一种用于硅液造粒成型的冷却系统技术方案

技术编号:15594367 阅读:155 留言:0更新日期:2017-06-13 21:51
本实用新型专利技术公开了一种用于硅液造粒成型的冷却系统,包括圆柱状的冷却池本体,在冷却池本体的内侧至少设置有多个喷嘴,喷嘴分成一个或者多个组,每个组分别安装在冷却池不同深度处,每一组的喷嘴均匀分布在同一深度的圆周上,且喷射的水流沿圆形的切向方向进入冷却池本体内。本实用新型专利技术通过在冷却池本体的侧壁上设置多组喷嘴,喷嘴组分布在不同深度的位置,喷嘴的喷射方向分布成沿冷却池圆周的切向方向,喷嘴可以将局部的冷却水带动,在冷却池内形成转动,硅液落入后,会在水流的旋转运动带动下,形成螺旋式的运动,如此大大增加了硅块的形成,达到了充分换热冷却的目的,多组的喷嘴可以保持在不同的位置都形成旋转运动,形成均匀的流动场。

【技术实现步骤摘要】
一种用于硅液造粒成型的冷却系统
本技术涉及硅渣的重复利用加工领域,具体涉及一种用于硅液造粒成型的冷却系统。
技术介绍
硅渣一般是指原矿提炼之后的剩余部分,还含有一定量的硅。硅渣分很多种,工业硅渣,太阳能硅渣,半导体硅渣等等。硅渣可以用来回炉重新结晶、提纯、现在硅料紧缺,价格不菲。硅锰渣也叫硅锰冶炼渣,是冶炼硅锰合金时排放的一种工业废渣,其结构疏松,外观常为浅绿色的颗粒,由一些形状不规则的多孔非晶质颗粒组成。硅锰渣性脆易碎,通过破碎机可以将大块的硅锰渣破碎成小块,然后进入细碎机将粗碎后的物料进一步粉碎,确保进入料仓的物料能够达到单体解离的程度,然后通过振动给料机和皮带输送机均匀的将物料给入梯形跳汰机进行分选。破碎的主要目的在于打破连生体结构,跳汰的主要目的在于从硅锰渣中回收硅锰合金。硅锰渣和硅锰合金存在较大的比重差,通过跳汰机的重选作用可以将金属和废渣分离,获得纯净的合金和废渣,最后可以通过脱水筛的脱水作用分别将精矿和尾矿进行脱水。目前的硅渣处理,大部分还是依靠人工选取的方式,在一定的粉碎条件下,通过人工选取的方式来选择纯度较高的硅块,这样做的优点是成本较低,但是效率非常差,而且硅渣的利用率也很低;而采用梯形跳汰机进行分选的方式,选出来的硅纯度低,成本也高,硅渣的利用率也很低。硅在熔炼以后成为硅液,也叫硅水,其熔点1414℃,一般工艺中,硅熔炼的温度会达到1700℃,在硅液熔炼后,会将硅液倒入冷水池中形成硅丸或者硅块,这些单质硅作为工业硅的原料进行保存但是现有技术中,硅液的倾倒过程中很容易发生爆炸事件,为了防止爆炸,一般都采用延长倾倒时间的方式来防止爆炸,当倾倒一定的硅液以后,需要停止倾倒,待硅块自然冷却后,再对硅块进行打捞,这样的方式效率低下且浪费严重。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于硅液造粒成型的冷却系统,解决现有技术中硅液的成型时间长、硅块冷却效率低下、设备停运行时间长的问题。本技术通过下述技术方案实现:一种用于硅液造粒成型的冷却系统,包括圆柱状的冷却池本体,在冷却池本体的内侧至少设置有多个喷嘴,喷嘴分成一个或者多个组,每个组分别安装在冷却池不同深度处,每一组的喷嘴均匀分布在同一深度的圆周上,且喷射的水流沿圆形的切向方向进入冷却池本体内,还包括一个提升井,提升井通过一个通道与冷却池本体连通,在冷却池本体内设置有一个向通道倾斜的导向板,在提升井内设置有提升系统。本技术是对现有的冷却池进行的改进,现有的冷却池规格不同,也没有固定的形状,一般采用长方体形式的冷却池,由于冷却池需要经过一段时间的散热冷却,因此其使用效率低下,单位体积的冷却池内硅块的重量较小,为了提高其使用效率,申请人对冷却池的结构做了详细的研究,首先将冷却池的深度加大,增加硅块与水的相对运动行程,从而增加换热的效率,但是深度的加大会造成成本的无限增加,安全性能也极大的降低,为了解决这个问题,申请人发现:将落入到冷却水里面的硅块的运行途径从垂直的运动变为螺旋的运动,可以有效增加其形成,因此,通过在冷却池本体的侧壁上设置多组喷嘴,喷嘴组分布在不同深度的位置,每组喷嘴都包含一个或一个以上的喷嘴,喷嘴的喷射方向分布成沿冷却池圆周的切向方向,且向内侧喷射,如此,一组喷嘴可以将局部的冷却水带动,在冷却池内形成转动,硅液落入后,会在水流的旋转运动带动下,形成螺旋式的运动,如此大大增加了硅块的形成,达到了充分换热冷却的目的,多组的喷嘴可以保持在不同的位置都形成旋转运动,形成均匀的流动场;在冷却池本体的底部设置一个导向板,导向板倾斜放置,其最低位置与连通通道对接,硅丸在冷却后落入到冷却池的底部,在导向板的作用下向连通通道汇集,并最终通过连通通道进入到提升体统,通过提升系统提升出提升井,实现对硅丸的收集提取,在硅丸不断的形成过程中,源源不断地将硅丸打捞输送,可以形成不断的生产过程,解决了现有技术中暂停打捞的问题,提高了生产效率。优选的,所述同一深度圆周上的喷嘴为三个或四个。相邻两个深度上的喷嘴组在圆周方向上呈交错分布。每一层的喷嘴为三至四个,且相邻两层的喷嘴呈交错分布,可以形成更加稳定的旋转运动流体场,使得硅丸的运动更加稳定和可控。还包括一个循环池,喷嘴通过管道与循环池连通,在管道上还设置有循环泵。进一步讲,通过设置一个循环池,可以使得冷却池的冷水供应充足,且经过循环池的循环,可以减少冷水的使用量,大大降低了水的消耗量,环保又经济。在所述冷却池本体的顶部设置有一个溢流堰,溢流堰通过沟渠连接至循环池。具体地讲,所述提升系统包括分别安装在提升井底部、提升井上方的转轮,在两个转轮之间安装有传动链条,在传动链条上安装有收集斗。两个转轮作为定滑轮带动传动链条,可以使得传动链条的运行受到牵引,在驱动机构的驱动作用下,传动链条在两个转轮之间做往复的转动,带动其上的收集斗将硅丸提升,并在最高处进行翻转,将硅丸倒出然后从新进入到待装的状态,从而重复使用。在地面上还安装有与收集斗相匹配的梭槽、以及收集箱。通过设置相匹配的梭槽和收集箱,可以引导硅丸的走向,从而避免硅丸的撞击破碎,提高成品率。所述提升井的深度大于冷却池本体的深度,提升井的顶部通过溢流通道与冷却池本体连通。本技术与现有技术相比,具有如下的优点和有益效果:1、本技术一种用于硅液造粒成型的冷却系统,将落入到冷却水里面的硅块的运行途径从垂直的运动变为螺旋的运动,可以有效增加其形成,因此,通过在冷却池本体的侧壁上设置多组喷嘴,喷嘴组分布在不同深度的位置,每组喷嘴都包含一个或一个以上的喷嘴,喷嘴的喷射方向分布成沿冷却池圆周的切向方向,且向内侧喷射,如此,一组喷嘴可以将局部的冷却水带动,在冷却池内形成转动,硅液落入后,会在水流的旋转运动带动下,形成螺旋式的运动,如此大大增加了硅块的形成,达到了充分换热冷却的目的,多组的喷嘴可以保持在不同的位置都形成旋转运动,形成均匀的流动场;2、本技术一种用于硅液造粒成型的冷却系统,在冷却池本体的旁边建设一个提升井,提升井的底部与冷却池本体通过一个连通通道实现连通,在冷却池本体的底部设置一个导向板,导向板倾斜放置,其最低位置与连通通道对接,硅丸在冷却后落入到冷却池的底部,在导向板的作用下向连通通道汇集,并最终通过连通通道进入到提升体统,通过提升系统提升出提升井,实现对硅丸的收集提取,在硅丸不断的形成过程中,源源不断地将硅丸打捞输送,可以形成不断的生产过程,解决了现有技术中暂停打捞的问题,提高了生产效率;3、本技术一种用于硅液造粒成型的冷却系统,通过设置一个循环池,可以使得冷却池的冷水供应充足,且经过循环池的循环,可以减少冷水的使用量,大大降低了水的消耗量,环保又经济。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本技术实施例的限定。在附图中:图1为本技术结构示意图;图2为本技术实施例中一组喷嘴的分布示意图。附图中标记及对应的零部件名称:1-冷却池本体,2-喷嘴,3-导向板,4-循环池,5-管道,6-循环泵,7-溢流堰,8-沟渠,9-提升井,10-通道,11-转轮,12-收集斗,13-梭槽,14-收集箱。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例和本文档来自技高网
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一种用于硅液造粒成型的冷却系统

【技术保护点】
一种用于硅液造粒成型的冷却系统,包括圆柱状的冷却池本体(1),其特征在于:在冷却池本体(1)的内侧至少设置有多个喷嘴(2),喷嘴(2)分成一个或者多个组,每个组分别安装在冷却池不同深度处,每一组的喷嘴(2)均匀分布在同一深度的圆周上,且喷射的水流沿圆形的切向方向进入冷却池本体(1)内;还包括一个提升井(9),提升井(9)通过一个通道(10)与冷却池本体(1)连通,在冷却池本体(1)内设置有一个向通道(10)倾斜的导向板(3),在提升井(9)内设置有提升系统。

【技术特征摘要】
1.一种用于硅液造粒成型的冷却系统,包括圆柱状的冷却池本体(1),其特征在于:在冷却池本体(1)的内侧至少设置有多个喷嘴(2),喷嘴(2)分成一个或者多个组,每个组分别安装在冷却池不同深度处,每一组的喷嘴(2)均匀分布在同一深度的圆周上,且喷射的水流沿圆形的切向方向进入冷却池本体(1)内;还包括一个提升井(9),提升井(9)通过一个通道(10)与冷却池本体(1)连通,在冷却池本体(1)内设置有一个向通道(10)倾斜的导向板(3),在提升井(9)内设置有提升系统。2.根据权利要求1所述的一种用于硅液造粒成型的冷却系统,其特征在于:所述同一深度圆周上的喷嘴(2)为三个或四个。3.根据权利要求1所述的一种用于硅液造粒成型的冷却系统,其特征在于:相邻两个深度上的喷嘴(2)组在圆周方向上呈交错分布。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的一种用于硅液造粒成型的冷却系统,其特征在于:还包括一个...

【专利技术属性】
技术研发人员:羊实周旭
申请(专利权)人:永平县泰达废渣开发利用有限公司
类型:新型
国别省市:云南,53

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