触控屏彩膜基板制造技术

技术编号:16036933 阅读:22 留言:0更新日期:2017-08-19 17:56
本发明专利技术涉及显示器的加工领域,公开了一种触控屏彩膜基板,包括:衬底基板;设置在所述衬底基板的上表面的第一绝缘层,该第一绝缘层的下表面上具有至少两条触控线路Tx,设置在所述第一绝缘层的上表面的第二绝缘层,第二绝缘层的下表面上具有至少两条触控线路Rx,设置在所述第二绝缘层的上表面的黑色矩阵层,设置在所述黑色矩阵层的上表面的覆盖层;以及设置在所述覆盖层的上表面的至少两个柱层。本发明专利技术提供的触控屏彩膜基板将触控屏驱动线路及感应线路工艺均制作于CF侧,再与TFT进行成盒工艺制备,避免了将触控屏驱动线路及感应线路工艺在薄化后的不够平整的CF侧背面进行,从而有利于提升触控屏驱动线路及感应线路的工艺的良率。

【技术实现步骤摘要】
触控屏彩膜基板
本专利技术涉及显示器的加工领域,具体涉及一种具有触控功能的彩膜基板。
技术介绍
目前,OnCell(外嵌式)触控屏其最主要缺点有以下两个:一为成盒后须再进行玻璃薄化,业界目前对成盒的TFT-LCD元件有用氰氟酸进行玻璃表面薄化的工艺进行制备,但其工艺对环保有绝对的影响,且薄化的玻璃面板,容易因为前工艺因素或当下薄化工艺因素,在玻璃薄化刻蚀过程中,造成玻璃表面刻蚀不平整,从而导致在制作触控线路时良率低下。二为若不进行玻璃薄化,其在工艺制程中也可能因传送带结构造成玻璃表面有脏污或刮痕,进而造成进入触控屏工艺制程时良率低下。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术存在的OnCell触控屏玻璃薄化刻蚀后,其表面不平整或脏污及刮痕等,影响后续制备触控电路良率偏低的缺陷,提供一种新的触控屏彩膜基板。现有技术的触控显示面板OnCell工艺程序,是在CF与TFT进行成盒后,于CF侧背面(也就是屏幕上端)再进行触控屏驱动线路及感应线路的工艺制备,然而,本专利技术的专利技术人发现,现有技术的这种制备工艺会存在如下的缺陷:CF与TFT进行成盒后,通常需要出厂进行玻璃薄化,经过薄化刻蚀后,其表面通常不平整或存在脏污及刮痕等,会影响后续进行触控屏驱动线路及感应线路的工艺的良率偏低。基于此,专利技术人提出了本专利技术的技术方案以解决前述缺陷。为了实现上述目的,本专利技术提供一种触控屏彩膜基板,该彩膜基板由下至上依次包括:衬底基板;设置在所述衬底基板的上表面的第一绝缘层,该第一绝缘层的下表面上具有至少两条触控线路Tx,各条触控线路Tx嵌入所述第一绝缘层内,使得触控线路Tx与第一绝缘层共平面;设置在所述第一绝缘层的上表面的第二绝缘层,该第二绝缘层的下表面上具有至少两条触控线路Rx,各条触控线路Rx嵌入所述第二绝缘层内,使得触控线路Rx与第二绝缘层共平面;设置在所述第二绝缘层的上表面的黑色矩阵层,该黑色矩阵层由至少三条像素单元间隔成至少两部分;设置在所述黑色矩阵层的上表面的覆盖层;以及设置在所述覆盖层的上表面的至少两个柱层。本专利技术将触控线路和CF彩膜工艺结构层设置在衬底基板的同一侧。“彩膜基板由下至上依次包括”并不表示彩膜基板的被应用的方向,本专利技术仅是为了方便描述清楚而设定了由下至上的方向。优选地,所述衬底基板的上表面上还设置有导通触控线路,其用于与TFT侧贴合导通。因此,所述导通触控线路优选设置在所述衬底基板的边缘区,并且,所述导通触控线路的上表面上不设置绝缘层和黑色矩阵层层以及覆盖层。本专利技术的所述衬底基板例如可以为玻璃基板。所述玻璃基板的厚度可以为本领域常规的厚度,经过薄化处理后的所述玻璃基板的厚度大幅减小,优选情况下,设置有第一绝缘层和第二绝缘层的经过薄化处理后的衬底基板的厚度约为0.15~0.2mm。包括黑色矩阵层、覆盖层和柱层在内的结构为CF彩膜工艺结构层,所述CF彩膜工艺结构层的厚度约为4~6微米。所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质可以相同,例如可以为SiO或SiN等材料。形成所述触控线路Tx和所述触控线路Rx的材质为金属,两者的材质可以相同,例如可以为Mo、Ti、Al、ITO等材料。优选地,所述触控线路Tx的厚度小于所述第一绝缘层的厚度,使得所述第一绝缘层的上表面没有被触控线路Tx间断。优选地,所述触控线路Rx的厚度小于所述第二绝缘层的厚度,使得所述第二绝缘层的上表面没有被触控线路Rx间断。触控线路Tx与第一绝缘层一起形成的平面与所述衬底基板的上表面直接接触。触控线路Rx与第二绝缘层一起形成的平面与所述第一绝缘层的上表面直接接触。优选情况下,由至少三条像素单元间隔形成的所述黑色矩阵层的厚度为0.18~1.5微米。更优选地,所述黑色矩阵层的至少两部分中的各个部分的宽度相同。优选地,在所述彩膜基板的厚度方向上,各条所述触控线路Tx设置于所述黑色矩阵层的正下方,并且所述触控线路Tx和所述黑色矩阵层之间至少间隔有第一绝缘层和第二绝缘层。更优选地,所述触控线路Tx的宽度小于由至少三条像素单元间隔形成的所述黑色矩阵层的至少两部分中的各个部分的宽度。优选情况下,在所述彩膜基板的厚度方向上,各条所述触控线路Rx设置于所述黑色矩阵层的正下方,并且所述触控线路Rx和所述黑色矩阵层之间至少间隔有第二绝缘层。更优选地,所述触控线路Rx的宽度小于由至少三条像素单元间隔形成的所述黑色矩阵层的至少两部分中的各个部分的宽度。根据优选的具体实施方式1,所述黑色矩阵层由至少三条像素单元间隔成至少两部分。例如两部分,此时,三条像素单元两两之间紧密连接或者还可以有重叠区域。根据优选的具体实施方式2,所述黑色矩阵层由至少三条像素单元间隔成至少四部分,也即,三条像素单元各自不相交。优选情况下,各个所述触控线路Tx和各个所述触控线路Rx分别设置在由至少三条像素单元间隔成至少两部分的黑色矩阵层的不同部分之下。优选地,各条所述触控线路Tx的宽度大于各条所述触控线路Rx的宽度。优选地,在所述彩膜基板的厚度方向上,各条所述像素单元至少部分嵌入所述覆盖层中。也即,优选情况下,所述像素单元的厚度大于所述黑色矩阵层的厚度。在本专利技术中,优选所述黑色矩阵层和所述像素单元的下表面共平面。优选情况下,各条像素单元嵌入所述覆盖层的区域的宽度大于未嵌入所述覆盖层的区域的各条像素单元的宽度。优选情况下,所述像素单元包括红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元。本专利技术对制备所述触控屏彩膜基板的工艺方法没有特别的限制,本领域技术人员可以采用本领域内制备触控屏彩膜基板的常规方法进行,本专利技术在此提供一种示例性的具体实施方式说明制备本专利技术的触控屏彩膜基板的方法,本领域技术人员不能理解为对本专利技术的保护范围的限制,该方法包括:(1)通过物理溅射或蒸镀设备在衬底基板的上表面上形成第一金属薄膜,再涂布光刻胶并使用第一触摸屏掩版模板对第一金属薄膜进行图案化曝光处理,再进行显影工艺,使用例如2.8重量%的KOH对未曝光的光刻胶区域进行显影,从而得到触控线路(Tx);(2)在步骤(1)得到的基板的上表面上涂布第一绝缘层;(3)通过物理溅射或蒸镀设备在步骤(2)得到的基板的上表面上形成第二金属薄膜,再涂布光刻胶并使用第二触摸屏掩版模板对第二金属薄膜进行图案化曝光处理,再进行显影工艺,使用例如2.8重量%的KOH对未曝光的光刻胶区域进行显影,从而得到触控线路(Rx);(4)在步骤(3)得到的基板的上表面上涂布第二绝缘层;(5)在步骤(4)得到的基板的上表面涂覆光刻胶,形成光刻胶层,使用第三触摸屏掩版模板对光刻胶层进行曝光显影,得到图案化的黑色矩阵层前体,干燥所述黑色矩阵层前体以形成所述黑色矩阵层;(6)在步骤(5)得到的基板的上表面涂覆光刻胶,形成光刻胶层,使用第四触摸屏掩版模板对光刻胶层进行曝光显影,得到具有红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元中的任意一种的矩阵,干燥该矩阵;(7)重复步骤(6)至少2次,以得到具有至少三条像素单元的矩阵,并且,重复步骤中使用的第四触摸屏掩版模板各不相同;(8)在步骤(7)得到的基板的上表面上形成覆盖层;(9)在步骤(8)得到的基板的上表面上涂覆光刻胶,形成光刻胶层,使用第五触摸屏掩版模板对光刻胶层进行曝光显影,形成具有柱状矩阵图案的柱层矩阵前体,干燥所述柱层矩阵前体得到所本文档来自技高网...
触控屏彩膜基板

【技术保护点】
一种触控屏彩膜基板,其特征在于,该彩膜基板由下至上依次包括:衬底基板(1);设置在所述衬底基板的上表面的第一绝缘层(2),该第一绝缘层的下表面上具有至少两条触控线路Tx(4),各条触控线路Tx嵌入所述第一绝缘层内,使得触控线路Tx与第一绝缘层共平面;设置在所述第一绝缘层的上表面的第二绝缘层(3),该第二绝缘层的下表面上具有至少两条触控线路Rx(5),各条触控线路Rx嵌入所述第二绝缘层内,使得触控线路Rx与第二绝缘层共平面;设置在所述第二绝缘层的上表面的黑色矩阵层(6),该黑色矩阵层由至少三条像素单元(7)间隔成至少两部分;设置在所述黑色矩阵层的上表面的覆盖层(8);以及设置在所述覆盖层的上表面的至少两个柱层(9)。

【技术特征摘要】
1.一种触控屏彩膜基板,其特征在于,该彩膜基板由下至上依次包括:衬底基板(1);设置在所述衬底基板的上表面的第一绝缘层(2),该第一绝缘层的下表面上具有至少两条触控线路Tx(4),各条触控线路Tx嵌入所述第一绝缘层内,使得触控线路Tx与第一绝缘层共平面;设置在所述第一绝缘层的上表面的第二绝缘层(3),该第二绝缘层的下表面上具有至少两条触控线路Rx(5),各条触控线路Rx嵌入所述第二绝缘层内,使得触控线路Rx与第二绝缘层共平面;设置在所述第二绝缘层的上表面的黑色矩阵层(6),该黑色矩阵层由至少三条像素单元(7)间隔成至少两部分;设置在所述黑色矩阵层的上表面的覆盖层(8);以及设置在所述覆盖层的上表面的至少两个柱层(9)。2.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述黑色矩阵层的厚度为0.18~1.5微米。3.根据权利要求1或2所述的彩膜基板,其特征在于,在所述彩膜基板的厚度方向上,各条所述触控线路Tx设置于所述黑色矩阵层的正下方。4.根据权利要求3所述的彩膜基板,...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾俊维
申请(专利权)人:东旭昆山显示材料有限公司东旭集团有限公司东旭科技集团有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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