A hollow silicon core and the silicon core components, involving silicon core using a polysilicon production process, the silicon core comprises a plurality of silicon strips (2, 14) splicing, wherein the splicing is end to end, or gaps, the gap will be bridged in the crystallization process, the combined hollow the utility model relates to a silicon core, hollow silicon core drawn directly without difficulty, only pulling silicon plate or the silicon rod, and then by the silicon plate or the silicon rod combined into a hollow silicon core desired cross-sectional shape. The utility model has the advantages of low drawing difficulty, high crystallization efficiency, low use cost and the like, and is especially suitable for popularization and application in a large area of polycrystalline silicon.
【技术实现步骤摘要】
一种空心硅芯及其硅芯组件
本技术涉及一种多晶硅生产过程中使用的硅芯,具体说涉及一种空心硅芯及其组件。
技术介绍
随着光伏(PV)行业的发展,多晶硅的使用量在逐渐增大。生产多晶硅时,多数是利用还原炉进行多晶硅的还原生产,即通过化学气相沉积(CVD)法在硅芯的表面沉积多晶硅。在现有技术中,首先将三根实心圆硅芯或方硅芯搭接成“Π”字形结构,然后在还原炉内进行还原反应。所述还原反应是在一个密闭的还原炉中进行的。先在还原炉内用硅芯搭接成若干“Π”字形结构的闭合回路,即进行“搭桥”。每个闭合回路都由两根竖硅芯和一根横硅芯组成。将闭合回路的两个竖硅芯分别接在炉底的两个电极上,两个电极分别连接直流电源的正负极。为了便于描述,在本技术中将这种按照“Π”字形结构搭接好的硅芯组合体称作“硅芯组件”。将一个或多个硅芯组件放置在还原炉内,利用直流电对硅芯进行加热,加热中每一组搭接好的硅芯组件即相当于一个大电阻。继而向密闭的还原炉内通入氢气和三氯氢硅,开始进行多晶硅的沉积。在还原炉内多晶硅会逐渐沉积在硅芯的表面形成多晶硅棒。多晶硅棒经过破碎后再利用直拉炉拉制成单晶硅棒。现有技术在搭接 ...
【技术保护点】
一种空心硅芯,其特征在于:该硅芯由若干硅条拼接而成。
【技术特征摘要】
1.一种空心硅芯,其特征在于:该硅芯由若干硅条拼接而成。2.如权利要求1所述的空心硅芯,其特征在于:所述的硅条是横截面为正方形或矩形的竖硅板(2)。3.如权利要求1所述的空心硅芯,其特征在于:所述的硅条是横截面为圆形或椭圆形的圆硅芯(14)。4.如权利要求1所述的空心硅芯,其特征在于:所述的拼接是首尾相连的,或者留有间隙,该间隙在结晶过程中被弥合。5.如权利要求1所述的空心硅芯,其特征在于:拼接而成的空心硅芯其横截面形状是空心的多边形或者是空心的圆形。6.如权利要求5所述的空心硅芯,其特征在于:所述的多边形为正三角形、正方形、长方形、平行四边形、正五边形或正六边形。7.如权利要求6所述的空心硅芯,其特征在于:所述的平行四边形为菱形。8.一种硅芯组件,该硅芯组件由硅芯及上锁紧机构和下锁紧机构组成,其特征在于:所述的硅芯采用权利要求1所述的空心硅芯,所述的下锁紧机构由一固定座(5)构成,固定座(5)的外周形状与空心硅芯的横截面形状相匹配,若干硅条沿着固定座的外周面垂直放置,硅条的外侧安装有硅条固定套(3),将硅条的下端固定在固定座(5)上;所述的上锁紧机构设置在硅条的上端设置一横硅板(1),在横硅板(1)的下表面设置形状与空心硅芯形状相匹配的孔或凹槽,两者采用过盈配合,横硅板将两组空心硅芯连接并固定。9.如权利要求8所述的硅芯组件,其特征在于:所述固定座(5)的下部为向外延伸的凸台,使固定座呈台阶状,凸台的上表面构成硅板下端的限位面...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘朝轩,
申请(专利权)人:洛阳金诺机械工程有限公司,
类型:新型
国别省市:河南,41
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