离子导体及其制造方法技术

根据本发明专利技术的一个实施方式，提供一种离子导体，其包含锂(Li)、硼氢根(BH4

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】离子导体及其制造方法
本专利技术涉及离子导体及其制造方法。
技术介绍
近年来，在便携信息终端、便携电子设备、电动车、混合电动车、以及定置型蓄电系统等用途中，锂离子二次电池的需求日益增加。然而，在目前的锂离子二次电池中，使用可燃性的有机溶剂作为电解液，需要牢固的外壳以免有机溶剂泄漏。另外，在便携式个人计算机等中，需要采取应对万一电解液泄漏时的风险的结构等，对设备的结构存在限制。而且，其用途已经扩展到汽车和飞机等移动体，对于定置型的锂离子二次电池要求大的容量。在这样的状况下，有比现有技术更重视安全性的趋势，不使用有机溶剂等有害物质的全固体锂离子二次电池的开发正在全力进行。作为全固体锂离子二次电池的固体电解质，正在研究使用氧化物、磷酸化合物、有机高分子、硫化物等的技术。然而，氧化物和磷酸化合物具有其颗粒坚硬的特性。因此，为了使用这些材料成型为固体电解质层，通常需要在600℃以上的高的温度下进行烧结，这是很麻烦的。而且，在使用氧化物或磷酸化合物作为固体电解质层的材料的情况下，还具有固体电解质层与电极活性物质之间的界面电阻变大的缺点。有机高分子具有室温下的锂离子传导率低，并且当温度降低时传导性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子导体，其特征在于：包含锂Li、硼氢根BH4

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.22 JP 2014-2582121.一种离子导体，其特征在于：包含锂Li、硼氢根BH4-、磷P和硫S，且在X射线衍射中至少在2θ＝14.4±1.0度、15.0±1.0度、24.9±1.0度、29.2±1.5度、30.3±1.5度、51.1±2.5度和53.5±2.5度处具有衍射峰，其中，所述X射线衍射为CuKα：的X射线衍射。2.一种离子导体的制造方法，其特征在于，包括：将LiBH4和P2S5以LiBH4﹕P2S5＝x﹕(1－x)的摩尔比混合得到混合物的步骤，式中，x大于0.85且为0.98以下；和对所述混合物进行加热处理的步骤，所述离子导体包含锂Li、硼氢根BH4-、磷P和硫S，...

【专利技术属性】
技术研发人员：野上玄器，谷口贡，宇根本笃，松尾元彰，折茂慎一，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，东北泰克诺亚奇股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP