一种上电复位电路制造技术
Power on reset circuit
The invention provides a power on reset circuit, belonging to the technical field of semiconductor integrated circuits. The circuit comprises a bias current generating module and a power on reset module, wherein the output of the bias current generating module is connected with the input IN of the electric reset module UOUT1. The bias current generation circuit generates an accurate bias current, and then uses this bias current to charge the capacitor, resulting in an accurate reset delay to meet the requirements of the high-precision system.
【技术实现步骤摘要】
一种上电复位电路
本专利技术属于半导体集成电路
，具体涉及一种上电复位电路。
技术介绍
上电复位电路在电路上电期间产生复位信号对系统进行复位，在很多高精度系统中，对系统复位信号和电源电压信号之间的延时有严格的要求，而目前的上电复位电路都只是会产生一个上电延时，而这个延时的精度都非常的低，已经无法满足高精度系统的要求。
技术实现思路
为解决现有上电复位电路的复位延时不精确的技术问题，本专利技术提供了一种精确度高的上电复位电路。一种上电复位电路，包括：偏置电流产生模块和上电复位模块，偏置电流产生模块的输出UOUT1接上电复位模块的输入IN。进一步的，所述偏置电流产生模块包括：由第一PMOS晶体管P1、第一NMOS晶体管N1和第二NMOS晶体管N2构成的启动电路以及第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和第一电阻R1构成的偏置电流电路；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极相连并与第一NMOS晶体管N1的漏极和第二NMOS晶体管N2的栅极相接；第一NMOS晶体管N1的源极接地，栅极与第四NMOS晶体管N4...
【技术保护点】
一种上电复位电路，其特征在于，包括偏置电流产生模块和上电复位模块，偏置电流产生模块的输出UOUT1接上电复位模块的输入IN。
【技术特征摘要】
1.一种上电复位电路，其特征在于，包括偏置电流产生模块和上电复位模块，偏置电流产生模块的输出UOUT1接上电复位模块的输入IN。2.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于：所述偏置电流产生模块包括：由第一PMOS晶体管P1、第一NMOS晶体管N1和第二NMOS晶体管N2构成的启动电路以及第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和第一电阻R1构成的偏置电流电路；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极相连并与第一NMOS晶体管N1的漏极和第二NMOS晶体管N2的栅极相接；第一NMOS晶体管N1的源极接地，栅极与第四NMOS晶体管N4的栅极相接；第二NMOS晶体管N2的源极接地，漏极接第二PMOS管P2的漏极及第三NMOS管N3的漏极；第二PMOS晶体管P2的源极接电源，栅极和漏极连接并接第三PMOS晶体管P3的栅极；第三PMOS晶体管P3的源...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长沙方星腾电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43
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