一种多孔纳米硅的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多孔纳米硅的制备方法，包括以下步骤：化学气相沉积法制备镁二硅粉粗品，然后再用水热法处理镁二硅粉粗品，再将水热法处理后的产物纯化后即得到多孔纳米硅。本发明专利技术提供的多孔纳米硅的制备方法利用简单的设备，在相对较低的温度条件下，实现了大颗粒硅的多孔纳米化技术，大幅度降低了多孔纳米硅的制备成本。

Method for preparing porous nano silicon

The invention discloses a preparation method of nano porous silicon, which comprises the following steps: preparing two crude magnesium powder by chemical vapor deposition, then the hydrothermal treatment of magnesium two silica fume crude, then the product of hydrothermal treatment after purification to obtain the nano porous silicon. Preparation method of nano porous silicon provided by the invention with simple equipment, at a relatively low temperature, the porous nano technology of large particles of silicon, and decrease the cost of preparation of porous silicon.

【技术实现步骤摘要】
一种多孔纳米硅的制备方法
本专利技术属于材料制备
，具体涉及一种多孔纳米硅的制备方法。
技术介绍
由于环境和能源问题日益严重，对绿色能源的开发越来越重要，因而研究与发展电化学储能的技术也相对成为了研究者们所关注的一大方向。从二十世纪七十年代开始，很多研究者因为锂离子电池具有能量密度大、自放电低、平均输出电压高、使用的寿命长而且无记忆效应等众多优点对其展开了研究工作。从锂离子电池的发展史看来，锂离子电池的负极材料的研究对锂离子电池的发展起到了至关重要的作用，而碳电极的出现对金属锂电极的安全带来了福音，从而使锂离子电池能够在商业化方面的应用得到了飞速的发展。另一方面相对于目前迅猛发展的科技来说，石墨负极材料的理论容量相对较低，仅为372mAh/g，虽然实际的容量已经非常接近理论容量，但是已经不能满足现在社会的需求，因此，对于高容量的锂离子负极材料的开发迫在眉睫。研究发现，硅的理论比容量是非常高的，高达4200mAh/g，成为了最有能力取代石墨的高容量负极材料之一。不过，硅的唯一缺点就是在充放电过程中具有非常强烈的体积效应，致使了导电颗粒的粉化，会对电池系统进行破坏，所以硅电极的循环本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多孔纳米硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，按照1:4‑5的质量比分别称取高纯硅粉和镁粉，将称取到的高纯硅粉平铺于带盖坩埚底部，然后将装有镁粉的敞口坩埚放入带盖坩埚内，再将带盖坩埚密封后放入真空管式炉中，控制真空度为0.05‑0.1Pa，在500‑650℃下保温15‑60min，随炉冷却至室温后取出，得到镁二硅粉粗品；步骤2，在室温下，将步骤1中得到的镁二硅粉粗品浸没到装有饱和KCl水溶液的反应釜中，然后将反应釜置于鼓风干燥箱中，在120‑180℃下保温30‑300min后取出，冷却至室温后得到产物，将产物用去离子水洗净、干燥后备用；步骤3，将步骤2中得到的产物放入真空管式炉中...

【技术特征摘要】
1.一种多孔纳米硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，按照1:4-5的质量比分别称取高纯硅粉和镁粉，将称取到的高纯硅粉平铺于带盖坩埚底部，然后将装有镁粉的敞口坩埚放入带盖坩埚内，再将带盖坩埚密封后放入真空管式炉中，控制真空度为0.05-0.1Pa，在500-650℃下保温15-60min，随炉冷却至室温后取出，得到镁二硅粉粗品；步骤2，在室温下，将步骤1中得到的镁二硅粉粗品浸没到装有饱和KCl水溶液的反应釜中，然后将反应釜置于鼓风干燥箱中，在120-180℃下保温30-300min后取出，冷却至室温后得到产...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱聪旭，柳浩峰，李婷婷，高远浩，杨晓刚，武玺旺，刘闯，铁伟伟，赵红晓，岳红伟，
申请(专利权)人：许昌学院，
类型：发明
国别省市：河南,41