利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构制造技术

本实用新型专利技术为一种利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，具有一第一导电性材料半导体基板及与其结合的一金属层，在第一导电性材料半导体与金属层结合的周缘具有一氧化层，其中，该第一导电性材料半导体基板于邻接金属层的表面内部形成有多个呈线状排列的第二导电性材料区域，该第二导电性材料区域可在第一导电性材料半导体基板内形成空乏区，由此空乏区能减少萧特基二极管的漏电面积，进而降低其逆向漏电流及顺向压降；前述第一导电性材料为Ｐ型半导体时，第二导电性材料即为Ｎ型半导体，反之，第一导电性材料为Ｎ型半导体时，第二导电性材料即为Ｐ型半导体。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术关于一种二极管，尤指一种在第一导电性材料半导体基板内部形成线状分布的第二导电性材料区域而产生空乏区，以降低逆向漏电流及顺向压降的萧特基二极管结构。
技术介绍
请参考图5所示，图中所示特性曲线A为一般P-N接面的二极管，另一曲线B为一般萧特基二极管的特性曲线。其中，当施加在二极管的电流为顺向电流时，可看出P-N接面 二极管在顺向导电流小的范围其顺向压降高于萧特基二极管的顺向压降，惟一般的P-N接 面二极管当施加在其元件的顺向电流增大后，其元件随着每增加的单位电流所提高的顺向 压降会小于萧特基二极管每增加单位电流所提高的顺向压降，萧特基二极管在大顺向电流 的工作区域时，其顺向压降的变化类似电阻特性，将会快速增加，故远比P-N接面二极管的 顺向压降高，若能障高度(barrier height)越低则此现象将会越明显。如图5所示，P-N接 面二极管和萧特基二极管的顺向压降会在电流区域有交叉的点出现。相较于P-N接面二极 管，萧特基二极管的顺向导通电压较低且反向恢复时间小，可应用于高速操作，所以常被应 用于高频率的整流。以另一个角度来看，当施加逆向电压时，可发现萧特基二极管的逆向漏电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，其特征在于，包含有：　　一第一导电性材料半导体基板，于内部形成一环形的保护环，该保护环围绕的区域一为动作区，在动作区内部形成多个呈线状分布的第二导电性材料区域以在第一导电性材料半导体基板内部产生空乏区；　　一氧化层，覆盖于该第一导电性材料半导基板表面；　　一金属层，覆盖于该氧化层及第一导电性材料半导体基板的动作区，该金属层与第一导电性材料半导体基板之间形成萧特基接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：童钧彦，陈坤贤，王凯莹，沈宜蓁，翁宏达，
申请(专利权)人：璟茂科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]