OLED显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，OLED显示基板，包括位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列层、第一电极、像素界定层、有机发光层和第二电极，所述像素界定层限定出多个亚像素区域，环绕亚像素区域设置有反光结构，所述反光结构能够反射所述有机发光层发出的位于出射锥外的光线，使至少部分所述光线进入出射锥。本发明专利技术的技术方案能够提高OLED显示装置的出光效率。

OLED display substrate, manufacturing method thereof and display device

The invention provides a OLED display base board, a manufacturing method thereof and a display device, belonging to the display technology field. The OLED display substrate includes a substrate on the thin film transistor array layer, a first electrode and a pixel defining layer, the organic light emitting layer and the second electrode, the pixel defining layer defines a plurality of sub pixel regions around the sub-pixel area is provided with a reflective structure, the reflector structure can reflect the organic light emitting layer from the exit is located in the cone of light, so that at least a portion of the light entering the exit cone. The technical proposal of the invention can improve the luminous efficiency of the OLED display device.

【技术实现步骤摘要】
OLED显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
构成OLED(有机电致发光二极管)器件的各膜层包括有机发光(organicElectroluminescence，OEL)层、透明电极和基板等材料膜层，这些膜层的折射率均高于空气的折射率。由于全反射原因，有机发光层发出的光线中只有在设定出光方向上各界面入射角小于全反射角的部分可以直接出射。某一发光点(或次级光源点)可以经过各膜层界面出射的光线方向角度构成一个锥形，被称为出射锥(escapecone)。在底发射(BottomEmission，BE)模式的OLED器件中，光线方向在出射锥以内的光线可以直接出射，光线方向在出射锥以外的部分会在不同的界面发生全反射，以波导(WaveGuide)模式在相应膜层中传输，这些波导模式的光线的比例经常会大于直接出射的光线，严重影响了OLED器件的出光效率的提升。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高OLED显示装置的出光效率。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示基板，包括位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列层、第一电极、像素界定层、有机发光层和第二电极，所述像素界定层限定出多个亚像素区域，其特征在于，环绕亚像素区域设置有反光结构，所述反光结构能够反射所述有机发光层发出的位于出射锥外的光线，使至少部分所述光线进入所述出射锥。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示基板，包括位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列层、第一电极、像素界定层、有机发光层和第二电极，所述像素界定层限定出多个亚像素区域，其特征在于，环绕亚像素区域设置有反光结构，所述反光结构能够反射所述有机发光层发出的位于出射锥外的光线，使至少部分所述光线进入所述出射锥。2.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，环绕亚像素区域形成有凹槽结构，所述反光结构为形成在所述凹槽结构的侧壁上的反光层。3.根据权利要求2所述的OLED显示基板，其特征在于，所述凹槽结构形成在所述像素界定层上，所述凹槽结构的深度不大于所述像素界定层的厚度。4.根据权利要求2所述的OLED显示基板，其特征在于，所述环绕亚像素区域形成有所述薄膜晶体管阵列层和位于所述薄膜晶体管阵列层上的像素界定层，所述凹槽结构形成在环绕亚像素区域的所述薄膜晶体管阵列层和所述像素界定层组成的叠层结构上，所述凹槽结构的深度大于所述像素界定层的厚度且不大于所述像素界定层和所述薄膜晶体管阵列层的厚度之和。5.根据权利要求2所述的OLED显示基板，其特征在于，所述环绕亚像素区域形成有所述薄膜晶体管阵列层和位于所述薄膜晶体管阵列层上的像素界定层，所述凹槽结构形成在所述环绕亚像素区域的所述衬底基板、所述薄膜晶体管阵列层和所述像素界定层组成的叠层结构上，所述凹槽结构的深度大于所述薄膜晶体管阵列层和所述像素界定层的厚度之和且小于所述像素界定层、所述薄膜晶体管阵列层和所述衬底基板的厚度之和。6.根据权利要求2-5中任一项所述的OLED显示基板，其特征在于，所述第一电极为透明电极，所述第二电极为反光金属电极，所述反光层与所述第二电极采用相同的材料制成。7.根据权利要求2-5中任一项所述的OLED显示基板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：皇甫鲁江，樊星，王丹，许晓伟，李良坚，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11