使用添加式制造工艺制造构件的方法技术

技术编号:14948233 阅读:132 留言:0更新日期:2017-04-01 14:19
本发明专利技术涉及用于制造构件(10),特别是用于燃气涡轮和其它热机的构件(10)的方法,包括以下步骤:提供限定所述构件(10)的数据集,以在添加式制造工艺中使用;借助于所述添加式制造工艺根据所述数据集来制造所述构件(10);以及使制造的构件(10)经历热处理(HT),以改变所述制造的构件(10)的微结构。构件的属性得到改进,因为:至少两个不同的构件容积体(CA1-CA3)在制造步骤之前限定在所述构件(10)内;针对所述添加式制造工艺选择至少两个不同的工艺参数(A,B),所述工艺参数(A,B)产生不同的再结晶驱动力且因此在所述构件(10)的材料中产生不同的再结晶特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及添加式制造工艺的技术。其涉及根据权利要求1使用添加式制造工艺制造构件的方法
技术介绍
与相同合金形成的传统铸造的材料相比,SLM(选择性激光熔化)产生的物品具有不同的微结构。微结构更均匀,显示精细地分布的沉淀物且实际上没有偏析且具有小若干倍的晶粒大小。这些特性为最佳的,例如对于抗拉强度和LCF(低循环疲劳)而言,并且对于这些属性,标准SLM制造的构件显著超过它们的铸造对等物。另一方面,特别地,对于高温属性,小晶粒大小是缺陷,因为晶粒边界有利于分散。诸如抗蠕变或抗氧化的高温属性因此比类似铸造材料更低,特别是关于在高温下(例如在燃气涡轮中)使用的材料,诸如镍基合金、钴基合金或铁基合金。为了避免这些问题,开发再结晶热处理(HT)来用于这种具有添加式制造的超合金,这产生几乎完整的晶体学各向同性和与在标准HT(见文档EP2586887A1)之后获得的相比显著更大的晶粒大小。但是,虽然这显著增大SLM产生的超合金的蠕变强度,但是其还可减小LCF、TMF和拉伸属性。因此将合乎需要的是例如根据出现的载荷类型而改变部件内的晶粒大小。文献本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造构件(10,10'),特别是用于燃气涡轮和其它热机的构件(10,10')的方法,包括以下步骤:提供数据集,以用于添加式制造工艺中;借助于所述添加式制造工艺根据所述数据集而制造所述构件(10,10');以及使制造的构件(10,10')经历热处理(HT),以改变所述制造的构件(10,10')的微结构;其特征在于至少两个不同的构件容积体(CA1‑CA7)在制造步骤之前限定在所述构件(10,10')内;针对所述添加式制造工艺选择至少两个不同的工艺参数(A,B),所述工艺参数(A,B)在所述构件(10,10')的材料中产生不同的再结晶特性;所述添加式制造工艺以在制造所述至少两个构件容积体(C...

【技术特征摘要】
2014.11.28 EP 14195477.61.一种用于制造构件(10,10'),特别是用于燃气涡轮和其它热机的构件(10,10')的方法,包括以下步骤:
提供数据集,以用于添加式制造工艺中;
借助于所述添加式制造工艺根据所述数据集而制造所述构件(10,10');以及
使制造的构件(10,10')经历热处理(HT),以改变所述制造的构件(10,10')的微结构;
其特征在于
至少两个不同的构件容积体(CA1-CA7)在制造步骤之前限定在所述构件(10,10')内;
针对所述添加式制造工艺选择至少两个不同的工艺参数(A,B),所述工艺参数(A,B)在所述构件(10,10')的材料中产生不同的再结晶特性;
所述添加式制造工艺以在制造所述至少两个构件容积体(CA1-CA7)中的第一构件容积体期间使用的所述至少两个工艺参数(A,B)中的一个执行,从而在所述第一构件容积体中产生第一再结晶特性,并且所述添加式制造工艺以在制造所述至少两个构件容积体(CA1-CA7)中的第二构件容积体期间使用的所述至少两个工艺参数(A,B)中的另一个执行,从而在所述第二构件容积体中产生不同于所述第一再结晶特性的第二再结晶特性;以及
所述制造的构件(10,10')经历具有保持温度(T_HT)的热处理(HT),其中所述保持温度(T_HT)高于所述至少两个构件容积体中的至少一个的再结晶温度。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述再结晶特性包括再结晶温度,所述第一再结晶特性包括第一再结晶温度(T_RX_A或T_RX_B)而所述第二再结晶特性包括第二再结晶温度(T_RX_B或T_RX_A),并且所述制造的构件(10,10')经历具有在所述第一和第二再结晶温度(T_RX_A,T_RX_B)之间的保持温度(T_HT)的热处理(HT)。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述再结晶特性包括晶粒大小的变化,所述第一再结晶特性包括第一晶粒大小而所述第二再结晶特性包括不同于所述第一晶粒大小的第二晶粒大小,并且其中所述保持温度(T_HT)高于所述至少两个构件容积体中的至少两个的再结晶温度。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法,其特征在于,限定至少三个不同的构件容积体,即第一构件容积体、第二构件容积体和第三构件容积体,并且三个工艺参数(A,B,C)选择成使得在所述保持温度(T_HT)下的热处理之后,所述第一构件容积体具有第一晶粒大小,所述第二构件容积体具有第二晶粒大小而所...

【专利技术属性】
技术研发人员:R恩格里T埃特H梅达尼
申请(专利权)人:通用电器技术有限公司
类型:发明
国别省市:瑞士;CH

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