硅基薄膜和形成该薄膜的方法技术

本文公开的是硅基薄膜和用于形成所述薄膜的组合物和方法。所述硅基薄膜包含<50原子％的硅。一方面，所述硅基薄膜具有组成SixCyNz，其中通过XPS测量，x为约0到约55，y为约35到约100，和z为约0到约50原子重量(wt.)百分比(％)。另一方面，所述硅基薄膜采用至少一种有机硅前体沉积，所述有机硅前体包含两个硅原子、至少一个Si-Me基，和硅原子之间的亚乙基或亚丙基连接，例如1,4-二硅杂戊烷。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 相关申请的交叉引用 本申请要求2014年11月3日提交的申请No. 62/074,219的权益。申请No 62/074, 219的公开内容通过引用合并于此。
本文公开的是含硅或硅基介电薄膜或材料，和形成其的方法和组合物。
技术介绍
本文描述的硅基介电薄膜包括但不限于用于各种电子应用的非化学计量的碳化 娃、无定形娃、碳氮化娃或氮化娃。在某些实施方式中，介电薄膜在娃和碳外还包括其他元 素。这些其他元素有时可以根据薄膜的最终应用或所需的最终性质，而有意地经由沉积工 艺添加到组合的混合物中。例如，可将元素氮（N)添加到硅基薄膜中以形成碳氮化物或氮 化硅薄膜以提供特定介电性能例如，但不限于较低的泄漏电流。然而，取决于应用，薄膜中 的某些元素即使在较低的浓度水平也可能是不期望的。 碳化硅薄膜通常利用前体1，4-二硅杂丁烷（1，4-DSB)来沉积。美国公开号 2010/233886描述了形成硅基薄膜的方法，所述薄膜包含Si，例如但不限于氧化硅、碳氧化 硅、碳化硅及其组合，其具有至少一种以下特征：低的湿式蚀刻抗性、6. 0或低于6. 0的介电 常数、和/或可以耐受高温、快速的热本文档来自技高网...

【技术保护点】
在至少一部分衬底表面上形成硅基薄膜的方法，所述方法包括：在反应器中提供所述衬底的至少一个表面；向所述反应器中引入至少一种具有下式A‑D的有机硅前体化合物：其中X1和X2各自独立地选自氢原子、卤素原子和具有式NR1R2的有机氨基基团，其中R1选自直链C1‑C10烷基、支链C3‑C10烷基、C3‑C10环烷基、直链或支链C3‑C10烯基、直链或支链C3‑C10炔基、C1‑C6二烷基氨基、吸电子基团和C6‑C10芳基；和R2选自氢原子、直链C1‑C10烷基、支链C3‑C10烷基、C3‑C10环烷基、直链或支链C3‑C6烯基、直链或支链C3‑C6炔基、C1‑C6二烷基氨基、C6‑C10芳基、直链C1‑...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：雷新建，A·麦利卡尔珠南，M·R·麦克唐纳德，萧满超，
申请(专利权)人：气体产品与化学公司，
类型：发明
国别省市：美国;US