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本发明提供一种能够有效地应对各晶圆的电阻率的偏差的谐振器的制造方法。谐振器的制造方法包括在处于简并状态的Si晶圆的表面形成Si氧化膜的步骤，Si氧化膜的厚度根据Si晶圆的杂质的掺杂量来设定。...
该专利属于株式会社村田制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社村田制作所授权不得商用。

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