一种双面发光LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种双面发光LED芯片，包括：具有第一和第二表面的透明衬底，两个表面经过抛光或图形化处理；第一和第二表面外延生长第一和第二芯片外延结构层，第一芯片外延结构层包括第一P型半导体层和第一N型半导体层，第二芯片外延结构层包括第二P型半导体层和第二N型半导体层；第一芯片外延结构层上设置有P型电流扩散层，P型电流扩散层上设置有一小面积第一P型电极，第一N型半导体层上设置有一第一N型电极；第二芯片外延结构层的第二P型半导体层上设置有一大面积第二P型电极，第二N型半导体层上设置有一第二N型电极。通过对透明衬底片的上下表面进行发光外延结构制备，可以双面发光，提高了出光效率，改变封装模式提高散热。

Double face luminous LED chip and manufacturing method thereof

The invention discloses a double-sided light emitting LED chip, including having a first and a second surface of the transparent substrate, the two surface after polishing or graphic processing; the first and the second surface of the epitaxial growth of the first and second chip epitaxial structure layer, epitaxial layer comprises a first chip structure of a P type semiconductor layer and the first N type semiconductor layer the second chip, the epitaxial structure layer includes second P type semiconductor layer and a second N type semiconductor layer; epitaxial structure layer is arranged on the first chip type P current diffusion layer, P type current diffusion layer is provided with a small area of the first P type electrode, a first N type semiconductor layer is provided with a first electrode type N; second P type semiconductor epitaxial layer structure layer second chip is provided with a large area of second P type electrode, second N type semiconductor layer is provided with a second N type electrode. The light emitting epitaxial structure of the upper and lower surfaces of the transparent substrate is prepared to emit light on both sides, thereby improving the light emitting efficiency, changing the packaging mode and improving the heat dissipation.

【技术实现步骤摘要】
一种双面发光LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及一种LED芯片，具体地涉及一种双面发光LED芯片及其制作方法。
技术介绍
在现有的LED封装技术中，通常是将单面发光的芯片正装在散热基板或者散热支架上，单面发光的芯片通常是在蓝宝石衬底的一个面进行PN结结构的制作，然后通过电极制作，金属引线的方式正装到散热基板上，也有通过倒装的方式，将芯片上的电极倒装焊接到散热基板上的。但总而言之，芯片的发光面单一，出光效率不高。中国专利文献CN204696145公开了一种双面发光LED芯片，包括衬底以及位于衬底上的外延结构，所述外延结构包括位于衬底上的N型半导体层、位于N型半导体层上且相互分离设置的第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层、以及分别位于第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层上的第一P型半导体层和第二P型半导体层，所述N型半导体层上设置有N电极，所述第一P型半导体层和第二P型半导体层上分别设置有第一P电极和第二P电极。通过在同一衬底上形成两个相互分离的LED发光个体，通过一组芯片实现LED双面发光效果，该种方法从严格意义上来讲还是单面发光，虽然可以从一定程度上提高发光效率，但是散热效果差本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面发光LED芯片，其特征在于，包括：一透明衬底，由透明材料制成，具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面，所述第一表面和第二表面经过抛光或图形化处理；一第一芯片外延结构层，外延生长于第一表面；一第二芯片外延结构层，外延生长于第二表面；所述第一芯片外延结构层和所述第二芯片外延结构层对称分布，所述第一芯片外延结构层包括第一P型半导体层和第一N型半导体层，所述第二芯片外延结构层包括第二P型半导体层和第二N型半导体层；所述第一芯片外延结构层上设置有P型电流扩散层，所述P型电流扩散层上设置有一小面积第一P型电极，所述第一N型半导体层上设置有一第一N型电极；所述第二芯片外延结构层的第二P型半导...

【技术特征摘要】
1.一种双面发光LED芯片，其特征在于，包括：一透明衬底，由透明材料制成，具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面，所述第一表面和第二表面经过抛光或图形化处理；一第一芯片外延结构层，外延生长于第一表面；一第二芯片外延结构层，外延生长于第二表面；所述第一芯片外延结构层和所述第二芯片外延结构层对称分布，所述第一芯片外延结构层包括第一P型半导体层和第一N型半导体层，所述第二芯片外延结构层包括第二P型半导体层和第二N型半导体层；所述第一芯片外延结构层上设置有P型电流扩散层，所述P型电流扩散层上设置有一小面积第一P型电极，所述第一N型半导体层上设置有一第一N型电极；所述第二芯片外延结构层的第二P型半导体层上设置有一大面积第二P型电极，所述第二N型半导体层上设置有一第二N型电极。2.根据权利要求1所述的双面发光LED芯片，其特征在于，所述透明衬底由蓝宝石、氮化镓、氮化铝中的一种或者多种合成。3.根据权利要求1所述的双面发光LED芯片，其特征在于，所述透明衬底的厚度为100～650微米。4.根据权利要求1所述的双面发光LED芯片，其特征在于，所述P型电流扩散层由铟锡氧化物、氟锡氧化物、钡锡氧化物或石墨烯中的一种或者多种合成。5.一种双面发光LED芯片的封装结构，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的双面发光LED芯片和封装基板，所述封装基板包括电路层，所述电路层设置有第二正电极、第二负电极、第一正电极和第一负电极，所述第一正电极和第一负电极分别设置在第二正电极和第二负电极的两侧，所述第二P型电极焊接于第二正电极，所述第二N型电极焊接于第二负电极，所述第一P型电极和第一N型电极分别通过金属引线连接第一正电极和第一负电极，所述双面发光LED芯片的外围通过硅胶或者环氧树脂包裹...

【专利技术属性】
技术研发人员：王峰，
申请(专利权)人：苏州瑞而美光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32