一种衬底扩散片的制造工艺制造技术

本发明专利技术公开一种衬底扩散片的制造工艺，包括以下步骤：S1：选取单晶片，给每个单晶片刻上号码，以方便后面工艺的追溯性；S2：将刻号后的单晶片放置氢、氧气环境中进行衬底氧化；S3：在单晶片的非刻号面上进行匀胶、前烘和坚膜；S4：将单晶片放置于纯氢氟酸溶液中，去除氧化层；S5：将单晶片从纯氢氟酸溶液中取出，去除单晶片非刻号面的光刻胶，经过清洁处理后进行衬底磷预散；S6：将单晶片进行衬底第二次氧化；S7：将单晶片进行衬底第二次磷扩散；S8：将单晶片放置于纯氢氟酸溶液中进行漂光；S9：将漂光后单晶片的高阻面进行减薄和抛光，最后得到所需产品，本发明专利技术解决了现有技术中基材损耗大、硅片厚度均匀性差的技术问题。

Process for manufacturing substrate diffusion sheet

The invention discloses a manufacturing process of the substrate diffusion sheet, which comprises the following steps: S1: selection of single chip, for each single moment on the number, with convenient traceability technology behind S2: substrate oxidation; single chip, will be placed after the hydrogen and oxygen environment; S3: non uniform plastic, in no single moment on the surface of the wafer before drying and hardening; S4: single chip placed in pure hydrofluoric acid solution, removing the oxide layer; S5: remove the chip from the pure hydrofluoric acid solution, the removal of single chip, the non moment photoresist, after the cleaning process after the substrate pre phosphorus powder; S6: the second single chip to substrate oxidation; S7: single chip substrate second phosphorus diffusion; S8: single chip placed in pure hydrofluoric acid solution of bleach light; S9: light bleaching high resistance surface of wafer thinning and polishing, the last The invention solves the technical problems of large substrate loss and poor uniformity of silicon wafer thickness in the prior art.

【技术实现步骤摘要】
一种衬底扩散片的制造工艺
本专利技术涉及半导体器件基材
，尤其涉及一种衬底扩散片的制造工艺。
技术介绍
传统衬底扩散片的制作工艺过程是：选择片厚在525微米左右，N型杂质，电阻率在10欧姆·厘米～60欧姆·厘米范围(具体电阻率范围可根据所需制造成产品的电压来进行选择)的单晶圆片作为基材。采用双面扩磷的工艺，结深在200微米左右，再采用减薄工艺，将一面N+层磨去，N-层所留厚度根据所需制造产品的电压来进行选择，为了满足制作产品的要求，在减薄后须采用化学抛光或机械抛光的方法将N-面抛成镜面。由于机械抛光的成本较高，在批量生产过程中通常采用的是化学抛光。最终制作好的三扩片N-层厚40微米～80微米，而N+层厚为200微米，但是现有的制作工艺存在以下问题：(1)对于基材单晶片的浪费较大，原料片厚在525微米，最终制备完成的片厚在240微米～280微米，基材损耗接近50％；(2)由于减薄去除量较大，对水、电、减薄机磨头的消耗也较高，同时减薄污水排放量也较大；(3)减薄后采用的化学抛光工艺，由于工艺自身的缺陷，化学抛光完成后，硅片厚度均匀性会下降(N-层的厚度均匀性会下降)，这样的三重扩片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底扩散片的制造工艺，其特征在于，是采用单面扩磷工艺来制造，包括以下步骤：步骤S1：选取单晶片，给每个单晶片刻上号码，为后面工艺步骤的追溯性提供条件；步骤S2：将刻号后的单晶片放置氢、氧气环境中进行衬底氧化；步骤S3：在单晶片的非刻号面上进行匀胶、前烘和坚膜；步骤S4：将单晶片放置于纯氢氟酸溶液中，去除单晶片刻号面的氧化层；步骤S5：将单晶片从纯氢氟酸溶液中取出，去除单晶片非刻号面的光刻胶，经过清洁处理后进行衬底磷预散；步骤S6：将完成衬底磷预散的单晶片进行衬底第二次氧化；步骤S7：将单晶片进行衬底第二次磷扩散；步骤S8：将单晶片放置于纯氢氟酸溶液中进行漂光；步骤S9：将漂光后单晶片的高阻...

【技术特征摘要】
1.一种衬底扩散片的制造工艺，其特征在于，是采用单面扩磷工艺来制造，包括以下步骤：步骤S1：选取单晶片，给每个单晶片刻上号码，为后面工艺步骤的追溯性提供条件；步骤S2：将刻号后的单晶片放置氢、氧气环境中进行衬底氧化；步骤S3：在单晶片的非刻号面上进行匀胶、前烘和坚膜；步骤S4：将单晶片放置于纯氢氟酸溶液中，去除单晶片刻号面的氧化层；步骤S5：将单晶片从纯氢氟酸溶液中取出，去除单晶片非刻号面的光刻胶，经过清洁处理后进行衬底磷预散；步骤S6：将完成衬底磷预散的单晶片进行衬底第二次氧化；步骤S7：将单晶片进行衬底第二次磷扩散；步骤S8：将单晶片放置于纯氢氟酸溶液中进行漂光；步骤S9：将漂光后单晶片的高阻面进行减薄和抛光，最后得到所需衬底扩散片。2.根据权利要求1所述的一种衬底扩散片的制造工艺，其特征在于，所述步骤S1中单晶片的厚度为3...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶耀轩，陈震，葛军，
申请(专利权)人：扬州晶新微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32