功率整流二极管的制法制造技术

一种功率整流二极管的制法，包含提供一第一导电型的基板，该基板具有一主动区与一终端区；在该基板上形成一层氧化层；搭配同一道光罩蚀刻该氧化层，以形成一第一开口与一第二开口；形成一多晶硅层与一第一阻挡层；于该基板对应于该第一开口处进行掺杂制程以形成一第二导电型的场环区；形成一第二阻挡层；于该基板对应于该第二开口处进行掺杂制程以形成一第二导电型的主体区；移除位于该主动区上的该第一阻挡层；形成电极。通过改变功率整流二极管的制作过程，可以减化光罩数量，降低制作成本。

【技术实现步骤摘要】
功率整流二极管的制法
本专利技术涉及一种二极管的制法，特别是涉及一种功率整流二极管的制法。
技术介绍
参阅图1，已知的功率整流二极管的制法包含以下步骤：提供一个n型的基板11，该基板11具有一n型磊晶层12，以及一位于该n型磊晶层12底部的n型电极接触层10。该基板11具有一个为其主要工作区域的主动区(Cell)111，以及一连接于该主动区111一侧并且位于元件边缘的终端区(Termination)112。在该基板11顶面形成一个氧化层13，并搭配第一道光罩蚀刻移除该氧化层13位于该终端区112上的局部区域，以形成一第一开口131。于该基板11对应于该第一开口131的部位进行离子布植以得到一个p型场环14(p-typefieldring)。接着进行该基板11的主动区111的结构制作，先搭配第二道光罩蚀刻移除该氧化层13位于该主动区111上的局部区域(如图1的第三道流程)。再于该氧化层13上先形成一个连续的n型多晶硅薄膜(图未示)，再搭配第三道光罩将该n型多晶硅薄膜的局部蚀刻移除以形成一个n型多晶硅层15，且该氧化层13局部亦被移除而形成数个第二开口132。接着利用离子布植方式先于该基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率整流二极管的制法，其特征在于其包含：步骤A：提供一个第一导电型的基板，该基板具有一个主动区与一个终端区；步骤B：在该基板上形成一个氧化层；步骤C：搭配同一道光罩蚀刻该氧化层，以形成一个第一开口与一个第二开口，该第一开口与该第二开口的位置分别对应该终端区与该主动区，且该第一开口的开口尺寸大于该第二开口的开口尺寸；步骤D：形成一个第一导电型的多晶硅层，该多晶硅层覆盖于该氧化层的该第一开口与该第二开口；于该多晶硅层上形成一个第一阻挡层，且该第一阻挡层覆盖于该第二开口的厚度大于覆盖于该第一开口的厚度；步骤E：于该基板对应于该第一开口处进行掺杂制程以形成一个第二导电型的场环区；步骤F：形成一个第...

【技术特征摘要】
1.一种功率整流二极管的制法，其特征在于其包含：步骤A：提供一个第一导电型的基板，该基板具有一个主动区与一个终端区；步骤B：在该基板上形成一个氧化层；步骤C：搭配同一道光罩蚀刻该氧化层，以形成一个第一开口与一个第二开口，该第一开口与该第二开口的位置分别对应该终端区与该主动区，且该第一开口的开口尺寸大于该第二开口的开口尺寸；步骤D：形成一个第一导电型的多晶硅层，该多晶硅层覆盖于该氧化层的该第一开口与该第二开口；于该多晶硅层上形成一个第一阻挡层，且该第一阻挡层覆盖于该第二开口的厚度大于覆盖于该第一开口的厚度；步骤E：于该基板对应于该第一开口处进行掺杂制程以形成一个第二导电型的场环区；步骤F：形成一个第二阻挡层以覆盖该终端区上的部位；步骤G：于该基板对应于该第二开口处进行掺杂制程以形成一个第二导电型的主体区，并于该主体区上形成二个左右间隔且为第一导电型的掺杂区；步骤H：移除位于该主动区上的该第一阻挡层；步骤I：形成一个电极，该电极接触该多晶硅层、该主体区及所述掺杂区。2.如权利要求1所述的功率整流二极管的制法，其特征在于：步骤F是先于整个基板上形成该第二阻挡层，使该第二阻挡层完全覆盖该多晶硅层与该第一阻挡层，再搭配光罩蚀刻移除该第二阻挡层覆盖于...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐树澍，
申请(专利权)人：璟茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71