光学邻近校正检验方法、设计堆叠存储器件的布局的方法及堆叠存储器件制造方法技术

光学邻近校正(OPC)检验方法包括：检查在堆叠存储器件的布局中的第一图案的第一位置；根据第一位置计算第一图案的偏移值；获得第一位置与通过对于第一图案的OPC而形成的第二图案的第二位置之间的差值；以及基于偏移值和差值确定是否将要再次执行OPC。

Optical proximity correction method, method for designing layout of stacked memory device, and method for manufacturing stacked memory device

Optical proximity correction (OPC) test method comprises: a first position check on the stack storage device in the layout of the first patterns; the first position calculation according to the offset of the first patterns; the difference between the first position and get through for the first pattern of OPC and the formation of the second pattern of the second position; and the offset value and the difference is determined based on the whether to perform OPC again.

【技术实现步骤摘要】
光学邻近校正检验方法、设计堆叠存储器件的布局的方法及堆叠存储器件制造方法
本公开涉及存储器件。更具体地，本公开涉及堆叠存储器件、光学邻近校正(OPC)检验方法、设计存储器件的布局的方法以及制造堆叠存储器件的方法。
技术介绍
存储器件被用于存储数据，并且被分为易失性存储器件和非易失性存储器件。作为非易失性存储器件的示例，快闪存储器件可以用于移动式电话、数码相机、便携式数字助理(PDA)、便携式电脑设备、固定计算机设备及其他设备中。由于对于小型高容量非易失性存储器件的需要，已经开发了堆叠存储器件。堆叠存储器件是指包括垂直地堆叠在基板上的多个存储单元或者存储单元阵列的存储器件。堆叠存储器件的外围电路区域可以受到形成存储单元阵列的工艺的影响。结果，实现堆叠存储器件的半导体芯片会故障。
技术实现思路
根据本公开的一方面，光学邻近校正(OPC)检验方法包括检查堆叠存储器件的布局中第一图案的第一位置。OPC检验方法还包括根据第一位置计算第一图案的偏移值。OPC检验方法还包括获得第一位置与通过OPC关于第一图案形成的第二图案的第二位置之间的差值。OPC检验方法还包括基于偏移值和差值确定OPC是否要被再次进行。根据本公开的另一方面，设计堆叠存储器件的布局的方法包括检查堆叠存储器件的初始布局中第一图案的第一位置。OPC检验方法还包括根据第一位置计算第一图案的偏移值。该方法还包括获得第一位置与通过第一光学邻近校正(OPC)关于第一图案形成的第二图案的第二位置之间的差值。该方法还包括基于偏移值和差值确定是否要进行第二OPC。堆叠存储器件的最终布局基于第二图案或者通过第二OPC形成的第三图案产生。根据本公开的另一方面，制造堆叠存储器件的方法包括设计堆叠存储器件的布局。该方法还包括根据布局中的第一图案的第一位置而计算第一图案的偏移值。该方法还包括获得第一位置与通过第一OPC关于第一图案形成的第二图案的第二位置之间的差值。该方法还包括基于偏移值和差值确定是否将要进行第二OPC。基于第二图案或者通过第二OPC形成的第三图案形成掩模。通过利用该掩模的光刻工艺形成堆叠存储器件。根据本公开的另一方面，堆叠存储器件包括包含分别连接到垂直地堆叠在基板上的多个字线的多个存储单元的存储单元阵列。堆叠存储器件还包括在第一方向上邻近于存储单元阵列布置的外围电路。外围电路包括电连接到存储单元阵列的多个晶体管。分别连接到晶体管中的第一晶体管的接触在第一方向上的位置基本上相同。第一晶体管与存储单元阵列的距离相同。根据本公开的另一方面，堆叠存储器件包括包含分别连接到垂直地堆叠在基板上的多个字线的多个存储单元的存储单元阵列。堆叠存储器件还包括在第一方向上邻近于存储单元阵列布置的外围电路。外围电路包括电连接到存储单元阵列的第一区域的晶体管以及电连接到存储单元阵列的第二区域的晶体管。分别连接到被电连接到第一区域的晶体管中的第一晶体管的第一接触在第一方向上的第一位置基本上相同。第一晶体管与存储单元阵列的距离相同。分别连接到被电连接到第二区域的晶体管中的第二晶体管的第二接触在第一方向上的第二位置基本上相同。第二晶体管与存储单元阵列的距离相同。从存储单元阵列到第一晶体管的距离与从存储单元阵列到第二晶体管的距离相同。第一位置和第二位置不同。根据本公开的另一方面，堆叠存储器件包括包含分别连接到垂直地堆叠在基板上的多个字线的多个存储单元的存储单元阵列。堆叠存储器件还包括在第一方向上邻近于存储单元阵列布置的外围电路。外围电路包括电连接到存储单元阵列的多个晶体管。分别连接到多个晶体管中的第一晶体管的接触沿着第二方向的位置基本上相同。第一晶体管沿着第二方向的位置相同。第二方向基本上垂直于第一方向。附图说明通过结合附图的以下具体实施方式，本公开的实施方式将被更清楚地理解，在附图中：图1是根据实施方式的制造堆叠存储器件的方法的流程图；图2是根据实施方式的堆叠存储器件的布局；图3示出根据实施方式的存储单元阵列；图4是第一存储块的等效电路的电路图，该第一存储块是包括在图3的存储单元阵列中的存储块之一；图5是图4的第一存储块的透视图；图6A至6F是截面图，示出根据实施方式的制造堆叠存储器件的方法的示例；图7是绘示根据包括在图2的堆叠存储器件中的外围电路区域中的区域的偏移值的图形；图8是绘示根据包括在图2的堆叠存储器件中的外围电路区域PA的第一区域中在X方向上的位置的偏移值的图形；图9是用于根据实施方式的堆叠存储器件的光学邻近校正(OPC)检验方法的流程图；图10是示出根据实施方式的检查在堆叠存储器件的布局中的图案的位置的操作的视图；图11是沿图10的线XI-XI'截取的截面图；图12是用于图11的外围电路区域的初始布局；图13示出根据实施方式的图案偏移值计算操作,用于图12的第一图案的第一校正图案；图14A至14D示出图12的第一图案和关于第一图案通过OPC形成的第二图案的各种实施方式；图15A至17B示出根据一些实施方式的用于外围电路区域的图案偏移值计算方法；图18是示出根据实施方式的堆叠存储器件的截面图；图19是根据实施方式的设计堆叠存储器件的布局的方法的流程图；图20是根据实施方式的制造堆叠存储器件的方法的流程图；以及图21是根据一些实施方式的堆叠存储器件的框图。具体实施方式图1是根据实施方式的制造堆叠存储器件的方法的流程图。参照图1，在操作S110中，设计堆叠存储器件的布局。这里，布局是为堆叠存储器件设计的电路可以通过其传送到晶片上的物理表示，并且布局可以包括多个图案。在本说明书中，布局可以被称为“初始布局”或者“原始布局”。这里，图案可以相应于与堆叠存储器件的操作直接相关的电路、互连等等。这里，在本说明书中，包括在初始布局中的图案将指的是第一图案。在实施方式中，第一图案可以包括布置在堆叠存储器件的外围电路区域中的接触图案。然而，堆叠存储器件的布局不限于此，并且第一图案可以包括导电层图案或者绝缘层图案。这里，堆叠存储器件是指包括垂直地堆叠在基板上的多个存储单元或者存储单元阵列的存储器件。在实施方式中，堆叠存储器件可以是包括分别连接到垂直地堆叠在基板上的字线的存储单元的垂直沟道型存储器件。在实施方式中，堆叠存储器件可以是交叉点存储器件，其中字线和位线交替地堆叠在基板上，并且包括布置在字线和位线彼此交叉的区域中的存储单元。然而，堆叠存储器件不限于此。这里描述的存储单元阵列、存储单元和存储器是可以存储数据和可执行指令的有形存储介质，并且在指令存储在其中的时间期间是非暂时性的。如这里使用的，术语“非暂时性的”应理解为不是作为状态的永久特征，而是作为将持续一段时间的状态的特征。术语“非暂时性的”具体地否定了在任意时间仅短暂地存在于任意位置的短暂特征诸如具体载波或者信号或者其他形式的特征。这里描述的存储单元阵列、存储器单元或者存储器是制造品和/或机器部件。这里描述的存储单元阵列、存储单元和存储器是计算机可读介质，数据和可执行指令可以通过计算机从其读取。在操作S130中，在布局中包括的图案上执行光学邻近校正(OPC)。光学邻近校正(OPC)是用于校正例如由光刻中的衍射而导致的图像错误的技术。OPC可以通过OPC工具执行，例如，OPC工具可以接收图形数据库系统(GDS)格式的布局数据。OP本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学邻近校正(OPC)检验方法，包括：检查在堆叠存储器件的布局中的第一图案的第一位置；根据所述第一位置计算所述第一图案的偏移值；获得所述第一位置与通过对于所述第一图案的光学邻近校正而形成的第二图案的第二位置之间的差值；以及基于所述偏移值和所述差值确定是否将要再次执行所述光学邻近校正。

【技术特征摘要】
2016.02.25 KR 10-2016-00228241.一种光学邻近校正(OPC)检验方法，包括：检查在堆叠存储器件的布局中的第一图案的第一位置；根据所述第一位置计算所述第一图案的偏移值；获得所述第一位置与通过对于所述第一图案的光学邻近校正而形成的第二图案的第二位置之间的差值；以及基于所述偏移值和所述差值确定是否将要再次执行所述光学邻近校正。2.如权利要求1所述的光学邻近校正检验方法，其中所述堆叠存储器件包括存储单元阵列区域和在第一方向上邻近于所述存储单元阵列区域的外围电路区域，所述第一图案包括布置在所述外围电路区域中的接触图案。3.如权利要求2所述的光学邻近校正检验方法，其中所述第一位置包括所述第一图案沿着所述第一方向的Y坐标。4.如权利要求3所述的光学邻近校正检验方法，其中计算所述偏移值包括计算所述偏移值使得所述第一图案的偏移方向和偏移量中的至少一个根据所述Y坐标而改变。5.如权利要求4所述的光学邻近校正检验方法，其中计算所述偏移值包括：根据所述Y坐标选择多个计算公式中的一个；以及利用选择的计算公式计算所述偏移值。6.如权利要求3所述的光学邻近校正检验方法，其中获得所述差值包括获得相应于所述第一位置的第一Y坐标与相应于所述第二位置的第二Y坐标之间的差值。7.如权利要求2所述的光学邻近校正检验方法，其中所述第一位置包括所述第一图案沿着所述第一方向的Y坐标以及所述第一图案沿着第二方向的X坐标，并且所述第二方向基本上垂直于所述第一方向。8.如权利要求7所述的光学邻近校正检验方法，其中计算所述偏移值包括：根据所述X坐标选择多个计算公式中的一个；以及利用选择的计算公式计算所述偏移值。9.如权利要求7所述的光学邻近校正检验方法，其中计算所述偏移值包括：根据所述X坐标和所述Y坐标选择多个计算公式中的一个；以及利用选择的计算公式计算所述偏移值。10.如权利要求7所述的光学邻近校正检验方法，其中所述堆叠存储器件还包括在所述第二方向上邻近于所述存储单元阵列区域的行解码器区域，其中所述外围电路区域包括邻近于所述存储单元阵列区域的第一外围电路区域以及邻近于所述行解码器区域的第二外围电路区域，并且其中计算所述偏移值包括：当所述X坐标在所述第一外围电路区域中时，通过利用第一计算公式根据所述Y坐标计算所述偏移值；并且当所述X坐标在所述第二外围电路区域中时，通过利用第二计算公式根据所述Y坐标计算所述偏移值。11.如权利要求10所述的光学邻近校正检验方法，其中计算所述偏移值还包括当所述Y坐标在所述行解码器区域中时，通过利用第三计算公式根据所述Y坐标计算所述偏移值。12.如权利要求7所述的光学邻近校正检验方法，其中所述堆叠存储器件还包括在所述第二方向上邻近于所述存储单元阵列区域的行解码器区域，其中所述外围电路区域包括邻近于所述存储单元阵列区域的中心区域的第一中心外围电路区域、邻近于所述存储单元阵列区域的边缘区域的第一边缘外围电路区域以及邻近于所述行解码器区域的第二外围电路区域，并且其中计算所述偏移值包括：当所述X坐标在所述第一中心外围电路区域中时，通过利用第一计算公式根据所述Y坐标计算所述偏移值；当所述X坐标在所述第一边缘外围电路区域中时，通过利用第二计算公式根据所述Y坐标计算所述偏移值；以及当所述X坐标在所述第二外围电路区域中时，通过利用第三计算公式根据所述Y坐标计算所述偏移值。13.如权利要求12所述的光学邻近校正检验方法，其中计算所述偏移值还包括当所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金昶汎，金成勋，金祐呈，粱香子，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR