半导体器件制造技术

公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由浓度比所述阴极区域低的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、阳极电极、形成于所述漂移区和所述阳极区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域，以及形成为将所述势垒区域连接至所述阳极电极且由金属制成的柱电极。柱电极形成为从所述阳极电极侧透过所述阳极区域且到达所述势垒区域。势垒区域和柱电极通过肖特基结相连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件本申请是申请号为2012800355775(国际申请号为PCT/JP2012/004804)、申请日为2012年7月27日、专利技术名称为“半导体器件”的专利申请的分案申请。
本申请涉及一种二极管、半导体器件和MOSFET。
技术介绍
已经开发了一种通过改善PN二极管的反向恢复特性来降低开关损耗的技术。公开号为2003-163357的日本专利申请公开了一种MPS二极管，在该二极管中PIN二极管与肖特基势垒二极管结合。在公开号为2003-163357的日本专利申请所公开的技术中，通过将p阳极区域的尺寸减小至透穿(reach-through)限值来抑制从p阳极区域向n-漂移区注入空穴，并且从而降低了开关损耗。公开号为2000-323488的日本专利申请公开了一种PIN二极管，该PIN二极管具有在p阳极区域和n-漂移区之间的n势垒区域，n势垒区域具有比n-漂移区的浓度更高浓度的n型杂质。在公开号为2000-323488的日本专利申请所公开的技术中，通过n势垒区域来抑制从p阳极区域向n-漂移区注入空穴，从而降低了开关损耗。即使在公开号为2003-163357的日本专利申请所公开的技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOSFET，包括：漏极电极；漏极区域，其由第一导电型半导体制成；漂移区，其由浓度比所述漏极区域低的第一导电型半导体制成；体区域，其由第二导电型半导体制成；源极区域，其由所述第一导电型半导体制成；源极电极，其由金属制成；栅电极，其经由绝缘膜与在所述源极区域和所述漂移区之间的所述体区域相对；势垒区域，其形成于所述漂移区和所述体区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成；以及柱区域，其形成为将所述势垒区域连接至所述源极电极且由浓度比所述势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成，其中所述柱区域形成为从所述源极电极侧透过所述体区域且到达所述势垒区域，并且其中，所述柱区域和所述源极...

【技术特征摘要】
2011.07.27 JP 2011-164746;2012.07.27 JP 2012-166571.一种MOSFET，包括：漏极电极；漏极区域，其由第一导电型半导体制成；漂移区，其由浓度比所述漏极区域低的第一导电型半导体制成；体区域，其由第二导电型半导体制成；源极区域，其由所述第一导电型半导体制成；源极电极，其由金属制成；栅电极，其经由绝缘膜与在所述源极区域和所述漂移区之间的所述体区域相对；势垒区域，其形成于所述漂移区和所述体区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成；以及柱区域，其形成为将所述势垒区域连接至所述源极电极且由浓度比所述势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成，其中所述柱区域形成为从所述源极电极侧透过所述体区域且到达所述势垒区域，并且其中，所述柱区域和所述源极电极通过肖特基结相连接。2.根据权利要求1所述的MOSFET，进一步包括：防电场前进区域，其形成于所述势垒区域和所述漂移区之间且由所述第二导电型半导体制成。3.一种二极管，包括：阴极电极；阴极区域，其由第一导电型半导体制成；漂移区，其由浓度比所述阴极区域低的第一导电型半导体制成；阳极区域，其由第二导电型半导体制成；阳极电极；势垒区域，其形成于所述漂移区和所述阳极区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成；以及柱电极，其形成为将所述势垒区域连接至所述阳极电极且由金属制成，其中所述柱电极形成为从所述阳极电极侧透过所述阳极区域且到达所述势垒区域，并且其中，所述势垒区域和所述柱电极通过肖特基结相连接。4.根据权利要求3所述的二极管，进一步包括：防电场前进区域，其形成于所述势垒区域和所述漂移区之间且由所述第二导电型半导体制成。5.根据权利要求3所述的二极管，其中，形成从所述阳极区域延伸至所述漂移区的沟槽，并且在所述沟槽内部形成覆盖有绝缘膜的沟槽电极。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下侑佑，町田悟，杉山隆英，斋藤顺，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP