具有集成无源部件的引线框架上的半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及具有集成无源部件的引线框架上的半导体器件。一种半导体器件包括衬底和在衬底的第一表面上方形成的第一导电层。第一导电层被图案化成第一无源电路元件的第一部分。第一导电层被图案化为包括第一线圈部分。在衬底的第二表面上方形成第二导电层。第二导电层被图案化成第一无源电路元件的第二部分。第二导电层被图案化为包括呈现与第一线圈部分的互感的第二线圈部分。穿过衬底形成的导电通孔耦合在第一导电层和第二导电层之间。半导体部件设置在衬底上方，并且电耦合到第一无源电源元件。在半导体部件和衬底上方沉积密封剂。将衬底安装到印刷电路板。

Semiconductor device on a lead frame with integrated passive components

The present invention relates to semiconductor devices on a lead frame having integrated passive components. A semiconductor device includes a substrate and a first conductive layer formed over the first surface of the substrate. The first conductive layer is patterned into the first portion of the first passive circuit element. The first conductive layer is patterned to include the first coil portion. A second conductive layer is formed over the second surface of the substrate. The second conductive layer is patterned into the second portion of the first passive circuit element. The second conductive layer is patterned to include a second coil portion that exhibits mutual inductance with the first coil portion. A conductive through hole formed through the substrate is coupled between the first conductive layer and the second conductive layer. A semiconductor component is disposed over the substrate and electrically coupled to the first passive power element. A sealant is deposited over the semiconductor component and the substrate. Install the substrate onto the printed circuit board.

【技术实现步骤摘要】
具有集成无源部件的引线框架上的半导体器件
本专利技术一般地涉及半导体器件，并且更具体地涉及一种半导体器件和形成包括具有集成无源部件的引线框架的半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件通常存在于现代电子产品中。半导体器件在电气部件的数目和密度方面变化。分立的半导体器件一般包含一种类型的电气部件，例如发光二极管（LED）、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器和功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。集成半导体器件通常包含数百到数百万个电气部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、微处理器和各种信号处理电路。半导体器件执行广泛的功能，诸如信号处理、高速计算、传输和接收电磁信号、控制电子设备、将太阳光变换为电力以及创建用于电视显示器的视觉图像。半导体器件存在于娱乐、通信、功率转换、网络、计算机和消费产品的领域中。半导体器件也存在于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中。半导体器件利用半导体材料的电性质。半导体材料的结构允许通过施加电场或基极电流或简单地通过掺杂工艺来操纵材料的导电性。掺杂将杂质引入到半导体材料中以操纵和控制半导体器件的导电性。半导体器件包含有源和无源电气结构。包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底的第一表面上方形成第一导电层；将所述第一导电层图案化成第一无源电路元件的第一部分；在所述衬底的第二表面上方形成第二导电层；将所述第二导电层图案化成所述第一无源电路元件的第二部分；以及将半导体部件设置在所述衬底上方并且电耦合到所述第一无源电路元件。

【技术特征摘要】
2016.02.12 US 15/0430801.一种制作半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底的第一表面上方形成第一导电层；将所述第一导电层图案化成第一无源电路元件的第一部分；在所述衬底的第二表面上方形成第二导电层；将所述第二导电层图案化成所述第一无源电路元件的第二部分；以及将半导体部件设置在所述衬底上方并且电耦合到所述第一无源电路元件。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：图案化所述第一导电层以包括第一线圈部分；以及图案化所述第二导电层以包括呈现与所述第一线圈部分的互感的第二线圈部分。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括图案化所述第一导电层以包括电容器的板。4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述半导体部件和衬底上方沉积密封剂。5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括将所述衬底安装到印刷电路板（PCB）。6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：图案化所述第一导电层以包括电感元件；以及图案化所述第二导电层以包括电容元件。7.一种制作半导体器件的方法，包括：提供衬底；形成第一无源电路元件以包括在所述衬底的第一表面上方形成的第一导电层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：S金努萨米，WH陈，JNS雷耶斯，
申请(专利权)人：商升特公司，
类型：发明
国别省市：美国,US