陶瓷基质复合物构件和制造陶瓷基质复合物构件的工艺制造技术

一种制造陶瓷基质复合物构件(10)的工艺(500)。工艺(500)包括将多个陶瓷基质复合物板层(60)定位成一个在另一个顶部上，以及在其中形成腔体。腔体的至少一部分包括末端直径(510)，其足够小，以容许密实化材料的浸渗。多个陶瓷基质复合物板层(60)被密实化，以形成密实化本体。密实化导致腔体的包括末端直径(510)的部分被填充密实化材料，并且腔体存在于密实化本体中。还公开在其中具有腔体的陶瓷基质复合物。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷基质复合物构件和制造陶瓷基质复合物构件的工艺
本专利技术大体涉及用于发电的燃气涡轮，且更具体而言涉及形成用于燃气涡轮的热气路径涡轮构件的陶瓷基质复合物构件的方法。
技术介绍
如由较传统的超合金材料形成的涡轮叶片和导叶那样，CMC叶片和导叶主要配备有腔体和冷却空隙，以减轻重量，减轻离心负载，和降低构件的运行温度。这些特征典型地使用可移除的且可消耗的加工的组合而形成在CMC构件中。内部冷却槽道对于冷却金属和CMC热气路径硬件是有利的，因为它们降低冷却流需求和热梯度/应力。基于碳化硅(SiC)的陶瓷基质复合物(CMC)材料被提供来作为燃气涡轮发动机的某些构件的材料，诸如涡轮叶片、导叶、喷嘴和叶轮。已知多种方法用于制造基于SiC的构件，包括Silicomp、熔体浸渗(MI)、化学气相浸渗(CVI)、聚合物浸渍热解(PIP)和氧化物/氧化物工艺。虽然这些制造技术显著各自彼此不同，但是各自涉及使用手动叠置和加工或模具，以通过包括在各种处理阶段应用热的工艺制造近净形状部件。用于在CMC构件中形成内部通道或腔体的当前制造方法使用需要在燃尽循环期间从内部通道“熔化出”或移除的材料。对CMC构件形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造陶瓷基质复合物构件(10)的工艺(500)，所述工艺(500)包括：将多个陶瓷基质复合物板层(60)定位成一个在另一个顶部上且在其中形成腔体，所述腔体的至少一部分包括末端直径(510)，其足够小，以容许密实化材料的浸渗；以及使所述多个陶瓷基质复合物板层(60)密实化，以形成密实化本体，所述密实化导致所述腔体的包括所述末端直径(510)的部分被填充密实化材料；其中所述腔体存在于所述密实化本体中。

【技术特征摘要】
2015.10.29 US 14/9267181.一种制造陶瓷基质复合物构件(10)的工艺(500)，所述工艺(500)包括：将多个陶瓷基质复合物板层(60)定位成一个在另一个顶部上且在其中形成腔体，所述腔体的至少一部分包括末端直径(510)，其足够小，以容许密实化材料的浸渗；以及使所述多个陶瓷基质复合物板层(60)密实化，以形成密实化本体，所述密实化导致所述腔体的包括所述末端直径(510)的部分被填充密实化材料；其中所述腔体存在于所述密实化本体中。2.根据权利要求1所述的工艺(500)，其特征在于，所述腔体完全封闭在所述密实化本体内。3.根据权利要求1所述的工艺(500)，其特征在于，所述腔体包括渐缩几何结构。4.根据权利要求1所述的工艺(500)，其特征在于，所述腔体的形成通过选自下者的方法进行：激光钻孔、放电机加工、切割和机加工。5.根据权利要求1所述的工艺(500)，其特征在于，将所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：JJ基特尔森，VJ摩根，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：美国,US