一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括如下步骤：形成第一层有源层，包括相对设置的源极区和漏极区；形成第二层有源层，第二层有源层覆盖第一层有源层和第一层有源层所在表面中未被第一层有源层覆盖的位置；在第二层有源层表面形成遮盖层，遮盖层包括遮盖区，遮盖区位于源极区和漏极区之间，且遮盖区与源极区和漏极区之间具有间隔；对第二层有源层进行掺杂，在第二层有源层和第一层有源层重叠的位置形成高掺杂区，在第二层有源层和第一层有源层不重叠的位置且未被遮盖层覆盖的位置形成轻掺杂区，遮盖区与源极区和漏极区的间隔处形成轻掺杂漏区。本发明专利技术解决了现有的制造方法工艺复杂的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法
本专利技术涉及阵列基板的制造领域，特别涉及一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法。
技术介绍
现有的具有轻掺杂漏区结构的薄膜晶体管的制备方法，如图1和图2所示，包括：步骤1：形成第一层有源层，第一层有源层包括源极区11和漏极区12；步骤2：形成第二层有源区，第二层有源层20覆盖源极区11和漏极区12之间的间隔；步骤3：在源极区和漏极区之间的第二层有源区表面形成宽遮盖区31，如图1所示；步骤4：对源极区和漏极区进行掺杂，形成重掺杂区；步骤5：刻蚀宽遮盖区31，形成窄遮盖区32且窄遮盖区32与源极区11和漏极区12之间具有间隔，如图2所示；步骤6：对第二层有源区从窄遮盖区32和源极区11之间的间隔和窄遮盖区32和漏极区12之间的间隔露出的部分进行掺杂，形成轻掺杂区，即形成轻掺杂漏区。在现有技术中，掺杂的工艺需要进行两次，且在第一次掺杂时需要遮盖住第二次掺杂的位置，工艺较为复杂，不利于具有轻掺杂漏区结构的薄膜晶体管的制备。
技术实现思路
本专利技术提供了一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法，与现有技术相比，解决了现有的制造方法制造工艺复杂的技术问题。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：形成第一层有源层，所述第一层有源层包括相对设置的源极区和漏极区；形成第二层有源层，所述第二层有源层覆盖所述第一层有源层和所述第一层有源层所在表面中未被所述第一层有源层覆盖的位置；在所述第二层有源层表面形成遮盖层，所述遮盖层包括遮盖区，所述遮盖区位于所述源极区和所述漏极区之间，且所述遮盖区与所述源极区和所述漏极区之间具有间隔；对所述第二层有源层进行掺杂，在所述第二层有源层和所述第一层有源层重叠的位置形成高掺杂区，在所述第二层有源层和所述第一层有源层不重叠的位置且未被所述遮盖层覆盖的位置形成轻掺杂区，所述遮盖区与所述源极区和所述漏极区的间隔处形成轻掺杂漏区。作为一种可选的方式，所述薄膜晶体管是顶栅型薄膜晶体管，在所述第二层有源层表面形成遮盖层具体包括如下步骤：形成栅绝缘层，所述栅绝缘层包括栅绝缘区；形成位于所述栅绝缘层之上的栅极层，所述栅极层包括栅极区且所述栅极区与所述栅绝缘区层叠设置，层叠的所述栅绝缘区和所述栅极区作为所述覆盖区。作为一种可选的方式，在形成第一层有源层步骤之前，还包括如下步骤：在玻璃基板的第一侧板面形成柔性胶层；在所述柔性胶层的表面形成缓冲层。作为一种可选的方式，所述薄膜晶体管是底栅型薄膜晶体管，形成第一层有源层步骤之前，还包括如下步骤：在衬底的第一侧板面形成栅极层，栅极层包括栅极区；形成覆盖所述栅极层的栅绝缘层，栅绝缘层包括栅绝缘区且栅绝缘区覆盖栅极区；在形成第一层有源层步骤中，所述源极区和所述漏极区位于所述栅极区相对的两侧，且所述栅极区与所述源极区和所述漏极区之间分别具有间隔；所述遮盖区用于遮盖所述栅极层中的栅极区。作为一种可选的方式，在衬底的第一侧板面形成栅极层步骤之前，还包括如下步骤：在玻璃基板的第一侧板面形成柔性胶层；在所述柔性胶层的表面形成缓冲层。作为一种可选的方式，所述遮盖区与所述源极区的间隔及所述遮盖区和所述漏极区的间隔宽度相同。作为一种可选的方式，所述第一层有源层是多晶硅层，所述第二层有源层是多晶硅层。作为一种可选的方式，所述第一层有源层的厚度为100～150纳米之间的任一值，所述第二层有源层的厚度为10～50纳米之间的任一值。作为一种可选的方式，还包括如下步骤：形成分别连接至所述源极区的源极和连接至所述漏极区的漏极。本专利技术还提供以下技术方案：一种阵列基板的制造方法，包括上述任一所述的薄膜晶体管的制造方法。本专利技术提供的薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：形成第一层有源层，第一层有源层包括相对设置的源极区和漏极区；形成第二层有源层，第二层有源层覆盖第一层有源层和第一层有源层所在表面中未被第一层有源层覆盖的位置；即第一层有源层和第二层有源层在源极区和漏极区的位置重叠，在源极区和漏极区之外的位置仅有第二层有源层；在第二层有源层表面形成遮盖层，遮盖层包括遮盖区，遮盖区位于源极区和漏极区之间，且遮盖区与源极区和漏极区之间具有间隔；即遮盖区将源极区和漏极区之间作为沟道部分的区域进行遮盖，遮盖区和源极区之间的间隔以及遮盖区和漏极区之间的间隔处露出第二层有源层；到此，需要进行高掺杂的源极区和漏极区，需要轻掺杂的遮盖区和源极区之间的间隔以及遮盖区和漏极区之间的间隔处露出第二层有源层的部分高度是不同的；对第二层有源层进行掺杂，由于掺杂工艺对被掺杂区的高度是较为敏感的，这样，只需要进行一次掺杂工艺，就可以在第二层有源层和第一层有源层重叠的位置形成高掺杂区，在第二层有源层和第一层有源层不重叠的位置且未被遮盖层覆盖的位置形成轻掺杂区，遮盖区与源极区和漏极区的间隔处形成轻掺杂漏区；即只需要进行一次掺杂工艺，就可实现形成高掺杂区和轻掺杂区，简化了薄膜晶体管制造工艺的制造步骤。本专利技术的阵列基板的制造方法包括上述薄膜晶体管的制造方法，简化了阵列基板制造工艺的制造步骤。附图说明图1为
技术介绍
中具有轻掺杂漏区结构的薄膜晶体管的制备方法在实施步骤3后的结构示意图；图2为
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中具有轻掺杂漏区结构的薄膜晶体管的制备方法在实施步骤5后的结构示意图；图3为本专利技术的薄膜晶体管的制造方法的流程图；图4为本专利技术的一个实施例的薄膜晶体管的制造方法的完成形成第一层有源层步骤后的结构示意图；图5为图4所示的薄膜晶体管的制造方法的完成形成第二层有源层步骤后的结构示意图；图6为图4所示的薄膜晶体管的制造方法的完成对第二层有源层进行掺杂步骤后结构示意图；图7为本专利技术的另一个实施例的薄膜晶体管的制造方法的完成形成第一层有源层步骤后的结构示意图；图8为图7所示的薄膜晶体管的制造方法的完成形成第二层有源层步骤后的结构示意图；图9为图7所示的薄膜晶体管的制造方法的完成对第二层有源层进行掺杂步骤后结构示意图。主要元件附图标记说明：
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：11源极区，12漏极区，20第二层有源层，31宽遮盖区，32窄遮盖区；本专利技术中：110源极区，120漏极区，200第二层有源层，310遮盖区，411栅绝缘区，412栅极区，500柔性胶层，600缓冲层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的薄膜晶体管的制造方法，如图3至图9所示，包括：形成第一层有源层，第一层有源层包括相对设置的源极区110和漏极区120；形成第二层有源层200，第二层有源层200覆盖第一层有源层和第一层有源层所在表面中未被第一层有源层覆盖的位置；在第二层有源层表面形成遮盖层，遮盖层包括遮盖区310，遮盖区310位于源极区110和漏极区120之间，且遮盖区310与源极区110和漏极区120之间具有间隔；对第二层有源层200进行掺杂，在第二层有源层200和第一层有源层重叠的位置形成高掺杂区，在第二层有源层200和第一层有源层不重叠的位置且未被遮盖层覆盖的位置形成轻掺杂区，遮盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：形成第一层有源层，所述第一层有源层包括相对设置的源极区和漏极区；形成第二层有源层，所述第二层有源层覆盖所述第一层有源层和所述第一层有源层所在表面中未被所述第一层有源层覆盖的位置；在所述第二层有源层表面形成遮盖层，所述遮盖层包括遮盖区，所述遮盖区位于所述源极区和所述漏极区之间，且所述遮盖区与所述源极区和所述漏极区之间具有间隔；对所述第二层有源层进行掺杂，在所述第二层有源层和所述第一层有源层重叠的位置形成高掺杂区，在所述第二层有源层和所述第一层有源层不重叠的位置且未被所述遮盖层覆盖的位置形成轻掺杂区，所述遮盖区与所述源极区和所述漏极区的间隔处形成轻掺杂漏区。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：形成第一层有源层，所述第一层有源层包括相对设置的源极区和漏极区；形成第二层有源层，所述第二层有源层覆盖所述第一层有源层和所述第一层有源层所在表面中未被所述第一层有源层覆盖的位置；在所述第二层有源层表面形成遮盖层，所述遮盖层包括遮盖区，所述遮盖区位于所述源极区和所述漏极区之间，且所述遮盖区与所述源极区和所述漏极区之间具有间隔；对所述第二层有源层进行掺杂，在所述第二层有源层和所述第一层有源层重叠的位置形成高掺杂区，在所述第二层有源层和所述第一层有源层不重叠的位置且未被所述遮盖层覆盖的位置形成轻掺杂区，所述遮盖区与所述源极区和所述漏极区的间隔处形成轻掺杂漏区。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管是顶栅型薄膜晶体管，在所述第二层有源层表面形成遮盖层具体包括如下步骤：形成栅绝缘层，所述栅绝缘层包括栅绝缘区；形成位于所述栅绝缘层之上的栅极层，所述栅极层包括栅极区且所述栅极区与所述栅绝缘区层叠设置，层叠的所述栅绝缘区和所述栅极区作为所述覆盖区。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在形成第一层有源层步骤之前，还包括如下步骤：在玻璃基板的第一侧板面形成柔性胶层；在所述柔性胶层的表面形成缓冲层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王利忠，邸云萍，周天民，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11