氮化镓肖特基二极管的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种氮化镓肖特基二极管的制造方法，该方法包括：在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上依次沉积氮化硅钝化层和PETEOS氧化层；制造氮化镓肖特基二极管的阴极；制造氮化镓肖特基二极管的阳极；对制造阳极后的氮化镓肖特基二极管进行退火处理。移除了阳极金属和铝镓氮界面附近的浅陷阱，减少了器件的阳极漏电现象，改善了器件的击穿电压，提高了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓肖特基二极管的制造方法
本专利技术实施例涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种氮化镓肖特基二极管的制造方法。
技术介绍
随着高效完备的功率转换电路及系统需求的日益增加，具有低功耗和高速特性的功率器件吸引了越来越多的关注。由于氮化镓具有较宽的禁带宽度，高电子饱和漂移速率，较高的击穿场强，良好的热稳定性，耐腐蚀和抗辐射性能，所以氮化镓在高压、高频、高温、大功率和抗辐照环境条件下具有较强的优势。是国际上广泛关注的新型宽禁带化合物半导体材料。而氮化镓肖特基二极管由于具有宽禁带和高电子迁移率等特点，使其在大功率和高速电子设备等方面有广泛的应用。虽然氮化镓肖特基二极管具有宽禁带和高电子迁移率等特点，但氮化镓肖特基二极管中铝镓氮/氮化镓异质结的陷阱在阳极漏电和击穿电压方面有很大影响，使器件的性能降低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种氮化镓肖特基二极管的制造方法，移除了阳极金属和铝镓氮界面附近的浅陷阱，减少了器件的阳极漏电现象，改善了器件的击穿电压，提高了器件的性能。本专利技术实施例提供一种氮化镓肖特基二极管的制造方法，包括：在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在所述铝镓氮势垒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在所述铝镓氮势垒层上依次沉积氮化硅钝化层和PETEOS氧化层；制造所述氮化镓肖特基二极管的阴极；制造所述氮化镓肖特基二极管的阳极；对制造所述阳极后的氮化镓肖特基二极管进行退火处理。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在所述铝镓氮势垒层上依次沉积氮化硅钝化层和PETEOS氧化层；制造所述氮化镓肖特基二极管的阴极；制造所述氮化镓肖特基二极管的阳极；对制造所述阳极后的氮化镓肖特基二极管进行退火处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理的温度为400摄氏度，所述退火处理的时间为20分钟，所述退火处理在氮气氛围中。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述制造所述氮化镓肖特基二极管的阴极具体包括：刻蚀左侧部分区域的PETEOS氧化层，形成第一氧化层开孔，在所述第一氧化层开孔内刻蚀所述氮化硅钝化层直到所述铝镓氮势垒层表面，形成阴极接触孔；在所述阴极接触孔内，所述阴极接触孔上方及所述PETEOS氧化层上方沉积阴极金属层；采用电子束工艺蒸发所述阴极金属层中的金属；对所述PETEOS氧化层上方的阴极金属层进行光刻，刻蚀，形成阴极。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述制造所述氮化镓肖特基二极管的阳极具体包括：刻蚀右侧部分区域的PETEOS氧化层，形成第二氧化层开孔，在所述第二氧化层开孔内刻蚀所述氮化硅钝化层直到所述铝镓氮势垒层表面，形成阳极接触孔；在所述阳极接触孔内、所述阳极...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘美华，孙辉，林信南，陈建国，
申请(专利权)人：北京大学，北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11