存储元件制造技术

本发明专利技术涉及一种存储元件，该存储元件包括：存储层，包括根据信息而变化的磁化方向；磁化固定层，包括固定的磁化方向；以及中间层，包含非磁性材料、设置在所述存储层与所述磁化固定层之间，其中，所述磁化固定层包括将耦合层介入其间而层压的至少第一铁磁层和第二铁磁层，所述第一铁磁层的磁化方向与所述第二铁磁层的磁化方向不同。

【技术实现步骤摘要】
存储元件本申请是国际申请日为2012年10月31日，于2014年5月23日进入中国国家阶段的申请号为2012800579121(国际申请号为PCT/JP2012/006989)，专利技术名称为“存储元件和存储装置”的申请的分案申请。
本专利技术涉及通过使用自旋扭矩磁化反转进行记录的存储元件和存储装置。
技术介绍
随着从移动终端到大容量服务器的各种信息设备的快速发展，人们追求有关组成这种信息设备的存储器、逻辑以及其他元件的诸如高集成化、高速度以及低功耗等越来越高的性能。具体地，在半导体非易失性存储器方面已经取得显著进步，并且作为大容量文件存储器的闪存已经得到广泛的应用，似乎它们能够取代硬盘。同时，考虑到还将开发扩展至代码存储和工作存储器，已经开始开发半导体非易失性存储器来取代目前通常使用的NOR闪存存储器、DRAM等。半导体非易失性存储器的实施例包括FeRAM(铁电随机存取存储器)MRAM(磁性随机存取存储器)、PCRAM(相变RAM)等。已经实现其中的一些。在这些非易失性存储器中，MRAM能够高速重写以及它们通过利用磁性材料的磁化方向执行数据存储从而也能够几乎无限次(1015次以上)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储元件，包括：存储层，包括根据信息而变化的磁化方向；磁化固定层，包括固定的磁化方向；以及中间层，包含非磁性材料、设置在所述存储层与所述磁化固定层之间，其中，所述磁化固定层包括将耦合层介入其间而层压的至少第一铁磁层和第二铁磁层，所述第一铁磁层的磁化方向与所述第二铁磁层的磁化方向不同。

【技术特征摘要】
2011.11.30 JP 2011-2615201.一种存储元件，包括：存储层，包括根据信息而变化的磁化方向；磁化固定层，包括固定的磁化方向；以及中间层，包含非磁性材料、设置在所述存储层与所述磁化固定层之间，其中，所述磁化固定层包括将耦合层介入其间而层压的至少第一铁磁层和第二铁磁层，所述第一铁磁层的磁化方向与所述第二铁磁层的磁化方向不同。2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述第一铁磁层、所述耦合层和所述第二铁磁层按顺序进行层压。3.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述第一铁磁层具有第一磁能，所述第一磁能被定义为具有通过从所述第一铁磁层的磁化位于所述第一铁磁层的膜表面内的状态下的磁能减去所述第一铁磁层的磁化垂直于所述第一铁磁层的膜表面的状态下的磁能计算的值。4.根据权利要求3所述的存储元件，其中，所述第二铁磁层具有第二磁能，所述第二磁能被定义为具有通过从所述第二铁磁层的磁化位于所述第二铁磁层的膜表面内的状态下的磁能减去所述第二铁磁层的磁化垂直于所述第二铁磁层的膜表内的状态下的磁能计算的值。5.根据权利要求4所述的存储元件，其中，所述第一磁能和所述第二磁能具有带不同符号的值。6.根据权利要求4或5所述的存储元件，其中，插入所述耦合层的所述第一铁磁层和所述第二铁磁层的磁耦合能被定义为层间磁耦合能，并且所述层间磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：肥后丰，细见政功，大森广之，别所和宏，浅山徹哉，山根一阳，内田裕行，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP