一种功率整流二极管的制法，包含提供一第一导电型的基板，该基板具有一主动区与一终端区；在该基板上形成一层氧化层；搭配同一道光罩蚀刻该氧化层，以形成一第一开口与一第二开口；形成一多晶硅层与一第一阻挡层；于该基板对应于该第一开口处进行掺杂制程...

本发明为玻璃保护式二极管及其制法，该制法是在一基板上形成多个交错沟槽；在前述沟槽侧壁形成保护胶层并预留切割道位置；升温烘烤基板以烧除该保护胶层中的聚酯而留下玻璃粉；刮除凸出于该基板顶面的玻璃粉；升温烧结该玻璃粉使其形成未高于基板顶面的一...

本实用新型是涉及一种高抗静电能力的肖特基二极管，主要是在一N+型掺杂层上形成有一N-型掺杂漂移层，该N-型掺杂漂移层具有一表面，并形成一凹入表面的护环，护环内为一P型掺杂区；又N-型掺杂漂移层表面进一步形成一氧化层及一金属层，该金属层与...

本实用新型提供了一种低正向导通压降的肖特基二极管，主要是在一N+型掺杂层上形成有一N-型掺杂漂移层，该N-型掺杂漂移层具有一第一表面，并形成一凹入第一表面的护环，护环内为一P型掺杂区；又N-型掺杂漂移层表面进一步形成一氧化层及一金属层，...

本实用新型涉及一种可降低正向导通压降的肖特基二极管，主要是在一N+型掺杂层上形成有一N-型掺杂漂移层，该N-型掺杂漂移层具有一表面，并形成一凹入表面的护环，护环内为一P型掺杂区；另外，N-型掺杂漂移层表面进一步形成一氧化层及一金属层，该...

本发明一种可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构，具有一第一导电性材料半导体基板及与其结合的一金属层，在第一导电性材料半导体基板与金属层结合的周缘具有一氧化层，其中，该第一导电性材料半导体基板于邻接金属层的表面内部形成有多个...

本发明为一种利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，具有一第一导电性材料半导体基板及与其结合的一金属层，在第一导电性材料半导体与金属层结合的周缘具有一氧化层，其中，该第一导电性材料半导体基板于邻接金属层的表面内部形成有多个呈...

本实用新型一种可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构，具有一第一导电性材料半导体基板及与其结合的一金属层，在第一导电性材料半导体基板与金属层结合的周缘具有一氧化层，其中，该第一导电性材料半导体基板于邻接金属层的表面内部形成有...

本实用新型为一种利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，具有一第一导电性材料半导体基板及与其结合的一金属层，在第一导电性材料半导体与金属层结合的周缘具有一氧化层，其中，该第一导电性材料半导体基板于邻接金属层的表面内部形成有多...