平板显示装置及其Top-OLED制造方法及图纸

技术编号:16218367 阅读:45 留言:0更新日期:2017-09-16 00:47
本发明专利技术提供一种平板显示装置及其Top‑OLED,该Top‑OLED包括发光单元和设于发光单元光输出面的光输出耦合单元,光输出耦合单元包括自发光单元光输出面依次层叠设置的第一光输出耦合层和第二光输出耦合层,其中第一光输出耦合层的折射率大于第二光输出耦合层折射率。本发明专利技术提供的平板显示装置及其Top‑OLED由于在出光面设有折射率渐小的光输出耦合层,提高了OLED器件外量子效率,有利于增加光输出效果。

Flat panel display device and Top OLED

The invention provides a flat panel display device and Top OLED, the Top OLED includes a light emitting element and a light emitting unit transmission light output coupling unit to the light output coupling unit includes a light emitting unit from the light output surface sequentially disposed the first light output coupling layer and second light output coupling layer, wherein the first light refraction the output coupling layer was more than second light output coupling layer refractive index. The invention provides a flat panel display device and Top OLED with the refractive index of the light output coupling layer gradually smaller in smooth, improve the external quantum efficiency of OLED devices, to increase light output effect.

【技术实现步骤摘要】
平板显示装置及其Top-OLED
本专利技术涉及显示器
,特别涉及一种平板显示装置及其Top-OLED。
技术介绍
OLED应用于平板显示(FlatPanelDisplay,FDP)领域,与目前主流的显示技术,液晶显示(LiquidCrystalDisplay,LCD)相比,具备了许多不可比拟的优势,因此它也一直被业内人士所看好。OLED器件内量子效率随着磷光材料的发展,可达到近乎100%,而外量子效率却由于器件结构本身及其材料只有20~50%,大部分光子都由于材料的吸收和全反射效应耗散于器件内部,这不仅使得器件的发光效率无法大幅提高,而且光子在器件内部的存在也会使得有机材料容易老化而缩短寿命。因此,减少器件内部的光损耗、提高OLED器件外量子效率是非常重要的。提高OLED出光耦合效率常用的方法有微腔结构、增加介质层、改变表面结构等。采用微腔结构可以使得器件的外量子效率相比于传统结构提高1.6倍;利用散射层设计理论,增加高折射率的介质层,器件出光率可增加约40%;还可以在ITO玻璃背面布置了微透镜阵列,理论上可使得器件的出光耦合效率提高约50%。但是利用微腔效应容易使得器件的视本文档来自技高网...
平板显示装置及其Top-OLED

【技术保护点】
一种Top‑OLED,其特征在于,所述Top‑OLED包括发光单元和设于所述发光单元光输出面的光输出耦合单元,所述光输出耦合单元包括自所述发光单元光输出面依次层叠设置的第一光输出耦合层和第二光输出耦合层,其中所述第一光输出耦合层的折射率大于所述第二光输出耦合层折射率。

【技术特征摘要】
1.一种Top-OLED,其特征在于,所述Top-OLED包括发光单元和设于所述发光单元光输出面的光输出耦合单元,所述光输出耦合单元包括自所述发光单元光输出面依次层叠设置的第一光输出耦合层和第二光输出耦合层,其中所述第一光输出耦合层的折射率大于所述第二光输出耦合层折射率。2.根据权利要求1所述的Top-OLED,其特征在于,所述光输出耦合单元进一步包括层叠设置于所述第二光输出耦合层上的第三光输出耦合层,所述第二光输出耦合层的折射率大于所述第三光输出耦合层折射率。3.根据权利要求1所述的Top-OLED,其特征在于,所述第一光输出耦合层采用折射率为1.75以上的有机或无机材料。4.根据权利要求1所述的Top-OLED,其特征在于,所述第一光输出耦合层采用NPB、ZnS、ZnSe、ITO或IZO。5.根据权利要求1所述的Top-OLED,其特征在于,所述第二光输出耦合层采用折射率为1.4至1.7...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁伟
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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