谐振器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够有效地应对各晶圆的电阻率的偏差的谐振器的制造方法。谐振器的制造方法包括在处于简并状态的Si晶圆的表面形成Si氧化膜的步骤，Si氧化膜的厚度根据Si晶圆的杂质的掺杂量来设定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振器的制造方法
本专利技术涉及谐振器的制造方法。
技术介绍
在形成压电谐振器等谐振器之前，制造大量地掺杂有例如P(磷)等n型掺杂剂即杂质的Si(硅)的结晶块。从该结晶块切出多个晶圆，并在晶圆上规定的多个划分区域形成谐振器。然后，沿着晶圆的各划分区域的轮廓切分各划分区域从而形成谐振装置。Si的结晶块通过例如被称作CZ法(提拉法)的制造方法，通过使单晶的Si生长从而制造成近乎圆柱形状。具体而言，使大量地掺杂有例如P等n型掺杂剂的多晶的Si加热熔融，并向熔融的Si中浸入Si棒，使Si棒边旋转边进行拉起，由此制造结晶块。专利文献1：日本特开2010-028536号公报已知在这样的结晶块中，结晶块的径向的外周侧的杂质的浓度比内周侧大，同时结晶块的拉起方向的底部侧的杂质的浓度比上部侧大。根据这样的杂质的浓度的分布，在结晶块中，形成随着从内周侧朝向外周侧电阻率下降的电阻率的分布，并且形成随着从上部侧朝向底部侧电阻率下降的电阻率的分布。对于从具有这样的电阻率的分布的结晶块切出的多个晶圆，因杂质的浓度的分布，在各晶圆中电阻率出现偏差。在由这样的晶圆制造的谐振器中，因各晶圆的电阻率的偏差，在频率温度特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种谐振器的制造方法，其中，包括在处于简并状态的Si晶圆的表面形成Si氧化膜的步骤，所述Si氧化膜的厚度根据所述Si晶圆的杂质的掺杂量来设定。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.26 JP 2014-2653471.一种谐振器的制造方法，其中，包括在处于简并状态的Si晶圆的表面形成Si氧化膜的步骤，所述Si氧化膜的厚度根据所述Si晶圆的杂质的掺杂量来设定。2.根据权利要求1所述的谐振器的制造方法，其中，所述杂质的掺杂量以所述Si晶圆的面内方向上的杂质的掺杂量的平均来确定。3.根据权利要求1或2所述的谐振器的制造方法，其中，还包括在所述Si晶圆的表面形成压电薄膜的步骤，所述压电薄膜的厚度根据所述Si晶圆的所述杂质的掺杂量的在面内方向上的分布来设定。4.根据权利要求3所述的谐振器的制造方法，其中，所述压电薄膜的厚度的分布基于所述杂质的掺杂量以及所述谐振器的弹性常数的温度系数来设定。5.根据权利要求1或2所述的谐振器的制造方法，其中，还包括在所述Si晶圆的表面形成谐振器构成薄膜的步骤，所述谐振器构成薄膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅田圭一，山田宏，会田康弘，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP