半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置。根据本发明专利技术的半导体装置具有电容DAC(数模转换器)电路以及比较器。所述电容DAC电路包括：第一电容器，向其给予输入信号并且第一电容器中每个电容器均具有对应于待转换的位的权重的电容值；以及第二电容器，向其给予公共电压并且其电容值之和与所述第一电容器的电容值相等。进一步，所述第二电容器包括：冗余位电容器，其具有对应于冗余位的权重的电容值；以及调整电容器，调整电容器中每个电容器均具有通过从所述第二电容器的电容值之和中减去所述冗余位电容器的电容值所得的电容值。

Semiconductor device

The invention relates to a semiconductor device. The semiconductor device according to the present invention has a capacitor DAC (digital to analog converter) circuit, and a comparator. The DAC circuit includes a first capacitor capacitor capacitor, given input signal and each of the first capacitor in the capacitor has to be converted to the corresponding to the value of the weight to it; and a second capacitor voltage and the capacitance to the public and the first capacitor capacitance value is equal to the. Further, the second capacitor includes redundant bit capacitors, the capacitor is corresponding to the weight of redundancy value; and adjusting the capacitor, adjust each capacitor capacitor capacitor has passed from the second capacitor capacitance value and subtracting the value of the redundancy electric container the capacitance value.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用2016年3月7日提交的日本专利申请号2016-043276的包括说明书、附图和摘要的公开以其全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及一种半导体装置，例如涉及一种包括模数转换电路的半导体装置。
技术介绍
在半导体装置中，为在数字电路中执行有关模拟信号的处理，使用模数转换电路，其将模拟信号的模拟值转换成数字值。一种类型的模数转换电路是逐次比较型模数转换电路。在逐次比较型模数转换电路中，存在执行冗余比较操作以校正由各种噪音和趋稳误差所致的误判的情况。因此，非专利文献1公开了执行冗余比较操作的模数转换电路的示例。关于非专利文献1的模数转换电路，以差分信号给出输入信号，并且提供比较器以及两个布线，由这两个布线将差分信号传递至比较器。就此而言，在非专利文献1的模数转换电路中，一些电容器具有对应于相同权重的电容等等，并且使用该相同电容变化的静电电容器中的一个来执行冗余比较处理。然后，通过执行这种冗余比较处理，非专利文献1的模数转换电路校正误判。[非专利文献][非专利文献1]C.C.Liu，“A10b100messagestore/s1.13mWSARADCwith本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：比较器，所述比较器基于待输入到两个输入端子的电压电平之间的相对大小关系，切换输出信号的逻辑电平；第一比较布线，所述第一比较布线与所述比较器的一个端子耦合；第二比较布线，所述第二比较布线与所述比较器的另一个端子耦合；输入布线，向所述输入布线发送输入信号；多个第一电容器，所述多个第一电容器中的每个的一端均与所述第一比较布线耦合，所述多个第一电容器在开始转换处理时采样输入信号，并且所述多个第一电容器中的每个均具有与待转换的位的权重相对应的电容值；以及多个第二电容器，所述多个第二电容器中的每个的一端均与所述第二比较布线耦合，并且所述多个第二电容器的电容值之和与所述第一电容器的电容...

【技术特征摘要】
2016.03.07 JP 2016-0432761.一种半导体装置，包括：比较器，所述比较器基于待输入到两个输入端子的电压电平之间的相对大小关系，切换输出信号的逻辑电平；第一比较布线，所述第一比较布线与所述比较器的一个端子耦合；第二比较布线，所述第二比较布线与所述比较器的另一个端子耦合；输入布线，向所述输入布线发送输入信号；多个第一电容器，所述多个第一电容器中的每个的一端均与所述第一比较布线耦合，所述多个第一电容器在开始转换处理时采样输入信号，并且所述多个第一电容器中的每个均具有与待转换的位的权重相对应的电容值；以及多个第二电容器，所述多个第二电容器中的每个的一端均与所述第二比较布线耦合，并且所述多个第二电容器的电容值之和与所述第一电容器的电容值之和相等，其中，所述第二电容器包括：冗余位电容器，所述冗余位电容器具有与冗余位的权重相对应的电容值，以及调整电容器，所述调整电容器具有通过从所述第一电容器的电容值之和中减去所述冗余位电容器的电容值所得的电容值。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电容器包括具有与所述冗余位的权重相对应的电容值的电容器。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述冗余位电容器包括具有与不同权重相对应的电容值的电容器。4.根据权利要求1所述的半导体装置，包括：多个第一开关，所述多个第一开关中的每个均被提供给所述第一电容器中的每个，每个第一开关选择所述输入信号、高电位侧基准电压、以及低电位侧基准电压中的一个，并且将其给到对应的第一电容器；以及第二开关，所述第二开关被提供给所述冗余位电容器，所述第二开关选择公共电压、所述高电位侧基准电压、以及所述低电位侧基准电压中的一个，并且将其给到所述冗余位电容器的另一端，其中，通过公共电压供应切换开关，将公共电压给到所述第一比较布线以及所述第二比较布线。5.根据权利要求1所述的半导体装置，包括：多个第一开关，所述多个第一开关中的每个均被提供给所述第一电容器中的每个，每个第一开关选择所述输入信号、高电位侧基准电压、以及低电位侧基准电压中的一个，并且将其给到对应的第一电容器；以及在所述冗余位电容器的另一端处，设置第二开关，所述第二开关选择公共电压、所述高电位侧基准电压、以及所述低电位侧基准电压中的一个，并且将其给到所述冗余位电容器的所述另一端，其中，通过采样开关，将所述输入信号给到所述第一比较布线，以及其中，通过公共电压供应切换开关，将公共电压给到所述第二比较布线。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述调整电容器包括：第一调整电容器，所述第一调整电容器具有通过将所述第二电容器的电容值的和除以二所得的电容值；以及第二调整电容器，所述第二调整电容器具有通过从所述第二电容器的电容值的和中减去所述第一调整电容器的电容值与所述冗余位电容器的电容值之和所得的电容值，其中，分别向所述第一调整电容器的另一端和所述第二调整电容器的另一端提供第二开关，所述第二开关中的每个均选择公共电压、高电位侧基准电压、以及低电位侧基准电压中的一个，并且将其给出。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，向所述调整电...

【专利技术属性】
技术研发人员：船户是宏，森本康夫，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP