耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法技术

本发明专利技术提供一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，该方法首先通过在器件的表面上制作氮化镓肖特基二极管的阳极和阴极；并在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层；再通过对部分阳极表面区域和部分阴极表面区域上方的第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层进行刻蚀，生成第一阳极通孔和第一阴极通孔；最后通过在器件的表面上淀积一层导通金属，并对所述导通金属进行刻蚀，保留位于第一阳极通孔和第一阴极通孔内的金属，形成耐压氮化镓肖特基二极管器件。降低了所述器件表面的粗糙程度，减少了器件表面吸附的杂质和静电，缓解了器件表面漏电，增强了器件的耐压性能。

【技术实现步骤摘要】
耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法
本专利技术涉及半导体器件的制造工艺
，尤其涉及一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法。
技术介绍
在传统的氮化镓肖特基二极管的制作工艺中，通常通过过刻蚀工艺对电极金属进行刻蚀，以确保电极金属刻蚀完全。但是，由于电极金属的过刻蚀会使得二极管的表面变的粗糙，使得二极管器件的表面极易吸附杂质和电荷，从而导致了二极管器件表面漏电、抗击穿能力差、器件耐压性能较低等问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，用以优化传统的氮化镓肖特基二极管器件的制作工艺，缓解器件表面漏电，增强器件耐压性能。本专利技术提供的耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，包括：在器件的表面上制作氮化镓肖特基二极管的阳极和阴极，其中，所述器件包括衬底以及依次生长在所述衬底表面上的GaN缓冲层和AlGaN势垒层；在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层；对部分阳极表面区域和部分阴极表面区域上方的所述第一PETEOS氧化层和所述第一氮化硅层进行刻蚀，生成第一阳极通孔和第一阴极通孔；在器件的表面上淀积一层导通金属，并对所述导通金属进行刻蚀，保留位于所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：在器件的表面上制作氮化镓肖特基二极管的阳极和阴极，其中，所述器件包括衬底以及依次生长在所述衬底表面上的GaN缓冲层和AlGaN势垒层；在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层；对部分阳极表面区域和部分阴极表面区域上方的所述第一PETEOS氧化层和所述第一氮化硅层进行刻蚀，生成第一阳极通孔和第一阴极通孔；在器件的表面上淀积一层导通金属，并对所述导通金属进行刻蚀，保留位于所述第一阳极通孔和所述第一阴极通孔内的导通金属。

【技术特征摘要】
1.一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：在器件的表面上制作氮化镓肖特基二极管的阳极和阴极，其中，所述器件包括衬底以及依次生长在所述衬底表面上的GaN缓冲层和AlGaN势垒层；在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层；对部分阳极表面区域和部分阴极表面区域上方的所述第一PETEOS氧化层和所述第一氮化硅层进行刻蚀，生成第一阳极通孔和第一阴极通孔；在器件的表面上淀积一层导通金属，并对所述导通金属进行刻蚀，保留位于所述第一阳极通孔和所述第一阴极通孔内的导通金属。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在器件的表面上制作二极管的阳极和阴极，包括：采用淀积工艺在所述AlGaN势垒层表面上依次淀积第二氮化硅层和第二PETEOS氧化层；采用刻蚀工艺，将位于第一区域内的所述第二PETEOS氧化层和所述第二氮化硅层刻蚀掉，形成第二阴极通孔；采用淀积工艺，在所述器件的表面上淀积一层阴极金属；采用刻蚀工艺，对所述阴极金属进行刻蚀，形成阴极；采用刻蚀工艺，将位于第二区域内的所述第二PETEOS氧化层和所述第二氮化硅层刻蚀掉，形成第二阳极通孔，所述第二区域与所述第一区域的交集为空；采用淀积工艺，在所述器件的表面上淀积一层阳极金属，并通过刻蚀工艺对所述阳极金属进行刻蚀，形成阳极。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层，包括：采用化学气相淀积的工艺在器件的表面上淀积所述第一PETEOS氧化层；在温度小于300摄氏度的条件下，在所述第一PETEOS氧化层的表面上淀积所述第一氮化硅层。4.根据权利要求2所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘美华，孙辉，林信南，陈建国，
申请(专利权)人：北京大学，北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11