丁内酯化合物和制造方法技术

提供用于以良好的收率廉价地制造液晶表示元件等中使用的光聚合性化合物的新型制造方法和新型中间体化合物。一种式(1)所示化合物的制造方法，其中，使式(A)所示化合物与式(C)在金属锡或含锡化合物的存在下在酸性条件下发生反应；一种式(2‑A)所示化合物的制造方法，其中，使式(1)所示化合物与式(D)所示化合物在碱的存在下发生反应；以及，式(1)所示化合物、式(2‑A)所示化合物等。(式中，n表示1或2，J

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】丁内酯化合物和制造方法
本专利技术涉及具有丁内酯环的化合物的制造方法、以及其中使用的新型中间体化合物。
技术介绍
利用电场使相对于基板垂直取向的液晶分子进行响应的方式(也称为垂直取向(VA)方式)的液晶表示元件之中，在其制造过程中包括一边对液晶分子施加电压一边照射紫外线的步骤。对于这种垂直取向方式的液晶表示元件而言，已知的是，通过预先向液晶组合物中添加光聚合性化合物，并与聚酰亚胺等的垂直取向膜一同使用，一边对液晶单元施加电压一边照射紫外线，从而加快液晶响应速度的PSA(聚合物持续取向(PolymersustainedAlignment)型液晶显示器)(参照专利文献1和非专利文献1)。通常，响应于电场的液晶分子的倾斜方向被设置在基板上的突起、设置于表示用电极的狭缝等所控制，但据称：通过向液晶组合物中添加光聚合性化合物，并一边对液晶单元施加电压一边照射紫外线，从而在液晶取向膜上形成液晶分子的倾斜方向被记住的聚合物结构物，因此，与仅通过突起、狭缝来控制液晶分子倾斜方向的方法相比，液晶表示元件的响应速度变快。此外，有报告称：通过将光聚合性化合物添加至液晶取向膜中，而不添加至液晶组合物中，液晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种式(1)所示化合物的制造方法，其特征在于，使下述式(A)所示化合物与下述式(C)所示化合物在金属锡或含锡化合物的存在下在酸性条件下发生反应，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.04 JP 2014-2245111.一种式(1)所示化合物的制造方法，其特征在于，使下述式(A)所示化合物与下述式(C)所示化合物在金属锡或含锡化合物的存在下在酸性条件下发生反应，式(A)中，n表示1或2，式(C)中，J1表示卤素原子；R表示碳原子数1～6的烷基，式(1)中，n表示上述意义。2.一种下述式(3)所示化合物的制造方法，其中，使下述式(1)所示化合物与下述式(D)所示化合物在碱的存在下发生反应，接着，在式(2)中的R1为卤素原子的情况下，使所得反应产物与金属卤代物发生反应，式(1)中，n表示1或2，J2-Y1(D)式(D)中，J2表示卤素原子；Y1表示-SO2-R2；R2表示烃基，式(2)中，n表示1或2；R1表示OY1、卤素原子；Y1表示-SO2-R2；R2表示烃基。3.一种下述式(3)所示化合物的制造方法，其中，使下述式(2)所示化合物与下述式(E)所示化合物发生反应来制造，式(2)中，n表示1或2；R1表示OY1、氯、溴或碘；Y1...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤裕一，远藤雅久，孙军，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP