可重构环形天线中基于台状有源区PIN二极管串的制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
可重构环形天线中基于台状有源区PIN二极管串的制备方法
本专利技术涉及半导体器件制造
，特别涉及一种可重构环形天线中基于台状有源区PIN二极管串的制备方法。
技术介绍
传统金属天线由于其重量和体积都相对较大，设计制作不灵活，自重构性和适应性较差，严重制约了雷达与通信系统的发展和性能的进一步提高。因此，近年来，研究天线宽频带、小型化、以及重构与复用的理论日趋活跃。在这种背景下，研究人员提出了一种新型天线概念-等离子体天线，该天线是一种将等离子体作为电磁辐射导向媒质的射频天线。等离子体天线的可利用改变等离子体密度来改变天线的瞬时带宽、且具有大的动态范围；还可以通过改变等离子体谐振、阻抗以及密度等，调整天线的频率、波束宽度、功率、增益和方向性动态参数；另外，等离子体天线在没有激发的状态下，雷达散射截面可以忽略不计，而天线仅在通信发送或接收的短时间内激发，提高了天线的隐蔽性，这些性质可广泛的应用于各种侦察、预警和对抗雷达，星载、机载和导弹天线，微波成像天线，高信噪比的微波通信天线等领域，极大地引起了国内外研究人员的关注，成为了天线研究领域的热点。但是当前绝大多数的研...
【技术保护点】
一种可重构环形天线中基于台状有源区PIN二极管串的制备方法，其特征在于，所述PIN二极管用于制作可重构环形天线，所述环形天线包括：半导体基片(1)；介质板(2)；第一PIN二极管环(3)、第二PIN二极管环(4)、第一直流偏置线(5)及第二直流偏置线(6)，均设置于所述半导体基片(1)上；耦合式馈源(7)，设置于所述介质板(2)上。所述制备方法包括步骤：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区；(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(d)利用CVD工艺，在所述台状有源区四周淀积所述多晶Si材料；(e)利用...
【技术特征摘要】
1.一种可重构环形天线中基于台状有源区PIN二极管串的制备方法，其特征在于，所述PIN二极管用于制作可重构环形天线，所述环形天线包括：半导体基片(1)；介质板(2)；第一PIN二极管环(3)、第二PIN二极管环(4)、第一直流偏置线(5)及第二直流偏置线(6)，均设置于所述半导体基片(1)上；耦合式馈源(7)，设置于所述介质板(2)上。所述制备方法包括步骤：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区；(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(d)利用CVD工艺，在所述台状有源区四周淀积所述多晶Si材料；(e)利用CVD工艺，在整个衬底表面淀积第四保护层；(f)利用退火工艺激活所述P区和所述N区中的杂质；(g)在所述多晶Si材料表面制作引线并光刻PAD以形成所述PIN二极管串。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)包括：(b1)利用CVD工艺，在所述SOI衬底表面形成第一保护层；(b2)采用第一掩膜版，利用光刻工艺在所述第一保护层上形成有源区图形；(b3)利用干法刻蚀工艺，对所述有源区图形的指定位置四周刻蚀所述第一保护层及所述SOI衬底的顶层Si层从而形成有所述台状有源区。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)之后，还包括：(x1)利用氧化工艺，对所述台状有源区的侧壁进行氧化以在所述台状有源区侧壁形成氧化层；(x2)利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层以完成对所述台状有源区侧壁的平整化处理。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(c)包括：(c1)在整个衬底表面淀积第二保护层；(c2)采用第二掩膜板，利用光刻工艺在所述第二保护层表面形成P区图形；(c3)利用湿法刻蚀工艺去除P区图形上的所述第二保护层；(c4)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区侧壁淀积P型Si材料形成所述P区；(c5)在整个衬底表面淀积第三保护层；(c6)采用第三掩膜板，利用光刻工艺在所述第三保护层表面形成N区图形；(c7)利用湿法刻蚀工艺去除N区图形上的所述第三保护层；(c8)利用原...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹晓雪，张亮，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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