一种低介电常数纳米多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种低介电常数纳米多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法。采用溶胶－凝胶法制备聚酰亚胺／纳米二氧化硅复合薄膜，将复合薄膜浸泡在刻蚀液中，然后经洗涤和干燥，制备聚酰亚胺的纳米发泡薄膜。本发明专利技术的方法具有工艺过程简单、成本低、强度高、耐热性好等特点。低介电常数聚酰亚胺薄膜电工、电子、信息、军事、航空和航天等方面具有广阔的应用。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，薄膜内的泡孔以闭孔，且纳米尺寸均匀分散在聚酰亚胺基体中。
技术介绍
随着微电子工业的发展，微电子元件功能在不断增强而体积却不断减小，超大规模集成电路的尺寸也逐渐减小，金属互连的电阻、电容(Rc)延迟以近二次方增加，并导致信号传输延迟和串扰，直接影响器件性能。为了降低信号传输延迟和串扰及介电损失而导致功耗的增加，满足信号传递的高速化，进一步提高电子线路的功能，要求介电层间绝缘材料有更低的介电常数。聚酰亚胺以其优良的性能在微电子工业得到了广泛的应用。然而，一般聚酰亚胺的介电常数在3.0-3.4左右，远远不能满足亚微米器件所需要的介电常数值。为此，科技工作者对聚酰亚胺介电性能的开发研究给予了高度重视，使超低介电常数聚酰亚胺研究与应用得以迅速发展。据文献报道，目前降低聚酰亚胺介电常数的方法主要有以下几种a.引入脂肪链；b.引入低介电常数的嵌段；c.在聚酰亚胺主链中引入氟代基团；d.引入空气(介电常数为1)的泡沫材料。其中，采用引入低介电常数的嵌段或引入脂肪链的方法来降低聚酰亚胺的介电常数非常有限，同时一些非刚性链的引入还会引起聚酰亚胺的力学性能、热性能下降和线膨胀系数提高。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低介电常数纳米多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法，采用聚酰亚胺／纳米二氧化硅复合薄膜，在刻蚀液中浸泡，将二氧化硅刻蚀掉后，经洗涤、干燥后制得；所说的刻蚀液是质量百分浓度为５－４０％的氢氟酸或氢氟酸胺水溶液。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘久贵，武德珍，姜立忠，金日光，冯玉仲，
申请(专利权)人：北京化工大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]