一种增强OPC处理精度的方法技术

本发明专利技术公开了一种增强OPC处理精度的方法，通过利用建立工艺热点库信息，对出版数据进行热点分析和MEEF值判定，对MEEF值在设定值以上的高MEEF图形进行加强OPC图形修正和检查，在此基础上对工艺热点库进行不断升级，可改善以往在OPC修正时出现的对重复图形区域在不同的地方随机修正结果不一样的问题，提高高MEEF图形的OPC处理精度，并保持OPC修正结果的一致性；本发明专利技术可以和现有的处理方法兼容，同时可以大幅减少系统的运行时间，不但克服了传统设计随意性和数据的冗余性，提高了版图的处理效率，而且可以降低OPC处理的复杂度和运行时间。

Method for enhancing OPC processing precision

The invention discloses a method for enhancing OPC processing precision, the establishment of the process database information by using hot, hot spot analysis of published data and MEEF value determination, the value of MEEF to strengthen OPC graphics revision and inspection in the setting above high MEEF graphics, based on the technology of hot base continuously upgrade, can in the past to improve OPC correction when the graphics area in place of repeated random correction results different problems, improve the processing precision of OPC MEEF graphics, and maintain consistency of OPC correction results; and the invention can be compatible with the existing methods, and can significantly reduce the running time of the system, not only overcome the traditional design of randomness and redundancy of data, improve the processing efficiency of the layout, but also can reduce the complexity and running time of OPC treatment.

【技术实现步骤摘要】
一种增强OPC处理精度的方法
本专利技术涉及集成电路制造
，更具体地，涉及一种可以对高MEEF图形增强OPC处理精度的方法。
技术介绍
当前大规模集成电路普遍采用光刻系统进行制造。光刻系统主要分为：照明系统，掩膜，投影系统及硅片四个系统。图1展示了光刻系统中的光学传输原理。从照明系统的光源202发出的光线经过聚光镜204聚焦后入射至掩膜206，掩膜的开口部分透光；经过掩膜后，光线经投影系统的孔208和透镜210入射至涂有光刻胶的晶片(硅片)212上，这样掩膜图形就复制在晶片上。当集成电路的最小特征尺寸和间距减小到光刻机所用光源的波长以下时，由于光的干涉和衍射以及显影等问题，导致曝光在晶片上的图形严重失真，我们称之为光学邻近效应(OPE，Opticalproximityeffect)失真。这些失真引起的偏差可以达到20％，甚至更高，严重影响到最终的良率。为了使光刻结果更符合版图的设计，一种解决问题的办法就是引入分辨率增强技术(RET，Resolutionenhancementtechnology)。这种技术主要采用光学邻近效应校正(OPC，Opticalproximitycorr本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增强OPC处理精度的方法，其特征在于，利用一包含EDA软件和计算机硬件的信息处理及反馈系统实施，包括以下步骤：步骤101：根据不同工艺平台的特点，OPC的出版层次和检查数据结果，以及出版热点对应的硅片验证数据，建立MEEF值在设定值以上的工艺热点库图形A

【技术特征摘要】
1.一种增强OPC处理精度的方法，其特征在于，利用一包含EDA软件和计算机硬件的信息处理及反馈系统实施，包括以下步骤：步骤101：根据不同工艺平台的特点，OPC的出版层次和检查数据结果，以及出版热点对应的硅片验证数据，建立MEEF值在设定值以上的工艺热点库图形A0，并根据工艺热点的表现情况对工艺热点实施分级处理，从而将这些图形A0存储在系统中；步骤102：通过系统读入需要处理的原始图形B0，并与工艺热点库中的图形A0进行相似度检查和相似度判定；步骤103：通过系统开始对需要处理的原始图形B0进行OPC修正，并预测OPC修正后图形的MEEF大小；步骤104：通过系统根据图形相似度的判定结果，工艺热点的分级值，MEEF大小数据，对MEEF值在设定值以上的原始图形B0进行加强修正，得到修正后图形B1；步骤105：通过系统对修正后图形B1进行加强检查和分类；步骤106：对其中经系统判定MEEF值在设定值以上的出版热点图形进行硅片验证，并将这些工艺热点的检查和验证结果存储至工艺热点库；步骤107：将上述这些工艺热点的实际MEEF值反馈到系统中，以校正和更新工艺热点库，并将工艺热点库中的图形A0升级为图形A1。2.根据权利要求1所述的增强OPC处理精度的方法，其特征在于，步骤101中，根据不同的工艺平台、工艺层次以及光刻工艺类型来建立相应的工艺热点库，并将OPC修正结果的模拟值与目标值偏差超过1％的图形A0或者硅片验证值与目标值偏差超过1％的图形A0收集到工艺热点库中。3.根据权利要求1所述的增强OPC处理精度的方法，其特征在于，步骤101中，根据工艺热点库中图形A0的实际MEEF值大小赋与其不同的权重，据此对工艺热点实施分级处理。...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟鸿林，魏芳，朱骏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31