一种超低功耗的低压差线性稳压器制造技术

本发明专利技术涉及电源管理技术领域，特别地涉及一种超低功耗的低压差线性稳压器。本发明专利技术公开了一种超低功耗的低压差线性稳压器，包括主环路电路、输出电压检测及第一动态偏置电流产生电路和第一电流源，所述第一电流源为主环路电路的误差放大器提供静态偏置电流Ib0，所述输出电压检测及第一动态偏置电流源产生电路用于检测主环路电路的输出电压的过压和欠压并把过压和欠压转换成与其正相关的电流作为主环路电路的误差放大器的第一动态偏置电流Ib1。本发明专利技术具有超低功耗(低于300nA)同时响应速度快，输出电压电流稳定，且具有过温过流保护功能，安全性和可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种超低功耗的低压差线性稳压器
本专利技术属于电源管理
，具体地涉及一种超低功耗的低压差线性稳压器。
技术介绍
随着技术的发展以及便携式电子设备的快速普及，使得集成电路设计趋向于低功耗、高安全性、高能效和高集成度等特点。电源管理模块是芯片的基本单元电路，低压差线性稳压器(LDO，LowDropOutRegulator)作为电源管理模块在大规模集成电路系统中得到了广泛的应用LDO由于所需外部元器件较少而在低功耗的电源管理系统中得到了广泛应用。受低功耗要求的影响，传统LDO的结构比较简单，在电源电压或者输出负载条件变化时由于没有足够的电流来支撑LDO快速响应导致LDO输出表现出较大的过压或欠压现象，并且恢复到稳定输出值的时间也较长。此外，由于LDO中保护功能需要消耗一定的功耗，所以传统的低功耗LDO中大都省略部分保护功能，包括过温保护和过流保护功能，如公开专利：CN102789256B，这样不利于芯片的工作安全，容易过温或者过流从而导致芯片失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种超低功耗的低压差线性稳压器用以解决上述的问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种超低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超低功耗的低压差线性稳压器，其特征在于：包括主环路电路、输出电压检测及第一动态偏置电流产生电路和第一电流源，所述第一电流源为主环路电路的误差放大器提供静态偏置电流Ib0，所述输出电压检测及第一动态偏置电流产生电路用于检测主环路电路的输出电压的过压和欠压并把过压和欠压转换成与其正相关的电流作为主环路电路的误差放大器的第一动态偏置电流Ib1。

【技术特征摘要】
1.一种超低功耗的低压差线性稳压器，其特征在于：包括主环路电路、输出电压检测及第一动态偏置电流产生电路和第一电流源，所述第一电流源为主环路电路的误差放大器提供静态偏置电流Ib0，所述输出电压检测及第一动态偏置电流产生电路用于检测主环路电路的输出电压的过压和欠压并把过压和欠压转换成与其正相关的电流作为主环路电路的误差放大器的第一动态偏置电流Ib1。2.根据权利要求1所述的超低功耗的低压差线性稳压器，其特征在于：所述静态偏置电流Ib0小于10nA。3.根据权利要求1或2所述的超低功耗的低压差线性稳压器，其特征在于：所述输出电压检测及第一动态偏置电流产生电路包括第一电流镜、比较器A0、比较器A1、PMOS管M4-M5和NMOS管M6-M7，所述比较器A0的同相输入端接主环路的电压采样电路的输出端Vfb，所述比较器A0的反相输入端接参考电压Vref，所述比较器A0的输出端接PMOS管M4的栅极，所述比较器A1的反相输入端接主环路的电压采样电路的输出端Vfb，所述比较器A1的同相输入端接参考电压Vref，所述比较器A1的输出端接PMOS管M5的栅极，所述PMOS管M4和M5的漏极接地，所述PMOS管M4和M5的源极接第一电流镜的输入端，所述第一电流镜的输出端同时接NMOS管M6的栅极、NMOS管M7的栅极和NMOS管M7的漏极，所述NMOS管M6和M7的源极接地，所述NMOS管M6的漏极为主环路电路的误差放大器提供第一动态偏置电流Ib1。4.根据权利要求3所述的超低功耗的低压差线性稳压器，其特征在于：所述第一电流镜为非线性电流镜。5.根据权利要求4所述的超低功耗的低压差线性稳压器，其特征在于：所述第一电流镜包括PMOS管M8-M10，所述PMOS管M8和M9的源极接电源VCC，所述PMOS管M8的漏极同时接NMOS管M6的栅极、NMOS管M7的栅极和NMOS管M7的漏极，所述PMOS管M9的漏极同时接PMOS管M4、M5和M10的源极，所述PMOS管M8-M10的栅极同时接...

【专利技术属性】
技术研发人员：许超群，易俊，
申请(专利权)人：英麦科厦门微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35