The utility model discloses a beryllia ceramic substrate 100 watt 10dB integrated attenuator, which comprises a bottom plate and berillia substrate, both sides of the back side of the substrate are respectively provided with a beryllium oxide roasting silver, beryllium oxide by roasting silver substrate is connected with a bottom plate, a front substrate beryllium oxide resistive film and silver electrode, silver electrode and beryllium oxide substrate back on both sides of the baking silver connection. Beryllia substrate are arranged on both sides of the input lead and output lead, resistive film and silver electrode, the input lead and output lead with a distributed attenuation network, distributed network through the attenuation roasting silver and bottom connection. The utility model can make the attenuation circuit formed in a completely symmetric state, the product can work frequency from DC to 2.5GHz power capacity of 100W, has the advantages of small volume, good flatness attenuation resistance, accuracy and high attenuation accuracy, good repeatability. Can be widely used in aviation, aerospace, radar, radio, radio, communications and other equipment areas, isolators, circulators and other microwave products.
【技术实现步骤摘要】
一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器
本技术涉及一种衰减器,具体涉及一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器。
技术介绍
氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器是集成衰减器的一种,广泛应用在微波通讯、雷达等设备中。衰减器是一个功率消耗和电路匹配元件,要求对两端电路的影响越小越好。目前市场上集成衰减器其功率少数能达到50瓦,对于100瓦等更大功率相应空缺。
技术实现思路
本技术为了解决上述问题,从而提供一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器。为达到上述目的,本技术的技术方案如下:一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器,所述氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器包括底板和氧化铍基板,所述氧化铍基板的背面两侧分别设有焙银,所述氧化铍基板通过焙银与底板连接,所述氧化铍基板正面设有电阻膜和银电极,所述银电极与氧化铍基板背面两侧的焙银连接,所述氧化铍基板两侧设有输入引线和输出引线,所述电阻膜与银电极、输入引线和输出引线配合形成分布式衰减网络,分布式衰减网络通过焙银与底板连接。在本技术的一个优选实施例中,所述银电极为对称结构。在本技术的一个优选实施例中,所述电阻膜设置在氧化铍基板正面的中心位置,也为对称结构。在本技术的一个优选实施例中,所述电阻膜通过真空溅射氮化钽厚膜工艺直接成形在氧化铍基板正面。在本技术的一个优选实施例中,所述氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器还包括一盖板,所述盖板可拆卸地设置在氧化铍基板正面,并将电阻膜和银电极罩住。本技术的有益效果是:本技术能够使得形成的衰减电路处于一个完全对称的状态,产品工作频带能从直流到2.5GHz,功 ...
【技术保护点】
一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器,其特征在于,所述氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器包括底板和氧化铍基板,所述氧化铍基板的背面两侧分别设有焙银,所述氧化铍基板通过焙银与底板连接,所述氧化铍基板正面设有电阻膜和银电极,所述银电极与氧化铍基板背面两侧的焙银连接,所述氧化铍基板两侧设有输入引线和输出引线,所述电阻膜与银电极、输入引线和输出引线配合形成分布式衰减网络,分布式衰减网络通过焙银与底板连接。
【技术特征摘要】
1.一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器,其特征在于,所述氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器包括底板和氧化铍基板,所述氧化铍基板的背面两侧分别设有焙银,所述氧化铍基板通过焙银与底板连接,所述氧化铍基板正面设有电阻膜和银电极,所述银电极与氧化铍基板背面两侧的焙银连接,所述氧化铍基板两侧设有输入引线和输出引线,所述电阻膜与银电极、输入引线和输出引线配合形成分布式衰减网络,分布式衰减网络通过焙银与底板连接。2.根据权利要求1所述的一种氧化铍陶瓷基板100瓦10dB集成衰减器,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴林华,周敏,周蕾,
申请(专利权)人:上海华湘计算机通讯工程有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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