电层。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈隆欣，陈滨全，曾文良，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44