【技术实现步骤摘要】
本公开涉及化合物半导体技术中用于控制偏置(特别是对于诸如晶体管的部件)的设备和方法。
技术介绍
1、许多电子电路需要对电路部件进行一些偏置才能正确运行。例如，包括晶体管的电路可能需要为每个晶体管设置偏置点，在此情况下是设置静或静态节点电压和电流。
2、在一些情况下，相关偏置点可能在操作中是固定的，例如根据特定应用的设计要求。然而，在至少一些实施方式中，能够可控地改变偏置点可能是有利的。例如，改变偏置点的能力在制造设置过程中可能是有利的，以便允许优化电路。在一些应用中，改变偏置点可能有利于确保电路的正确启动，特别是在可能存在多个供电电压和/或多个晶体管的情况下。在一些情况下，在使用中动态地改变偏置点可能是有利的，例如响应于操作条件或实现不同的操作模式。
3、许多电子电路可以例如使用cmos技术实施为硅管芯上的集成电路，并且在所述情况下，用于可控地改变偏置点的控制电路可以使用互补晶体管实施为集成电路的一部分，例如使用pmos和/或nmos晶体管，以形成稳定、可控的偏置电压。然而，在一些应用中，在例如诸如gaas(砷化...
【技术保护点】
1.一种化合物半导体集成电路，其包括用于在偏置输出节点处产生偏置电压的偏置电路，所述偏置电路包括：
2.如权利要求1所述的化合物半导体集成电路，其中所述可控可变电阻包括与固定电阻器并联的第二晶体管。
3.如权利要求2所述的化合物半导体集成电路，其还包括在用于接收所述控制电压的节点与所述供电电压之间延伸的第二电路支路，所述第二电路支路包括：
4.如权利要求3所述的化合物半导体集成电路，其中所述偏置电路被配置为在所述供电电压为负且所述控制电压为正的情况下操作以产生为负电压的所述偏置电压。
5.如权利要求1所述的化合物半导体集...
【技术特征摘要】
1.一种化合物半导体集成电路，其包括用于在偏置输出节点处产生偏置电压的偏置电路，所述偏置电路包括：
2.如权利要求1所述的化合物半导体集成电路，其中所述可控可变电阻包括与固定电阻器并联的第二晶体管。
3.如权利要求2所述的化合物半导体集成电路，其还包括在用于接收所述控制电压的节点与所述供电电压之间延伸的第二电路支路，所述第二电路支路包括：
4.如权利要求3所述的化合物半导体集成电路，其中所述偏置电路被配置为在所述供电电压为负且所述控制电压为正的情况下操作以产生为负电压的所述偏置电压。
5.如权利要求1所述的化合物半导体集成电路，其还包括位于所述第一电路支路中在所述可控可变电阻与所述第一晶体管之间的第一串联电阻器，其中所述偏置输出节点耦合到所述第一电路支路的所述第一节点，所述第一节点在所述第一串联电阻器与所述第一晶体管之间。
6.如权利要求5所述的化合物半导体集成电路，其还包括位于所述第一电路支路中在所述第一串联电阻器与所述第一晶体管之间的第二串联电阻器，其中所述偏置输出节点耦合到所述第一电路支路的所述第一节点，所述第一节点在所述第一串联电阻器与所述第二串联电阻器之间。
7.如权利要求1所述的化合物半导体集成电路，其还包括用于接收所述控制电压的控制电压端子和硬件模式选择端子，其中所述硬件模式选择端子连接到所述第一电路支路的第二节点，所述第二节点位于所述第一节点与所述可控可变电阻之间。
8.如权利要求7所述的化合物半导体集成电路，其中所述偏置电路可操作以：
9.如权利要求1所述的化合物半导体集成电路，其还包括具有由所述偏置输出节点处的所述偏置电压偏置的至...
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