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本发明公开一种衬底扩散片的制造工艺，包括以下步骤：S1：选取单晶片，给每个单晶片刻上号码，以方便后面工艺的追溯性；S2：将刻号后的单晶片放置氢、氧气环境中进行衬底氧化；S3：在单晶片的非刻号面上进行匀胶、前烘和坚膜；S4：将单晶片放置于纯氢...
该专利属于扬州晶新微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州晶新微电子有限公司授权不得商用。

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