新型高靶材利用率平面磁控溅射阴极制造技术

本发明专利技术提供了一种新型的平面磁控溅射阴极，该平面磁控溅射阴极包括靶材、背板、磁体装置以及导磁板，靶材设置在背板的一侧，导磁板设置在背板的另一侧，磁体装置设置在背板和导磁板之间，其中，磁体装置包括中间磁体和环绕该中间磁体的外圈磁体，中间磁体包括至少两个电磁铁，外圈磁体和中间磁体朝向靶材的磁极其二者极性相反；平面磁控溅射阴极还包括电磁铁电源，该电磁铁电源与该至少两个电磁铁连接，为该至少两个电磁铁依次供电以使外圈磁体和中间磁体之间的磁场分布不断发生变化。实施本发明专利技术可以有效提高靶材的利用率、防止靶材污染、提高溅射速率的稳定性。此外，本发明专利技术所提供的平面磁控溅射阴极还具有结构简单、易于控制、可靠性高的特点。

A new type of high target material utilization planar magnetron sputtering cathode

The present invention provides a novel planar magnetron sputtering cathode, the planar magnetron sputtering cathode target, including the backboard, magnet device and magnetic plate, the target set in the back side of the magnetic plate is arranged on the other side of the backplane, the magnet device is arranged on the back plate and magnetic plates, the device includes a magnet the middle of the magnet and the outer ring around the middle of the magnet magnet, a middle magnet comprises at least two electromagnets, outer ring magnet and magnet pole toward the intermediate target of the opposite polarity; planar magnetron sputtering cathode also comprises a power supply of the electromagnet, the electromagnet power supply is connected with the at least two electromagnets, for at least two of the power supply in order to make the electromagnet the magnetic field distribution between the outer ring magnet and magnet middle changing. The invention can effectively improve the utilization ratio of target material, prevent target pollution and improve the stability of sputtering rate. In addition, the planar magnetron sputtering cathode provided by the invention has the advantages of simple structure, easy control and high reliability.

【技术实现步骤摘要】
新型高靶材利用率平面磁控溅射阴极
本专利技术涉及磁控溅射
，尤其涉及一种平面磁控溅射阴极。
技术介绍
目前，在磁控溅射镀膜技术应用领域中，使用最广泛的是平面磁控溅射阴极。请参考图1，图1是现有技术中平面磁控溅射阴极的工作原理示意图。如图1所示，现有的典型的平面磁控溅射阴极包括靶材1、铜背板2、磁铁装置以及导磁板4。具体地，靶材1设置在铜背板2上，其中，靶材1朝向外部空间的一面用于实现溅射。磁铁装置和导磁板4设置在铜背板2的另外一侧，其中，磁铁装置设置在背板2和导磁板4之间。磁铁装置进一步包括外圈磁铁3a和中心磁铁3b，其中，中心磁铁3b的设置位置对应于靶材1的中心区域，外圈磁铁3a的设置位置对应于靶材1的边缘区域，环绕于该中心磁铁3b。外圈磁铁3a和中心磁铁3b均采用永磁铁，且外圈磁铁3a朝向靶材的磁极与中心磁铁3b朝向靶材的磁极其二者极性相反，以便于在靶材1的用于实现溅射的表面上形成磁场7。最常见的两种平面磁控溅射阴极包括圆形靶磁控溅射阴极和矩形靶磁控溅射阴极。请参考图2，图2是现有技术中矩形靶磁控溅射阴极中磁铁装置的截面示意图。如图2所示，在矩形靶磁控溅射阴极中，靶材的形状本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面磁控溅射阴极，该平面磁控溅射阴极包括靶材、背板、磁体装置以及导磁板，所述靶材设置在所述背板的一侧，所述导磁板设置在所述背板的另一侧，所述磁体装置设置在所述背板和所述导磁板之间，其中：所述磁体装置包括中间磁体和环绕该中间磁体的外圈磁体，所述中间磁体包括至少两个电磁铁，其中，所述外圈磁体和所述中间磁体朝向所述靶材的磁极其二者极性相反；所述平面磁控溅射阴极还包括电磁铁电源，该电磁铁电源与所述至少两个电磁铁连接，为所述至少两个电磁铁依次供电以使所述外圈磁体和所述中间磁体之间的磁场分布不断发生变化。

【技术特征摘要】
1.一种平面磁控溅射阴极，该平面磁控溅射阴极包括靶材、背板、磁体装置以及导磁板，所述靶材设置在所述背板的一侧，所述导磁板设置在所述背板的另一侧，所述磁体装置设置在所述背板和所述导磁板之间，其中：所述磁体装置包括中间磁体和环绕该中间磁体的外圈磁体，所述中间磁体包括至少两个电磁铁，其中，所述外圈磁体和所述中间磁体朝向所述靶材的磁极其二者极性相反；所述平面磁控溅射阴极还包括电磁铁电源，该电磁铁电源与所述至少两个电磁铁连接，为所述至少两个电磁铁依次供电以使所述外圈磁体和所述中间磁体之间的磁场分布不断发生变化。2.根据权利要求1所述的平面磁控溅射阴极，其中：所述平面磁控溅射阴极为圆形磁控溅射阴极，所述靶材为圆形靶材；所述外圈磁体呈圆环形状，设置在与所述圆形靶材边缘对应的位置；所述至少两个电磁铁围绕所述外圈磁体的中心轴均匀分布。3.根据权利要求2所述的平面磁控溅射阴极，其中：所述外圈磁体是具有所述圆环形状的一整块永磁铁；或者所述外圈磁体包括多个永磁铁单元，该多个永磁铁单元排列形成所述圆环形状；所述电磁铁是圆形电磁铁或者方形电磁铁。4.根据权利要求2或3所述的平面磁控溅射阴极，其中：所述电磁铁与所述外圈磁体的中心轴之间的距离等于该中心轴与所述外圈磁体之间距离的1/3。5.根据权利要求2所述的平面磁控溅射阴极，其中：所述平面磁控溅射阴极为矩形磁控溅射阴极，所述靶材为矩形靶材；所述外圈磁体呈矩形环形状，设置在与所述矩形靶材边...

【专利技术属性】
技术研发人员：张诚，
申请(专利权)人：霍尔果斯迅奇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：新疆,65