高介电低损耗无规共聚物电介质材料及制备方法技术

本发明专利技术公开了可交联高介电低损耗聚合物绝缘材料的合成，交联制膜方法，以及其用于场效应晶体管绝缘层的制备方法；该聚合物绝缘材料的结构通式为：

High dielectric, low loss random copolymer dielectric material and preparation method thereof

The invention discloses a crosslinkable high dielectric constant and low dielectric loss of polymer insulating material synthesis, crosslinking membrane preparation method and its preparation method for field effect transistor insulating layer; the insulating polymer materials for general structure:

【技术实现步骤摘要】
高介电低损耗无规共聚物电介质材料及制备方法
本专利技术涉及一种高介电低损耗无规共聚物电介质材料及制备方法，属于电介质材料及储能材料制备

技术介绍
高介电材料在电子电器的各个领域有着广泛的应用。随着微电子器件的发展，具有高储能密度的绝缘材料在促进电子器件微型化，轻量化，以及节能操作方面都有重要的意义。应用于储能器件及其微电子器件中的高介电材料需要有着如下性能：高的介电常数，低介电损耗，高击穿强度，柔性以及可加工性能。绝缘材料主要有三种：陶瓷材料，聚合物材料，无机陶瓷/聚合物复合材料。陶瓷材料虽然有着高的介电常数，但是其力学性能差，不易加工，同时击穿电压也较低；陶瓷/聚合物复合材料虽然结合了陶瓷与聚合物的共同优势，但是实现填料在聚合物中的均匀分散一直是待解决的问题。同时，材料和聚合物间的相容性较差也会导致整体介电性能以及力学性能的下降。复合材料这一非均相体系也为其存放和在电子设备中实际应用的制备带来了问题。第三种绝缘材料是聚合物绝缘材料。常见的聚合物均拥有优良的力学性能及可加工性，良好的绝缘性能，以及高的击穿电压。然而，介电常数较低是聚合物共有的问题。常用的聚合物，如聚乙烯，聚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无规共聚物，其特征在于，具有式I所示的通式：

【技术特征摘要】
1.一种无规共聚物，其特征在于，具有式I所示的通式：其中，R为烷基，n和m均为摩尔百分数。2.如权利要求1所述的无规共聚物，其特征在于，n为50～90％，m为10～50％。3.如权利要求1所述的无规共聚物，其特征在于，R为C3～C12的烷基。4.一种如权利要求1所述的无规共聚物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将砜基类化合物与乙烯基酰氯在三乙胺的催化下进行缩合反应，得到乙烯基砜类前驱体；将所述乙烯基砜类前驱体和乙烯基环氧类前驱体在无水无氧条件下进行共聚反应，将共聚产物经过稀释、沉降、洗涤、干燥，得到所述无规聚合物。5.如权利要求4所述的无规共聚物的制备方法，其特征在于，所述缩合反应的溶剂为二氯甲烷，反应温度为-10～0℃。6.如权利要求4所述的无规共聚物的制备方法，其特征在于，所述共聚反应为可逆加成-断裂链转移聚合或自由基聚合。7.如权利要求4或6所述的无规共聚物的制备方法，其特征在于，所述共聚反应的溶剂为N，N-二甲基甲酰胺，反应温度为60～80℃，引发剂和链转移剂分别为偶氮二异丁氰和三硫酯类链转移剂。8.如权利要求4所述的无规共聚物的制备方法，其特征在于，所述乙烯基砜类前驱体和乙烯基环氧类前驱体的摩尔比为(1～10)：1，反应物浓度以单体浓...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄兴溢，王雨馨，江平开，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海,31