【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体器件，具体涉及一种整流二极管。
技术介绍
整流二极管是最基本的半导体器件，主要作用为将交流电转变为直流电，广泛应 用于各种电子线路。二极管晶粒主要有GPP和0/J两类。GPP晶粒制作的整流二极管高温 特性好，但是晶粒造价高，晶粒周围的玻璃钝化层使其有效面积减小造成正向导通压降较大，电能损耗大。o/j晶粒成本低，但是四角外形晶粒焊接面积小，正向压降高，难以清洗，边角尖端放电，高温特性不好。
技术实现思路
针对上述技术问题，本技术的目的是提供一种利于提高导通电压以及散热性 能好的整流二极管。 实现本技术目的的技术方案如下 整流二极管，硅晶片的两侧面均设有焊片，各焊片上固定一个导电体，硅晶片以及 固定有导电体的焊片通过环氧树脂所包覆，所述硅晶片为大于四边以上的多边型体，该多 边型体的硅晶片的各条边上形成有向硅晶片两侧面的凸出结构，凸出结构的表面设有保护层。 所述凸出结构为弧形的延伸体。 所述凸出结构的厚度为3-5mm。 采用了上述方案，所述硅晶片为大于四边以上的多边型体，该多边型体的硅晶片 的各条边上形成有向硅晶片两侧面的凸出结构，通过在硅晶片两侧面设置凸出结构后，可 增大硅晶片有效面积，不但利于增大正向的导通电压，减小电能损耗，而且有效面积增大 后，其散热面积也得以增大，这样可以使得硅晶片高温特性增强。并且与环氧树脂的接触面 积也得以增大，使得热传递的有效面积增大，利于提高散热性能。凸出结构的表面设有保护 层。凸出结构的表面设有保护层，通过保护层可起到绝缘保护的作用。附图说明图1为本技术的结构示意图； 附图中，1为硅晶片，2为焊片，3为导电体...
【技术保护点】
整流二极管，硅晶片的两侧面均设有焊片，各焊片上固定一个导电体，硅晶片以及固定有导电体的焊片通过环氧树脂所包覆，其特征在于：所述硅晶片为大于四边以上的多边型体，该多边型体的硅晶片的各条边上形成有向硅晶片两侧面的凸出结构，凸出结构的表面设有保护层。
【技术特征摘要】
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